從奔騰二到奔騰四初期，電腦用的內(nèi)存為SDRAM，常見有PC100、PC133等頻率，內(nèi)存帶寬達(dá)到1064MB/s，但已經(jīng)無法滿足奔騰四4這個(gè)CPU的“胃口”，新一代內(nèi)存呼之欲出。為了提升內(nèi)存的帶寬，以及達(dá)到獨(dú)占市場的目的，Intel與一家叫做Rambus的公司聯(lián)合推出了Rambus DRAM內(nèi)存（簡稱為RDRAM）。
和SDRM相比，Rambus DRAM采用了RISC(精簡指令集計(jì)算機(jī))理論，依靠更高的時(shí)鐘頻率（包括300MHz、350MHz和400MHz）來簡化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量，其數(shù)據(jù)通道接口只有16bit（由兩條8bit的數(shù)據(jù)通道組成），遠(yuǎn)低于SDRAM的64bit。
由于Rambus DRAM采用雙速率傳輸結(jié)構(gòu)，同時(shí)利用時(shí)鐘脈沖的上升與下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，因此在300MHz下的數(shù)據(jù)傳輸量可以達(dá)到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz時(shí)可達(dá)到1.6GB/s，雙通道PC800MHz RDRAM的數(shù)據(jù)傳輸量更是達(dá)到了3.2GB/s，因此一度被認(rèn)為是奔騰四的絕配。
同時(shí)，不要以為內(nèi)存帶散熱馬甲是近幾年的事，因?yàn)镽ambus DRAM一出生就是自帶散熱馬甲的，如下圖，而且仔細(xì)觀察散熱馬甲還是用鉚釘永久固定在PCB上的，同時(shí)內(nèi)存上還貼有發(fā)熱的標(biāo)識。
更有意思的是，這款內(nèi)存的DRAM顆粒既不是早期的TSOP封裝，也不是現(xiàn)在常見的BGA封裝，而且是采用一種系統(tǒng)封裝模式，從下面這張滿是水印的拆截圖可以看到，每顆DRAM的顆粒就像CPU的內(nèi)核一樣是裸露的晶片，因此才使用這種永久性的散熱馬甲封裝，其發(fā)熱量可見一般。
更有意思的是，Rambus DRAM采用了類似串行的數(shù)據(jù)傳輸方式，從下面的原理來看，數(shù)據(jù)依次通過RIMM1到RIMM2，因此Rambus DRAM內(nèi)存必須要成對使用，可以說是“返古”了。
不要以為這就完了，因?yàn)镽ambus DRAM內(nèi)存系統(tǒng)在主板上還不能留有空槽，不然依然無法實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸，需要有RSL信號終結(jié)器。當(dāng)然這東西并不是什么高科技電子元器件，實(shí)際上它只是一根金手指數(shù)量與RamBus內(nèi)存相同的PCB！
因此，這種結(jié)構(gòu)的主板，不僅單根內(nèi)存出現(xiàn)問題會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)無法通過自檢，如果內(nèi)存在插槽上的安裝的位置不對同樣會(huì)無法通過自檢。而且各家主板的定義不同，例如有的主板是1、2槽插內(nèi)存，3、4槽插RSL信號終結(jié)器，而有的主板則是交叉安裝。
得到了Intel的“寵愛”，Rambus DRAM不禁飄飄然，售價(jià)比SDRAM高了一倍左右，但成本僅比SDRAM高了3%。除此之外，其他的內(nèi)存廠商想要生產(chǎn)Rambus DRAM內(nèi)存，不僅需要打造全新的生產(chǎn)線，還要向Rambus繳納高昂的專利費(fèi)，因此生產(chǎn)Rambus DRAM內(nèi)存的廠商僅有三星等少數(shù)幾家，不僅市面上內(nèi)存難買，更出現(xiàn)了Intel購買奔騰4 CPU就搭售Rambus DRAM內(nèi)存的窘境。
支持Rambus DRAM內(nèi)存的主板
（支持Rambus DRAM內(nèi)存的主板，注意最上面兩個(gè)插槽安裝終結(jié)器）
正所謂“天欲讓其亡，必讓其先狂”，受制于高昂的價(jià)格，以及成對使用+終結(jié)器的奇葩工作原理導(dǎo)致的高使用成本，Rambus DRAM終究沒有實(shí)現(xiàn)普及，而售價(jià)更低的DDR DRAM內(nèi)存受到市場的歡迎，而Intel后來也開始默認(rèn)使用DDR內(nèi)存，Rambus DRAM在市場掀起短暫的浪花之后終于消失于歷史的長河之中。
(8137952)
內(nèi)容來源于@什么值得買APP，觀點(diǎn)僅代表作者本人 ｜作者：cloudliu
自從intel 12代以后，DDR5已經(jīng)成為內(nèi)存的主流選擇，但有不少朋友還是不清楚內(nèi)存和主板情況下應(yīng)該如何選擇，我將通過本回答來講清楚這個(gè)問題，并且前提是在不明顯提高預(yù)算的情況下實(shí)現(xiàn)。
需要注意本文內(nèi)容比較全面篇幅比較長，并且包含intel/AMD甚至DDR4平臺內(nèi)容，各位可以通過左邊的導(dǎo)航目錄各選所需。
先說一個(gè)重要結(jié)論，DDR5基本需要2倍的頻率才能達(dá)成和DDR4差不多的游戲性能，如果你只是買6000/6400這樣的低頻D5，實(shí)際游戲性能是遠(yuǎn)不如3600/4000這樣的高頻D4的，可以說是D5了個(gè)寂寞。
DDR5頻率大幅提升使得帶寬有很大的增加，但游戲相對于帶寬其實(shí)對于延遲更為敏感，DDR4的CL周期一般再CL16-19，而DDR5就到了32-40，延遲周期基本是DDR4的兩倍。
通過上面簡易模型公式DDR5想要降低延遲有兩個(gè)辦法，第一是壓低內(nèi)存周期，第二是提升頻率，提升頻率以后，每個(gè)周期花費(fèi)的時(shí)間就降低了。DDR5頻率提升一倍的話，那單個(gè)周期的耗時(shí)就下降一半。如果延遲周期也是兩倍的話，基本就可以維持DDR4的延遲水平。
再來說內(nèi)存頻率/參數(shù)對于游戲性能的影響：內(nèi)存頻率參數(shù)影響是的CPU的游戲性能，而游戲性能FPS是由GPU FPS和CPU FPS的下限決定。這個(gè)下限是動(dòng)態(tài)的，受到你GPU/CPU/內(nèi)存/游戲硬件需求/分辨率和畫質(zhì)設(shè)置的影響。如果你是富哥用的是RTX 4090，跑黑神話4K路徑追蹤，開DLSS也就60 FPS水平，那也是完全的GPU瓶頸，如果你只是4070 Super跑1080p 3MAX的吃雞，那瓶頸則還是在CPU/內(nèi)存。所以內(nèi)存性能主要還是影響的是幀數(shù)高的電競游戲，比如CS2/PUBG/永劫無間這些。
在這里我用PUBG測試不同內(nèi)存頻率參數(shù)對于性能的影響，測試使用第一人稱的雪地圖進(jìn)行測試，其中包含大量的戰(zhàn)斗場景，具體測試使用的ROG STRIX RTX 4090 GAMING，設(shè)置2560x1440 3MAX畫面設(shè)置(紋理/抗鋸齒/視野距離最大，其他最低)，這樣測試瓶頸基本都在CPU和內(nèi)存,RTX 4090的GPU使用率大概只有40%。
intel平臺我使用的14900K+華碩Z790 AYW OC WIFI+光威神武DDR5 6800 16X2。使用intel baseline的話，CPU頻率有波動(dòng)，為了減少CPU頻率波動(dòng)的影響，使用的是華碩BIOS多核增強(qiáng)使得CPU能夠穩(wěn)定 5.7GHz。內(nèi)存主要參數(shù)并沒有直接使用XMP設(shè)置，而是手工壓低為34-46-46-58，8000頻率還手工將tREFI設(shè)置為65535。(AMD平臺測試在后面部分，包含X3D和Zen 5數(shù)據(jù))
DDR 5 8000頻率在PUBG的性能相比6400要高13%，并且這個(gè)6400其實(shí)也是壓了大參的，如果你是單純開XMP，那參數(shù)還更松性能還會(huì)更差。要知道13%的性能差距，基本是顯卡升一檔才有的性能提升幅度，因此DDR5 8000對于電競游戲的性能還是有十分大的收益。
這樣看來高頻DDR5和6400這樣的低頻游戲性能差別的確是很大，但我的平臺能跑到8000么？ 一個(gè)平臺能夠跑到什么頻率，要看CPU/主板和內(nèi)存三方面。
先看CPU，我先放一張整體歸納匯總表，淺色是適用頻率范圍，深色是推薦頻率范圍，具體理由和注意事項(xiàng)我會(huì)后面說。
我先歸納下市售主要主板可以支持的內(nèi)存頻率，這里支持分為兩種，下限是屬于不用太挑CPU和內(nèi)存體質(zhì)，基本開XMP或者動(dòng)簡單電壓就可以穩(wěn)定的頻率，而上限則是對CPU和內(nèi)存體質(zhì)有比較高的要求，需要大雕可以到達(dá)的穩(wěn)定頻率。
現(xiàn)在大部分主板都是4 DIMM，但4DIMM優(yōu)于內(nèi)存布線有天生劣勢，使得其內(nèi)存支持頻率必然比2 DIMM要差。
DDR5 4根其實(shí)對于一般非生產(chǎn)力需要用戶其實(shí)是沒意義的，4根16GB/24GB只能支持到6400頻率，不如上2根32/48GB便宜穩(wěn)定性能好，4根32GB/48GB跑5200都難，性能還遠(yuǎn)不如DDR4，因此DDR5主板正確的形態(tài)就應(yīng)該是2 DIMM，但目前廣大消費(fèi)者并沒能正確認(rèn)知這個(gè)問題，而板商也不得不迎合廣大消費(fèi)者的錯(cuò)誤認(rèn)知推大量的4 DIMM產(chǎn)品。
但之前輕松上8000的主板，無論是ROG Z790-I GAMING還是APEX Encore都價(jià)格不菲，雖然8000電競游戲性能有明顯提升，但這樣是明顯超過了大部分用戶預(yù)算范圍，也是不符合性價(jià)比原則的。不過現(xiàn)在消費(fèi)者，特別是玩家消費(fèi)者有了新的選擇，最近華碩推出了Z790 AYW OC WIFI，并且售價(jià)僅為1799元(曬單返100 E卡后)，相比4 DIMM的AYW W僅貴50元。
其實(shí)稍早之前華碩就推出了4插槽的Z790 AYW W WIFI，定位于入門級的Z790 ATX大板渠道型號，用于取代之前的Z790-P，整體版型相比之前的Z790-P更寬，但遺憾的是并沒有保留4 DIMM的AYW W的白色PCB……
而華碩Z790 AYW OC WIFI則是其2插槽版本，大幅強(qiáng)化了內(nèi)存頻率支持，并且加上了Q-Code除錯(cuò)燈，在超頻內(nèi)存的時(shí)候被卡住是經(jīng)常性事件，有了這個(gè)就知道啟動(dòng)到底是卡那了，再加上旁邊Clear CMOS和Reset按鈕，對于我這樣喜歡折騰的人來說要方便不少，要知道Q-Code之前是ROG STRIX Z790-E GAMING WIFI這樣4000價(jià)位主板才有的功能，現(xiàn)在也被下放到1799的華碩Z790 AYW OC WIFI上。
但華碩Z790 AYW OC WIFI還是基于入門型號AYW修改，12+1+1相供電規(guī)格并不高，不過單相供電從之前PRIME Z790-P的50A升級為60A，并且供電散熱部分升級為PRIME Z790-A同款的供電散熱+IO Cover設(shè)計(jì)，不僅散熱更好/覆蓋面積更大，并且賣相也更好。
可能有朋友對華碩Z790 AYW OC WIFI的供電能力有所懷疑，擔(dān)心拖不動(dòng)14900K，針對這種顧慮我也對供電穩(wěn)定性也進(jìn)行了負(fù)載測試。我這邊使用14900K解除功耗墻/115度溫度墻FPU半小時(shí)(無附加風(fēng)扇散熱)，平均功耗390W，華碩Z790 AYW OC WIFI也能完全跑滿，并未發(fā)生絲毫降頻。只不過供電溫度比較高，我使用熱成像測試靠上的小塊散熱片溫度有78度，大塊IO Cover也有70度。8+4供電的8Pin線纜溫度相比8+8也偏高。但這還是用事實(shí)說明了華碩Z790 AYW OC WIFI的供電規(guī)模還是能夠完全跑滿14900K的。
這次華碩Z790 AYW OC WIFI也提供了一體式的IO，在安裝主板的時(shí)候不再需要額外的IO擋板，后部的接口雖然沒高端那樣滿滿當(dāng)當(dāng)，但也夠用，USB 2.0/5G/10G的速度更是標(biāo)的清清楚楚明明白白。
下部的三個(gè)M.2也都提供了散熱片，不過需要說明的是華碩Z790 AYW OC WIFI的PCIe 16x接口由5.0 Costdown成了4.0，這樣就不用使用昂貴的SMT工藝，我在之前測試RTX 4090 4.0降速成3.0性能影響不到1%，即使后面出了支持5.0的RTX 5090現(xiàn)在的PCIe 4.0也不會(huì)有什么瓶頸。
主板看完了再來看看內(nèi)存，我看京東8000內(nèi)存價(jià)格基本都2000+，我又不是富哥誰買得起啊？
其實(shí)內(nèi)存上8000，不一定需要出廠XMP就8000，買低頻自己超到8000就可以。DDR5能夠上多少頻率最關(guān)鍵取決于顆粒，DDR5的顆粒目前就美光/三星和海力士三家生產(chǎn)(長鑫傳言今年也將量產(chǎn)，我上面羅列了主流的顆粒型號，深色部分為出廠XMP的一般頻率范圍，淺色為手動(dòng)超頻可以到的穩(wěn)定頻率。
而后續(xù)推出的海力士Adie 2GB和Mdie 3GB XMP的出廠頻率都可以到8000的水平(H5C是DDR5，G4/GD代表單顆2GB/3GB，倒數(shù)第4個(gè)字母M/A是表示代數(shù)，M/A代表1/2代，3代就應(yīng)該是Bdie)，這兩種顆粒單面8顆就是16/24GB容量，雙面16顆就是32/48GB。但雙面的32x2/48x2頻率就低很多，出廠XMP目前最高大概是6600，自己超頻大概也就7200水平，因此我只推薦給有生產(chǎn)力需求的用戶（這部分后面我單獨(dú)說），本文重點(diǎn)還是海力士16GB Adie和24GB Mdie的單面：
絕大部分Adie和Mdie基本都可以上到8000，差別就是需要電壓的高低。出廠就標(biāo)XMP 8000/8200甚至是8400的內(nèi)存，就是這些顆粒里精選的極品，一般可以在更低的電壓穩(wěn)定8000，但需要付出的代價(jià)就是不菲的價(jià)格。Mdie 1.35V上8000 XMP大概一半都可以，而Adie 1.45V上8000 XMP則是十里難出一，要稀有的多，這就是8000 16x2和24x2價(jià)差遠(yuǎn)小于容量差的原因。
對于一般intel平臺的玩家直接去買XMP 8000的內(nèi)存其實(shí)性價(jià)比是很低的，其實(shí)我一般建議選擇6800-7200的頻率段內(nèi)存就可以，更低的6400可能是海力士老Mdie或者美光，即使是海力士Adie也應(yīng)該是挑剩體質(zhì)最差的，因此6800-7200檔位比較有性價(jià)比，購買前最好查看商品頁詳情是否有寫明是海力士Adie或者3GB Mdie。
內(nèi)存這個(gè)玩意其實(shí)沒太高技術(shù)門檻，只要品牌有良心靠譜就可以，再加上目前DDR5顆粒下限極高，所以內(nèi)存品牌選擇方面，我覺得光威/阿斯加特/佰維(宏碁)這樣的大陸大品牌就可。臺系的芝奇/海盜船/TEAM之類主要優(yōu)勢是在同臺系主板廠商合作更為緊密，QVL兼容性認(rèn)證更為完整。并且對于有高頻的品牌，分級可以說是安排的明明白白，什么體質(zhì)就標(biāo)什么頻率賣什么價(jià)格，想少花錢買低頻摸大獎(jiǎng)反而幾乎就沒可能。
而本次測試使用的是光威神武DDR5 6800 16GB X 2，默認(rèn)參數(shù)為34-45-45-108，默認(rèn)電壓為1.4V。光威神武的外殼是很厚實(shí)的全鋁CNC加工而成，高目數(shù)的陽極處理給人感覺十分有質(zhì)感，表面觸感也可以用絲滑來形容。類似波浪的突起造型暢線條勾勒出的外形既像上古的神兵利器，也像科幻的無敵銀河戰(zhàn)艦，都給予人十分的遐想空間，十分切合我審美趨向。
PCB則是10層工藝.顆粒上面貼的導(dǎo)熱墊也十分的工整，并且這個(gè)角度我們可以更清楚的看見散熱片的型材厚度，完全不同于那些所謂的廉價(jià)鋁皮散熱片，可以切實(shí)的降低顆粒溫度，提升負(fù)載穩(wěn)定性。
光威神武DDR5 6800 16GB X 2燈條的燈光部分效果也很不錯(cuò)，色彩飽和度很高，動(dòng)效流暢且燈珠也很不明顯，當(dāng)然如果你是無光黨，或者想省點(diǎn)錢也可以選擇無光龍武系列。
當(dāng)然前面我跑8400是比較極限的情況了，這樣頻率對于內(nèi)存和處理器內(nèi)存控制器都有比較高的要求，我手頭的另外兩顆14900K都無法穩(wěn)定8400，并不代表普遍性。高頻主要是帶寬優(yōu)勢明顯，在APEX/AYW OC這樣的主板上跑8000頻率基本所有13/14代K和Adie/Mdie都可以辦到，并且在8000可以將參數(shù)壓的更緊，同樣也可以實(shí)現(xiàn)50ns級別的延遲，這樣的設(shè)置對于玩家來說才有更大的使用價(jià)值。
即使你買的是XMP的DDR5 8000，但你單純開XMP使用默認(rèn)參數(shù)那效能還是很爛的，一般8000 XMP延遲也都在60ns以上，如果想要獲得50ns級別的延遲則還是需要手動(dòng)優(yōu)化。這里我還是以華碩Z790 AYW OC WIFI+光威神武DDR5 6800 16GB X 2為例，分享一套比較通用且可方便復(fù)制的設(shè)置方法。
開機(jī)按del進(jìn)入BIOS，進(jìn)入AI Tweaker標(biāo)簽，先開啟XMP I，在將內(nèi)存頻率改成DDR5 8000 MHz。
想要提升存儲(chǔ)系統(tǒng)的游戲性能，也建議拉高uncore也就是L3緩存頻率，13/14代K處理器最低和最高可以設(shè)置為49或者50，這樣相比默認(rèn)的45可以提升不少L3緩存性能。
DARM Timing Control時(shí)序參數(shù)方面，8000頻率 Adie的話開始可以嘗試34-46-46-58，這幾參數(shù)相當(dāng)于是工作間隔，多少周期工作一次，是數(shù)值越低性能越好。如果34-46-46-58可以通過也可以嘗試下34-44-44-58。
而tREFI則是多少周期休息一次，是越長越好(可惡的資本家！)，如果改成65535的話（順便將tRFC改成580），如果只壓34-46-46-58延遲在55ns水平，如果將tREFI改成65535，就可以再降低5ns到50ns水平。(而Apex Encore默認(rèn)為32767，真旗艦還是更NB)，其實(shí)下面還有一堆其他小參數(shù)我自己是沒能理解作用機(jī)制，改了對于性能影響也不大，Auto就好。
但這樣高的tREFI長期穩(wěn)定對于溫度比較敏感，設(shè)置65535的話最好給內(nèi)存準(zhǔn)備專門的散熱風(fēng)扇（類比本來一周一休現(xiàn)在一個(gè)半月才休一次，工作還不配個(gè)風(fēng)扇容易不穩(wěn)定），比如上面推薦的喬思伯NF-2內(nèi)存風(fēng)扇。
內(nèi)存VDD/VDDQ電壓就是內(nèi)存電壓，一般設(shè)置一樣就可以，Adie一般在1.6左右，如果穩(wěn)定說明體質(zhì)好，就可以適當(dāng)降低，不穩(wěn)就可以適當(dāng)加高，不過一般也不要超過1.65v。
在內(nèi)存高級電壓設(shè)置，先可以嘗試默認(rèn)的Auto，如果不穩(wěn)定，IVR可以設(shè)置在1.4v左右，而第二行的MCV可以嘗試1.4-1.45V的區(qū)間。
在這樣的設(shè)置下，光威光威神武DDR5 6800 16GBx2可以在華碩Z790 AYW OC WIFI上將延遲控制在50ns左右，并且可以通過3小時(shí)的TM5內(nèi)存穩(wěn)定性測試。
上面說的主要是Adie，Mdie就有些區(qū)別，一般相同的CPU+主板Mdie可以上的頻率基本要高半檔，如果Adie 8200/Mdie就應(yīng)該可以8400，Adie 8400/Mdie也許就可以8533，即使高不了半檔，實(shí)現(xiàn)相同頻率也更容易穩(wěn)定，需要的電壓也更低，XMP 8000一般是1.35V，如果手動(dòng)超頻可以嘗試1.45-1.55v的電壓區(qū)間。
但Mdie的缺點(diǎn)也是有的，就是在8000+這樣的高頻延遲更差，8000基本就很難C34，很多都是C36體質(zhì)，tRFC也需要放松到700，這樣使得Mdie需要高一檔的頻率才能達(dá)到Adie 16GB的效能。
intel在DDR5都是GEAR2異步模式(內(nèi)存控制器UCLK和內(nèi)存頻率1:2)，因此簡單說頻率基本就是越高越好 (當(dāng)然頻率高到9xxx就需要1:4的GEAR4了就另當(dāng)別論)。但AMD AM5平臺就不一樣，存在同步和異步的問題，Zen4和Zen 5平臺的內(nèi)存控制器體質(zhì)好的話，UCLK頻率可以跑到3200，這樣DDR5 6400頻率就可以實(shí)現(xiàn)UCLK:MEMCLK同步。超過6400就基本需要異步，這樣效能就有損失，但這個(gè)異步損失并不算太大大，在相同參數(shù)設(shè)置的情況下，雖然6400異步慢于6400同步，但異步6800就可以持平，7200性能就可以反超。特別是12C/16C型號對于帶寬有更大的需求，高頻異步在帶寬需求大的浮點(diǎn)/SSE/AVX運(yùn)算中優(yōu)勢更為明顯，并且Zen 5對于異步優(yōu)化更好，相對Zen 4異步優(yōu)勢更大。
問題是上面說的是相同參數(shù)的情況下，DDR5在6400這樣的頻率我們可以再壓低小參到C28甚至C26，在單Die核心型號這樣DDR5 6400C28性能是整體優(yōu)于DDR5 7600C34的。
更進(jìn)一步說在主板和內(nèi)存足夠好的情況下，異步也可以上到8000甚至8200C34，其效能還是要優(yōu)于6400C28。整體而言非極限高頻同步和異步的性能差不多，但異步到能夠有明顯優(yōu)勢的高頻主板和內(nèi)存需要付出額外的金錢成本。
當(dāng)然上面的YC和7ZIP測試都是偏向理論性能的測試，我們還是來看看PUBG游戲的差別，測試和設(shè)置場景和之前的intel平臺一樣，使用RTX 4090，設(shè)置為2560x1440 3MAX畫質(zhì)進(jìn)行測試。
AMD平臺設(shè)置我這里以ROG X670E HERO+Adie為例，在進(jìn)入BIOS后首先打開XMP，下面頻率選擇位置，如果同步的就選擇6400，異步的話就可以從7600開始嘗試。
下面的FCLK是核心到IOD的總線頻率，這個(gè)頻率和內(nèi)存/CPU頻率獨(dú)立，默認(rèn)是2000，一般可以手動(dòng)到2133-2200。
在內(nèi)存頻率超過6000以后，主板會(huì)默認(rèn)設(shè)置為Gear2分頻，跑同步的話就需要手動(dòng)將UCLK DIV1 MODE改成UCLK=MEMCLK。另外6400同步是有很大概率不穩(wěn)定的，特別是雙CCD型號，這個(gè)時(shí)候就需要退而求其次跑6200同步，或者干脆嘗試異步。如果是異步的話，內(nèi)存頻率就選擇的7600，CLK DIV1 MODE保持默認(rèn)的Auto就可以，ROG之類的高端板在7600穩(wěn)定后也可以嘗試8000甚至8200。
電壓方面，如果是6400C28，Adie/Mdie 16GB應(yīng)該設(shè)置在1.45-1.5V就差不多，如果跑7600-8000的異步，那還是需要1.6V左右。提高FCLK頻率到2166之上一般需要提升CPU SOC電壓來提升穩(wěn)定性。MC內(nèi)存控制器電壓一般不需要?jiǎng)樱绻环€(wěn)定可以嘗試加到1.4-1.45V水平。
DARM Timing Control內(nèi)存時(shí)序方面，6400同步推薦設(shè)置28-38-38-58，如果在主板比較好的情況下則可以再嘗試26-38-38-58，異步就和intel類似，設(shè)置34-46-46-58，如果穩(wěn)定還可以嘗試?yán)^續(xù)壓低后面3個(gè)參數(shù)。tREFI也建議設(shè)置65535，tRFC的話異步可以從480開始嘗試，同步則可以420甚至380。
生產(chǎn)力內(nèi)存，自然是容量優(yōu)先，但有很多人基本沒生產(chǎn)力需求，但也嚷著要大內(nèi)存。選擇多大內(nèi)存應(yīng)該從自己的使用場景來確定需求，內(nèi)存并不是越大越好，而是夠用就好，超過你需要的內(nèi)存容量并不會(huì)提升性能，甚至還會(huì)降低性能。
怎么知道自己需要多少？打開任務(wù)管理器看看性能的內(nèi)存標(biāo)簽就知道了，我運(yùn)行2077，Chrome幾十個(gè)標(biāo)簽，還有QQ/微信/迅雷和一堆后臺，也就用了19GB，我基本沒什么生產(chǎn)力需求，因此對于我來說 32GB是夠用了。如果你的內(nèi)存使用空間超過了48GB，那我覺得就可以算是進(jìn)入生產(chǎn)力的范疇。
生產(chǎn)力首先是容量優(yōu)先，對于DDR5，在四槽主板4根單面的16GB/24GB一般可以上到6400，但這樣還不如上32GB/48GB的雙面X2，Z790的話頻率XMP可以到6600-6800，手動(dòng)超頻也基本可以到7200。
如果是Zen 4/Zen 5平臺，那就可以上雙面的32GB/48GBx2套條，跑6400或者6200同步，再壓低小參數(shù)，這樣就可以兼顧性能和容量，同時(shí)達(dá)到最優(yōu)化。
如果剛需32x4和48x4，其實(shí)有很大概率XMP點(diǎn)不亮，只能跑4000或者4800頻率，兼容性問題很大，建議再購買前查看主板廠商官網(wǎng)的QVL兼容性列表，在廠商測試通過的內(nèi)存里買套條，即使如此，32GBx4頂頭只能達(dá)到5600的內(nèi)存頻率，性能還遠(yuǎn)不如DDR4。
當(dāng)然頻率上去了，動(dòng)不動(dòng)藍(lán)屏死機(jī)也沒問題，要絕對穩(wěn)定才能叫頻率上去了。
我的個(gè)人習(xí)慣是內(nèi)存設(shè)置一個(gè)新的頻率參數(shù)，先進(jìn)系統(tǒng)用y-cruncher進(jìn)行初步驗(yàn)證。運(yùn)行后依次選擇0-1-8 （也可以自己寫個(gè)BAT批處理 如下），就可以進(jìn)行500億位Pi計(jì)算，整個(gè)測試對穩(wěn)定性要求很高，但完成時(shí)間很短，僅需要2分鐘時(shí)間不到。
y-cruncher.exe skip-warnings bench 5b pause
YC測試需要時(shí)間短是優(yōu)點(diǎn)又是缺點(diǎn)，其無法驗(yàn)證長期穩(wěn)定性，特別是長期高負(fù)載升溫之后的穩(wěn)定性。因此無論通過不通過YC也是，也要再去測試TestMem5，一般加載1usmus的測試進(jìn)行。
TM5會(huì)運(yùn)行多個(gè)不同的測試項(xiàng)目，在不同的項(xiàng)目報(bào)錯(cuò)就會(huì)對應(yīng)不同的問題，有不同的解決方法，具體可以參考下面的表格：比如上圖的錯(cuò)誤15，可能是tRFC太緊，或者是內(nèi)存/SA電壓不夠。
TM5 1usmus測試通過的話，最好再用Anta777再驗(yàn)證一次，這樣才安心。
內(nèi)存超頻本質(zhì)是頻率/延遲參數(shù)/SA電壓/內(nèi)存電壓/IVR和MCV不同電壓的排列組合，其中最為麻煩的是SA和MCV電壓，調(diào)節(jié)范圍大，而且也不是越高越好，需要反復(fù)排列嘗試，可以說是一杯茶一包煙，幾個(gè)小參調(diào)半天，是需要耐心的。我的很多玩硬件的朋友，特別是中年朋友都癡迷于跑內(nèi)存，這樣費(fèi)時(shí)也成了優(yōu)點(diǎn)，樂趣和釣魚差不多，一點(diǎn)一點(diǎn)的沖擊極限，按照他們的話說，玩內(nèi)存的游戲性很不錯(cuò)。
當(dāng)然我在前面推華碩Z790 AYW WIFI OC并不是建議大家現(xiàn)在非剛需還買13/14代，現(xiàn)在已經(jīng)是LGA1700平臺生命末期，并且現(xiàn)在CPU又爆出有穩(wěn)定性問題，我本文只是在傳導(dǎo)一個(gè)理念，在花費(fèi)變化不大的情況下需要盡量補(bǔ)齊內(nèi)存系統(tǒng)的短板，應(yīng)該是怎么樣的配置思路。當(dāng)然你在這幾個(gè)月剛需準(zhǔn)備購買新機(jī)(比如要玩黑神話)，那華碩Z790 AYW OC WIFI就是最佳的選擇，雖然其供電規(guī)格不高，但依然還是可以支撐14900K滿載運(yùn)行，再加上8400 MHz DDR5的高頻能力和這個(gè)價(jià)位不錯(cuò)的擴(kuò)展能力，都使得其有無與倫比的性價(jià)比。
而內(nèi)存選擇我覺得要量力而行，選擇中間價(jià)位的海力士顆粒就好，比如我本次測試使用的光威神武DDR5 6800 16GB X 2，使用高品質(zhì)的海力士Adie顆粒，在手工調(diào)校后也可以在AYW OC上穩(wěn)定的跑上8000+的頻率，雖然需要比較高的電壓，但價(jià)格只有原生XMP 8000的內(nèi)存的一半，相比6400的主流頻率也貴不了多少。但這樣高頻可以大幅提升平臺性能，特別是絕地求生/永劫無間這樣高幀數(shù)游戲幀數(shù)表現(xiàn)，因此很值得向非富哥，但又追求游戲性能的玩家推薦。
當(dāng)然如果你不差錢，那芝奇皇家戟DDR5 8400才是你的最佳選擇，特挑最好的體質(zhì)，完善的板商QVL兼容性認(rèn)證，還有奢侈品般風(fēng)格的工業(yè)設(shè)計(jì)和不菲的價(jià)格自然是富哥專屬。
一點(diǎn)后話，其實(shí)ARL+Z890發(fā)布后，高端DDR5還是要變天，通過今年COMPUTEX的消息，高端要轉(zhuǎn)向CUDIMM，CKD(客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng))可以讓DDR5上到XMP 8600-9600。坊間傳言板商的產(chǎn)品策略也在做調(diào)整，LGA1851世代我們會(huì)看見更多的為高頻內(nèi)存優(yōu)化的2DIMM主板，這是很值得期待的。
內(nèi)存構(gòu)型上也會(huì)開始實(shí)驗(yàn)性的轉(zhuǎn)到CAMM2，可以單片實(shí)現(xiàn)更大容量和雙通道，還可以大幅簡化主板走線/加裝散熱，實(shí)現(xiàn)更高的頻率和性能，因此未來兩年的內(nèi)存可玩性是很值得期待的。
ype-C接口是USB接口的一種最新標(biāo)準(zhǔn)，這種接口采用雙向插入方式，即可插正反面，這一點(diǎn)解決了USB接口中最常見的連接問題——插反了！不僅如此，Type-C接口還有著更快的傳輸速度和更強(qiáng)的電力輸出能力。
接口的雙向插入功能是由接口內(nèi)部的23個(gè)pin腳和左右對稱的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，這使得插入導(dǎo)向的問題成為過去式。Type-C接口還支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，理論上最高速度可達(dá)10Gbps，相比USB3.0的5Gbps，這是相當(dāng)可觀的提升。
Type-C接口最為人所熟知的特點(diǎn)之一是它的全新設(shè)計(jì)，它的接頭更小、更輕便，甚至比micro-USB接口還要小。這使得它不僅在筆記本電腦上使用，還可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)和其他便攜式電子設(shè)備。除此之外，Type-C接口還具有較強(qiáng)的電力輸出能力，最高可達(dá)100W，并且還有內(nèi)部的智能OVP（過壓保護(hù)）和OCP（過電流保護(hù)）功能，保障設(shè)備安全穩(wěn)定使用。
雖然Type-C接口有很多優(yōu)點(diǎn)，但它也有一些缺點(diǎn)需要注意。首先是成本問題，Type-C接口比傳統(tǒng)USB接口昂貴許多，這可能會(huì)導(dǎo)致一些產(chǎn)品價(jià)格上升。此外，由于其全新的設(shè)計(jì)，它不支持USB-A或USB-B設(shè)備的直接插入，需要使用轉(zhuǎn)換器或新的線纜。
總的來說，Type-C接口是近年來最熱門的電子產(chǎn)品之一，它解決了傳統(tǒng)USB接口插反的問題，同時(shí)具有更快的速度和更高的電力輸出能力。在未來，我們相信它將逐漸成為各類設(shè)備標(biāo)配的接口類型之一。如果你現(xiàn)在正在考慮更換設(shè)備或購買新設(shè)備，不妨選擇采用Type-C接口的產(chǎn)品。