內(nèi)存是計(jì)算機(jī)里非常重要的一個(gè)硬件，是電腦的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存。一般你打開(kāi)購(gòu)買(mǎi)網(wǎng)站，看到它的參數(shù)基本是8G，16G 32G這樣的字樣，內(nèi)存條的數(shù)據(jù)是臨時(shí)存儲(chǔ)的，它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度非常快，當(dāng)計(jì)算機(jī)關(guān)閉或重啟時(shí)，內(nèi)存條中的數(shù)據(jù)就會(huì)被清空。
與內(nèi)存條不同，固態(tài)硬盤(pán)是一種永久性儲(chǔ)存設(shè)備，它的存儲(chǔ)容量相對(duì)較大，可以達(dá)到數(shù)百GB或TB級(jí)別，目前512G、1T 固態(tài)成主流。固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)速度比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)要快得多，而且它的數(shù)據(jù)也是永久性存儲(chǔ)的，即使計(jì)算機(jī)關(guān)閉或重啟，固態(tài)硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。除了存儲(chǔ)速度和存儲(chǔ)容量的區(qū)別，內(nèi)存條和固態(tài)硬盤(pán)還有其他的不同之處。
除此之外，由于接口的不同，固態(tài)硬盤(pán)的外觀尺寸也是不一樣的。一般情況下固態(tài)硬盤(pán)的外觀形狀可大概分為盒裝（塊狀）和條狀的，比如SATA接口的固態(tài)硬盤(pán)是盒裝的，也就是塊狀的，而NVMe接口的固態(tài)硬盤(pán)是條狀的，看起來(lái)跟內(nèi)存條一樣，所以好多人都分不清內(nèi)存條跟條狀的固態(tài)硬盤(pán)。
如下面兩圖對(duì)比，m.2 NVMe和普通m.2固態(tài)硬盤(pán)也是不一樣的。
NVMe固態(tài)硬盤(pán)樣圖
普通m.2固態(tài)硬盤(pán)
這兩大存儲(chǔ)硬件還有著一些重要的區(qū)別
首先，在功能方面不同，內(nèi)存條主要用于暫存正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)，而固態(tài)硬盤(pán)則用于永久性存儲(chǔ)文件和數(shù)據(jù)。
其次，在價(jià)格方面不同：由于內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量相對(duì)較小，所以它的價(jià)格相對(duì)較低。而固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)容量較大，價(jià)格相對(duì)較高。
再次，使用壽命不同：內(nèi)存條的使用壽命相對(duì)較短，一般只有幾年。而固態(tài)硬盤(pán)的使用壽命相對(duì)較長(zhǎng)，可以使用多年。
最后，安裝方式不同：內(nèi)存條是直接插在主板上的，而固態(tài)硬盤(pán)則需要安裝在計(jì)算機(jī)的硬盤(pán)槽中。
以上就是關(guān)于內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別，希望能對(duì)大家在選購(gòu)筆記本時(shí)有幫助。
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存就是的長(zhǎng)方形“卡片”，也叫內(nèi)存條。它是臨時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的區(qū)域，軟件和系統(tǒng)文件經(jīng)常調(diào)用它！雖然它有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的功能，但是它只是暫時(shí)性的存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù)供CPU使用，因此內(nèi)存決定電腦硬件速度的重要配件之一。
內(nèi)存(Memory)是計(jì)算機(jī)的重要部件，也稱內(nèi)存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器，它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。它是外存與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都在內(nèi)存中進(jìn)行，內(nèi)存性能的強(qiáng)弱影響計(jì)算機(jī)整體發(fā)揮的水平。只要計(jì)算機(jī)開(kāi)始運(yùn)行，操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成，CPU將結(jié)果傳送出來(lái)。
只讀存儲(chǔ)器(ROM)
ROM表示只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory），在制造ROM的時(shí)候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫(xiě)入，即使機(jī)器停電，這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。 現(xiàn)在比較流行的只讀存儲(chǔ)器是閃存(Flash Memory)，它屬于 EEPROM(電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)的升級(jí)，可以通過(guò)電學(xué)原理反復(fù)擦寫(xiě)。現(xiàn)在大部分BIOS程序就存儲(chǔ)在 FlashROM芯片中。U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)也是利用閃存原理做成的。
隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）
RAM隨機(jī)存儲(chǔ)器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫(xiě)入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購(gòu)買(mǎi)或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的內(nèi)存條有4G,8G,16G,32G等。
高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）
Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念，也就是平常看到的一級(jí)緩存(L1 Cache）、二級(jí)緩存(L2 Cache）、三級(jí)緩存(L3 Cache）這些數(shù)據(jù)，它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個(gè)讀寫(xiě)速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫(xiě)入或讀出數(shù)據(jù)時(shí)，這個(gè)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩沖存儲(chǔ)器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時(shí)，CPU就從高速緩沖存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)，而不是訪問(wèn)較慢的內(nèi)存，當(dāng)然，如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒(méi)有，CPU會(huì)再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。
內(nèi)存條是否能以完整的存儲(chǔ)體(Bank)為單位安裝將決定內(nèi)存能否正常工作，這與計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)總線位數(shù)是相關(guān)的，不同機(jī)型的計(jì)算機(jī)，其數(shù)據(jù)總線的位數(shù)也是不同的。內(nèi)存條通常有 64MB、128MB、256MB等容量級(jí)別。從這個(gè)級(jí)別可以看出，內(nèi)存條的容量都是翻倍增加的，也就是若內(nèi)存條容量為512MB，則意味著再往下發(fā)展就將為1024MB了。 目前，8GB，16GB內(nèi)存已成了主流配置。SDRAM內(nèi)存條有雙面和單面兩種設(shè)計(jì)，每一面采用8顆或者9顆(多出的一顆為ECC驗(yàn)) SDRAM芯片。
故障修復(fù)
1、開(kāi)機(jī)無(wú)顯示由于內(nèi)存條原因出現(xiàn)此類(lèi)故障一般是因?yàn)閮?nèi)存條與主板內(nèi)存插槽接觸不良造成，只要用橡皮擦來(lái)回擦試其金手指部位即可解決問(wèn)題（不要用酒精等清洗），還有就是內(nèi)存損壞或主板內(nèi)存槽有問(wèn)題也會(huì)造成此類(lèi)故障。 內(nèi)存由于內(nèi)存條原因造成開(kāi)機(jī)無(wú)顯示故障，主機(jī)揚(yáng)聲器一般都會(huì)長(zhǎng)時(shí)間蜂鳴（針對(duì)Award Bios而言）
2、windows系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定，經(jīng)常產(chǎn)生非法錯(cuò)誤出現(xiàn)此類(lèi)故障一般是由于內(nèi)存芯片質(zhì)量不良或軟件原因引起，如若確定是內(nèi)存條原因只有更換一途。
3、windows注冊(cè)表經(jīng)常無(wú)故損壞，提示要求用戶恢復(fù)此類(lèi)故障一般都是因?yàn)閮?nèi)存條質(zhì)量不佳引起，很難予以修復(fù)，唯有更換一途。
4、windows經(jīng)常自動(dòng)進(jìn)入安全模式此類(lèi)故障一般是由于主板與內(nèi)存條不兼容或內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，常見(jiàn)于PC133內(nèi)存用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，可以嘗試在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存讀取速度看能否解決問(wèn)題，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。
5、隨機(jī)性死機(jī)此類(lèi)故障一般是由于采用了幾種不同芯片的內(nèi)存條，由于各內(nèi)存條速度不同產(chǎn)生一個(gè)時(shí)間差從而導(dǎo)致死機(jī)，對(duì)此可以在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存速度予以解決，否則，唯有使用同型號(hào)內(nèi)存。還有一種可能就是內(nèi)存條與主板不兼容，此類(lèi)現(xiàn)象一般少見(jiàn)，另外也有可能是內(nèi)存條與主板接觸不良引起電腦隨機(jī)性死機(jī)，此類(lèi)現(xiàn)象倒是比較常見(jiàn)。
6、內(nèi)存加大后系統(tǒng)資源反而降低此類(lèi)現(xiàn)象一般是由于主板與內(nèi)存不兼容引起，常見(jiàn)于PC133內(nèi)存條用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，即使系統(tǒng)重裝也不能解決問(wèn)題。
7、windows啟動(dòng)時(shí)，在載入高端內(nèi)存文件himem.sys時(shí)系統(tǒng)提示某些地址有問(wèn)題此問(wèn)題一般是由于內(nèi)存條的某些芯片損壞造成，解決方法可參見(jiàn)下面內(nèi)存維修一法。
8、運(yùn)行某些軟件時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存不足的提示此現(xiàn)象一般是由于系統(tǒng)盤(pán)剩余空間不足造成，可以刪除一些無(wú)用文件，多留一些空間即可，一般保持在300M左右為宜。
9、從硬盤(pán)引導(dǎo)安裝windows進(jìn)行到檢測(cè)磁盤(pán)空間時(shí)，系統(tǒng)提示內(nèi)存不足此類(lèi)故障一般是由于用戶在config.sys文件中加入了emm386.exe文件，只要將其屏蔽掉即可解決問(wèn)題。
10、安裝windows進(jìn)行到系統(tǒng)配置時(shí)產(chǎn)生一個(gè)非法錯(cuò)誤此類(lèi)故障一般是由于內(nèi)存條損壞造成，可以按內(nèi)存維修一法來(lái)解決，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。
11、啟動(dòng)windows時(shí)系統(tǒng)多次自動(dòng)重新啟動(dòng)此類(lèi)故障一般是由于內(nèi)存條或電源質(zhì)量有問(wèn)題造成，當(dāng)然，系統(tǒng)重新啟動(dòng)還有可能是CPU散熱不良或其他人為故障造成，對(duì)此，唯有用排除法一步一步排除。
12、內(nèi)存維修一法出現(xiàn)上面幾種故障后，倘若內(nèi)存損壞或芯片質(zhì)量不行，如條件不允許可以用烙鐵將內(nèi)存一邊的各芯片卸下，看能否解決問(wèn)題，如若不行再換卸另一邊的芯片，直到成功為止（如此焊工只怕要維修手機(jī)的人方可達(dá)到）。當(dāng)然，有條件用示波器檢測(cè)那就事半功倍了），采用此法后，因?yàn)橐褜?nèi)存的一邊芯片卸下，所以內(nèi)存只有一半可用，例如，64M還有32M可用，為此，對(duì)于小容量?jī)?nèi)存就沒(méi)有維修的必要了。
們都知道，NAND閃存是一種比機(jī)械硬盤(pán)內(nèi)的磁盤(pán)更快、更安全、更穩(wěn)定的存儲(chǔ)介質(zhì)，并已攻陷了包括硬盤(pán)、閃存盤(pán)、存儲(chǔ)卡、智能手機(jī)、平板電腦、智能電視等內(nèi)置存儲(chǔ)空間的設(shè)備（市場(chǎng)）。
問(wèn)題來(lái)了，既然都是將NAND作為存儲(chǔ)單元，為何存儲(chǔ)卡和SSD硬盤(pán)之間的讀寫(xiě)性能會(huì)存在極大的差異呢？
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)卡、手機(jī)和SSD固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)置閃存芯片的封裝標(biāo)準(zhǔn)各不相同，比如SSD內(nèi)的閃存芯片表面積就已經(jīng)和一些閃存盤(pán)的大小相當(dāng)，存儲(chǔ)卡內(nèi)置的閃存芯片尺寸則更迷你。
一般來(lái)說(shuō)，同容量但封裝尺寸更大（所以SSD性能先天占優(yōu)）或單芯片容量越大（內(nèi)部可組成類(lèi)似雙通道的工作模式）的閃存芯片具備更好的性能潛力，性能越好。
此外，NAND閃存自身也是在不斷迭代進(jìn)化的，2021年主流閃存的性能肯定要比幾年前的閃存強(qiáng)很多。
影響閃存自身性能的因素有很多，比如制程工藝、閃存架構(gòu)、3D堆疊技術(shù)等。其中，閃存架構(gòu)即我們熟悉的SLC、MLC、TLC和QLC，目前中高端閃存均以TLC為主，而QLC雖然性能有所降低但憑借成本優(yōu)勢(shì)正在逐漸蠶食TLC閃存的市場(chǎng)。制程工藝和3D堆疊技術(shù)相輔相成，最新工藝+96層或144層的3D NAND技術(shù)可以將1TB容量封裝進(jìn)一顆NAND閃存芯片里。
如今很多1TB SSD的PCB主板上僅需1顆閃存芯片
下面，咱們就先來(lái)了解一下存儲(chǔ)卡的速度之謎，如果你對(duì)閃存盤(pán)感興趣，可以關(guān)注CFan的后續(xù)報(bào)道。
存儲(chǔ)卡的速度之謎
存儲(chǔ)卡包含Secure Digital Memory Card（SD）、Micro SD Card（又稱TF）、Compact Flash（CF）、Memory Stick（MS）等諸多形態(tài)，但如今依舊流行的則只剩下了SD和MicroSD（TF），并逐漸衍生出了SDHC（SD2.0）、SDXC（SD3.0）和SDUC（SD7.0）標(biāo)準(zhǔn)。
雖然存儲(chǔ)卡輕巧迷你，但它也算“五臟俱全”，除了裸露在外的金手指外，內(nèi)部還同時(shí)封裝了主控芯片和閃存芯片。
不過(guò)，存儲(chǔ)卡的主控只需要實(shí)現(xiàn)最基礎(chǔ)的功能即可，并不像SSD硬盤(pán)那般需要針對(duì)閃存顆粒進(jìn)行讀寫(xiě)優(yōu)化、寫(xiě)入策略優(yōu)化等，所以尺寸和功耗極低，沒(méi)什么存在感。
一款存儲(chǔ)卡的性能，主要看它采用的SD規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)以及總線接口。以通用性最好的MicroSD存儲(chǔ)卡為例，目前市面上多以SDXC+UHS-I為主，讀取速度普遍在100MB/s~170MB/s之間。
采用UHS-II或UHS-III總線標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)卡速度可以媲美SATA SSD，但它們的價(jià)格昂貴，而且采用了雙排金手指，兼容這類(lèi)存儲(chǔ)卡的設(shè)備也多以專業(yè)單反相機(jī)和攝像機(jī)為主。
SD7.x是最新的SD卡規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，它們引入了PCIe總線和NVMe協(xié)議，讀取速度理論可達(dá)985MB/s，目前威剛已經(jīng)推出了符合該標(biāo)準(zhǔn)的Premier Extreme SDXC SD Express存儲(chǔ)卡，但SD7.x存儲(chǔ)卡的價(jià)格更是嚇人，兼容這種存儲(chǔ)卡的設(shè)備也是鳳毛麟角。
總的來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)卡是NAND介質(zhì)存儲(chǔ)產(chǎn)品中速度（相對(duì)）最慢的，其性能更加依賴終端設(shè)備（如手機(jī)、相機(jī)、筆記本）身上的的讀卡器以及控制芯片，而相關(guān)的OEM廠商并不愿意在這方面增加預(yù)算，所以哪怕存儲(chǔ)卡已經(jīng)有了超高速的SD7.x標(biāo)準(zhǔn)，但至今連UHS-II還未大規(guī)模普及，普通用戶更是很難接觸到。