三星曾在 Galaxy S20 Ultra 和 Galaxy S21 Ultra 手機上推出了 16GB 內存，但從 Galaxy S22 Ultra 開始，包括最新旗艦 Galaxy S24 Ultra 手機，內存上限均為 12GB。
其它消息稱三星 Galaxy S25 和 Galaxy S25+ 將會采用 12GB 內存，而 Galaxy S25 Ultra 將會采用 16GB 內存，均為 LPDDR6 規格。
IT之家援引科技媒體 sammyfans 觀點，三星終于決定擴充內存的重要原因，是為了本地運行谷歌的 Gemini Nano AI 模型，該模型對內存有較高的要求。
三星電子 MX （移動體驗）部門副總裁 Daniel Araujo 在 31 日公布結果的電話會議上表示：
我們正在準備具有業界領先性能的移動應用處理器（ AP ）和內存，以增強 AI 性能（ Galaxy S25 系列）和整體優質體驗。
硬件升級將繼續增強核心體驗領域，并提供業界領先的性能，攝像頭和顯示屏也將升級到 Galaxy S25 發布時的最高性能。
著第12代酷睿Alder Lake系列、AMD銳龍6000系列移動處理器的廣泛采用，越來越多的筆記本電腦開始采用DDR5筆記本內存。因此為了幫助筆記本電腦獲得更好的性能或者更大的容量，內存廠商也開始推出DDR5 SO-DIMM筆記本內存新品，如本次將要測試的這款英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存16GB套裝產品。
與標準的桌面型DDR5內存相比，DDR5 SO-DIMM筆記本內存要小不少，其長寬分別只有約69.6mm、30mm。而桌面版的DDR5內存，哪怕是采用矮版設計，沒有設計RGB導光條，一般長寬也能分別達到133mm、35mm。本次測試的英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存16GB套裝由兩條單根容量為8GB的內存組成，每根內存采用單面4顆粒設計，這也是市面上比較少見，顆粒數相當少的內存產品，也就是說每顆顆粒的容量為2GB。
得益于DDR5內存技術，DDR5 SO-DIMM內存的顆粒容量更大，存儲密度大幅度提升。而此前我們測試的一款DDR4 SO-DIMM內存雖然采用了雙面8顆粒設計，內存顆粒數量達到8顆，但其單根容量只有8GB，每顆顆粒的容量為1GB。
再就是DDR5在電壓方面的改進，電壓降低至1.1V，這使得DDR5內存擁有相比DDR4內存相對更高的效率和更低的功耗，畢竟DDR4 SO-DIMM內存的工作電壓也需要1.2V。與DDR4內存相比，DDR5內存在電路設計上也有重大變化，將內存的電源管理集成電路（PMIC）從主板轉移到了DDR5內存上，因此英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存也配備了品質可靠的電源管理集成電路，確保為內存的各個元件提供充沛的“動力”。該內存的PMIC電源管理集成電路在內存中部的頂端，可以精準地將來自主板的5V電壓降壓輸出給內存使用或按用戶設定的電壓工作。
▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存中部的頂端配備了PMIC電源管理集成電路。
此外DDR5 SO-DIMM內存也同樣加入了On-die Ecc糾錯功能，可以發現和糾正出現在內存單元中的數據錯誤，在DDR5內存達到較高頻率的同時，確保工作穩定性與數據完整性。
作為美光的消費級品牌，英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存理所當然地選用了來自美光原廠，編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內存顆粒。其產品編號為MT60B1G16HC-48B ，工作溫度在0℃～95℃范圍內。根據《微型計算機》評測室的測試結果，美光DDR5內存顆粒一般可以穩定超頻到DDR5 5600，所以讓它僅僅穩定工作在DDR5 4800是毫無問題的。
▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存選用了來自美光原廠，編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內存顆粒。
考慮到筆記本電腦BIOS沒有太多的調節項目，因此這款內存具備自動設置頻率、延遲的能力。用戶無須任何設置，只要將內存插入內存插槽，內存頻率就能自動提升到最高頻率，即DDR5 4800并自動使用最優延遲的能力。其在DDR5 4800下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲參數僅為40-39-39-76，與其他游戲本使用的DDR5內存規格相當。如華碩天選3酷睿版游戲本搭載的16GB（8GB×2）三星DDR5 4800筆記本內存采用的延遲設置也是40-39-39-76，那么英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存是否有什么優勢呢？接下來我們在華碩天選3酷睿版游戲本上進行了測試。
▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內存的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲參數僅為40-39-39-76。
結果令人意外，盡管華碩天選3酷睿版游戲本里的原配三星DDR5 4800內存在主要延遲設置上與英睿達DDR5 4800筆記本內存16GB套裝相同，但在內存性能上后者卻具備明顯的優勢。如在AIDA64內存讀寫測試中，英睿達DDR5 4800 筆記本內存16GB套裝的讀取、復制帶寬分別可達66732MB/s、57548MB/s。而原配三星DDR5 4800內存的讀取、復制帶寬則分別只有57414MB/s、50493MB/s。三星內存僅在內存寫入帶寬上有小幅優勢。在AIDA64內存延遲測試上，英睿達產品也比三星內存低了近6ns。
同時在SiSoftware Sandra內存帶寬、內存延遲測試、《魯大師》內存性能測試、PerformanceTest 10.2內存性能上，英睿達DDR5 4800筆記本內存16GB套裝較原配三星DDR5 4800內存都有更好的表現。我們推測這很有可能是英睿達產品在其他小參設置上較三星內存更加激進所帶來的結果。畢竟內存的延遲參數設置其實除了四個主要延遲外，還有大量與性能相關的其他內存延遲參數，如設置得不同也會帶來性能上的差異。另外我們推測也可能是由于內存Die的技術特性存在差異所致，如在接口速度或Die的數量等。
▲英睿達DDR5 4800 筆記本內存16GB套裝的發熱量也不算很大，在華碩天選3酷睿版游戲本中烤機半小時后，兩根內存的最高工作溫度分別為57.8℃、61℃。
總之，盡管頻率相同、主要延遲設置相同，但在性能上，英睿達DDR5 4800筆記本內存16GB套裝相較原配的三星DDR5 4800筆記本內存的確更勝一籌。這也讓華碩天選3酷睿版游戲本在搭載英睿達DDR5 4800筆記本內存后，擁有更好的處理器性能。其在《魯大師》處理器性能、《魯大師》整機性能、CINEBENCH R23處理器多核心渲染性能、7-ZIP處理器壓縮與解壓縮性能測試上均更勝一籌。所以如果想為采用DDR5內存的筆記本電腦升級內存性能或容量，那么這款英睿達DDR5 4800 筆記本內存16GB套裝就是一個不錯的選擇。
基本參數
內存容量：8GB×2
內存電壓：
DDR5 4800@1.1V
工作溫度：0～95℃
默認時序：40-39-39-76@DDR5 4800
42-39-39-77@DDR5 4800
質保時間：終身質保
尺寸：69.6 mm×30mm
參考價格：新品待定
優點：內存性能較好，采用原廠顆粒，讓人放心。
缺點：如延遲設置能更低一點就更好
星今日宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用于高性能筆記本產品。
新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4 DRAM芯片組成。
三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
當然，換用更先進的制造工藝和采用更高容量后，不僅功耗減少39%，速度也快了11%。
按照三星的官方數據，配備2x32GB新內存的游戲本，活動功耗會低于4.6瓦，空閑功耗會低于1.4瓦。
目前，三星的10nm工藝級的DRAM產品已經涵蓋最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。