雖說用Macbook也有近10年了，原來都是自己在網上學習安裝Windows。不過近兩年已經沒有裝過了，這次安裝還繞了點彎路。
準備工作：
1、下載Windows10的安裝鏡像；
2、U盤（其實非必須）。
新手安裝的時候要注意，Windows10的安裝鏡像是指Windows原版的ISO鏡像，也就是MSDN版，不是GHOST版的。蘋果電腦是不認GHOST版鏡像的。
步驟如下：
1、Macbook的OS版本升級到最新版。
一開始掉到坑里就是這個問題。在網上下載的Windows10的鏡像文件有5G多，按之前的安裝方法無論如何不能成功。后來才知道，MacOS10.14版本以下是不支持4G以上的鏡像的。以前裝Win7，沒有這個問題，現在裝Win10就碰上了。所以至少要把MacOS升級到Mojave系統或更新。
2、把Windows10的鏡像拷貝到蘋果電腦上，或者直接在蘋果電腦里下載也行。實際上U盤也就是在這一步用了一下，如果是Macbook里直接下載鏡像，全程都用不上U盤。
3、打開啟動轉換助理
依次點擊“啟動臺”->“其他”->“啟動轉換助理”。
4、選擇鏡像，給Window分區劃分磁盤
如果Macbook上只有一個Windows的安裝鏡像，啟動轉換助理會自動選出來。可以根據需要，拖動劃分Windows磁盤的大小。兩個鄰居都是“蘋果殼，微軟心”，平時都不用蘋果操作系統，所以就給Windows分得大了一些。
5、下載Windows支持軟件（驅動）
點擊安裝后，系統會自動下載Windows下的驅動。以前是需要有個U盤的。所以，現在裝Windows全程可不用U盤就是這個道理。等待下載完成后，會彈出一個框要輸入蘋果電腦的密碼，然后點“好”，電腦就自動重啟進入windows安裝程序了。
6、安裝BootCamp
整個Windows的安裝過程比較簡單，基本上就是下一步，好的。然后Windows就安裝完了。這時候要注意，第一次進入Windows桌面一定要先安裝BootCamp，不要重啟。重啟就廢了！我第一次裝就是找不到BootCamp在哪里，重啟了一下電腦，然后就什么驅動都沒有了，只好重裝了一遍。
這時候要進入“此電腦”，去安裝BootCamp。
這時候會看到又兩個分區，右邊一個OSXRESERVED，雙擊打開，然后進入BootCamp文件夾，雙擊Setup安裝BootCamp。注意，在Windows系統第一次重啟后，這個OSX分區就沒有了。
7、設置Bootcamp
BootCamp安裝完成后，可以直接重啟然后設置BootCamp，也可以先不重啟，直接去設置BootCamp。
點開右下角電池旁邊的三角，然后在Bootcamp的圖標上點擊右鍵，進入Bootcamp控制面板。可以根據自己的喜好去設置鍵盤和觸控板。我一般是這么設置：
輔助單擊選擇右下角，則按觸控板右下角的時候相當于點鼠標反鍵，比較符合Windows 的使用習慣。
至此，Macbook里的Windows安裝和設置基本完成，剩下就是裝各種軟件了。
總結一下：
1、在Macbook里安裝Windows，蘋果操作系統要升級到Mojave系統以上（寫此文安裝的兩款筆記本都是2016年的，之前的老Macbook可能還是老方法），否則無法安裝4G以上的Win10鏡像；
2、首次進入Windows桌面就要去虛擬的那個安裝盤去安裝BootCamp，各種驅動都在里面。如果沒安裝就重啟，就悲劇了。
感覺現在Macbook裝Windows真是越來越簡單。
者 | 菟狐（酷友）
TNT go 與 iPad 、PC 之間并不是取代關系，而是互補的關系。各自都有其不可替代的優勢，就目前看來短時間內它們也不會相互取代。 而 TNT go 形態優于安卓平板，具體原因且看后文分析。
注：本文基于 TNT go 有線版體驗，相較無線版有部分功能被閹割，一切內容僅供參考。本文僅在酷安發布，轉載請注明出處。
Q: TNT go 是什么樣的存在，怎么長得那么像 Surface ？性能怎么樣？
A: TNT go 本質上是一塊便攜的觸摸屏，本身沒有任何的運算與儲存能力。只是這塊屏幕附帶了一些諸如鍵盤、攝像頭等硬件，比普通的顯示器多了一些功能。
Q: TNT go 有什么用？
A: 顯示器當然是拿來顯示東西用的！僅此而已。至于衍生出來的用法感興趣可以看下文，不感興趣點個贊就可以關掉這篇文章了。
Q: 既然是顯示器的話，TNT go 能夠連接哪些設備？
A: 具體如下：
① 連接 Windows 10 系統的電腦：除了作為一般的顯示器以外，還能使用觸摸屏、鍵盤、揚聲器、麥克風、攝像頭、手寫筆，是能夠使用硬件功能最多的連接方案，也是大部分人購買此設備的主要理由。
② 連接 堅果手機: SMARTISAN OS 自帶特制的 TNT 系統，基于安卓，算力與儲存依舊在手機上進行，能使用觸摸屏、鍵盤、手寫筆。
③ 連接 鴻蒙手機：連接成功后可以手動選擇模式，有線版只能使用屏幕鏡像模式（也就是復制屏幕，可觸控），無線版則可以觸發鴻蒙的電腦模式。
④ 連接 其他安卓手機：三星可觸發 Dex ，其他安卓手機只能屏幕鏡像或者干脆沒反應。
⑤ 連接 iPad Pro （Type-C 接口）：只能使用屏幕鏡像模式，并且屏幕比例與 iPad Pro 一致。
⑥ 連接 MacBook Pro ：只能起到顯示效果，不能觸控，不能使用一切硬件。
⑦ 連接 游戲機 ： 由于我手頭沒有游戲機，不能實測。不過看了很多用戶的反應，目前 Play Station 系列可以直接用， Switch 目前還用不了。如有錯誤望諒解（
Q：重量？續航？
A：帶鍵盤之后大概是我 iPad 的兩倍重，只適合放著用，不太適合捧著用（因為背面也不平）。由于有線版無法查看電量，續航方面的話真不太清楚。不過這個充電功率最高 35W，10160mAh 電池，平時養成閑置就充的習慣倒也不必續航焦慮。
Q: 會推薦給什么樣的人群購買？
A: 不會給任何人推薦！這種沒啥大用的東西只能是「我買我樂意，你買我不推薦」。
原鴨
堅果以顏色來區分版本，黑色的有線版和綠色的無線版。考慮到只有 堅果 R2 能使用無線版，作為 堅果 Pro 3 用戶的我購買了便宜幾百塊的有線版。
有線版的包裝里面包含 TNT go 本體、磁吸鍵盤、很短的投屏線、一個最高功率 55W 的快充頭帶一條雙 Type-C 的充電線。相較于無線版少了手寫筆和擴展塢。
網上看到別人說：“有線版與無線版的區別僅僅是能否無線連接，其他方面沒有區別”，到手后才發現他簡直是無機之談。
在我使用有線版配合 堅果 Pro 3 使用的這段時間內，發現了以下功能慘遭閹割：
1. 連接堅果 Pro 3 不能使用屏幕的揚聲器，無法查看電量。
2. 不能調節屏幕亮度，會提示「暫不支持該設備亮度的調節」，只能全程全亮度使用。
3. 有線版無法觸發鴻蒙的電腦模式（測試機華為 P40 Pro，手機端顯示虛擬觸控板，但是 tnt 屏幕無法正常顯示）
陽光下亮度不太夠
TNT go 配備了一塊 12 英寸， 2160 x 1440 分辨率的 3：2 IPS 觸控屏，刷新率 60Hz，最高亮度 345 尼特，室外陽光下較難看清屏幕，室內的話全亮度又會有些過亮，有線版調不了亮度就很氣。這塊 2k 屏細膩度很不錯，字體不發虛。
兩個直角邊框相依為命
黑色的機身低調大方，直角邊框似乎更強調了工作屬性，灰色的磁吸鍵盤裝上之后商務風更為濃烈。正面邊框四邊等寬，屏占比也很高，拿在手上很像全面屏的 iPad Pro 。裝上磁吸鍵盤，卻又像 Surface Book 了。
沒啥大用的攝像頭
屏幕上方為攝像頭以及倆麥克風，不過只有連接 Windows 10 的時候能起作用。諸如 QQ 視頻通話、微信視頻通話、飛書視頻會議等都不能使用該攝像頭，依舊是調用手機的前置攝像頭。
兩邊邊框為倆揚聲器，連接 PC 能用，音質還不錯，也有立體聲。
倆 Type-C 接口
右側邊框下方為兩個 Type-C 接口，上面的為帶視頻傳輸的全功能 Type-C 接口，下方為供電的 Type-C 接口。不得不吐槽一下接口也太少了，就算不多給一個全功能 Type-C ，給個 3.5mm 耳機接口也行啊，現在非得用藍牙耳機才能茍活。
屏幕的支架通過粘膠貼在 TNT go 后面，粘貼完畢之后很牢固，不方便再次將其取下。支架的背后有個小凹槽，可以收納附贈的短線。
而鍵盤是通過磁吸的方式通過觸點與機身相連接，磁吸力度很大，拿著屏幕搖晃都比較難將其晃掉。由于收納凹槽的緣故，該鍵盤不能翻過來完全貼合后蓋。
無法完全翻過來
鍵盤手感挺不錯，鍵程較短，相較于薄膜鍵盤回彈有力，感覺和 MacBook Pro 2018 的鍵盤有點相似。
最上面一排還有諸如返回、應用列表、后臺管理、音量調節、屏幕截圖這些快捷功能，使用期間確實能提升效率。
為了適配不同平臺的系統，該鍵盤特意設計了「錘子鍵」，連接 win 系統的時候充當「win 鍵」，在連接 mac 系統的時候充當 「cmd 鍵」。
在 TNT 系統內，能使用 windows 邏輯的諸如 「 Ctrl + c 」的這類快捷鍵，在文本的處理、文件的移動等方面提供了很大的便捷性。
鍵盤還有一個「語音按鍵」，完美繼承了 TNT “Touch and talk” 的精髓。在能輸入文本的地方按下這個鍵，就可以直接進行語音輸入。這在一些安靜的情況下，會比直接打字方便很多，而且調用的是訊飛的語音識別，準確率還是非常高的。磁吸按鍵的大小和排布與一般都鍵盤別無二致，幾乎不會有不適應鍵位的情況。（點名批評小米游戲本的陰間按鍵排布）。
除了鍵盤之外，還配有一塊觸控板。我此前一直都是鼠標的忠實用戶，向來都是對觸控板不屑一顧。可是在體驗過 TNT go 的觸控板后還是把我的藍牙鼠標拋棄掉了。雙指輕觸呼出右鍵菜單；雙指上下、左右滑動滾動；三指拖拽移動窗口；四指上滑打開多任務，四指下滑最小化窗口…… 這些操作看起來復雜，但其實只要用了一兩次就得心應手了。觸控板可按壓，邏輯和長按鼠標的正鍵一致，觸控區域為面板的下四分之三的范圍。
沐浴更衣，小心翼翼地端起 TNT go ，“啪 ——” 讓其與鍵盤牢牢地結合，平放在桌前，使其以一個舒適的角度安穩地站立。掏出一根又粗又壯的 USB 3.2 gen2 雙 Type-C 口數據線，對準信號輸入洞口，小心翼翼地接入。那一刻，我打開了新世界。
這是一個高度定制化，完成度令人乍舌的便攜系統。
底部為子公司慣用的 DocK 底欄，左下角能快速全局搜索，其有一個很好玩的叫做「發牌手」的功能，能夠同時在百度、頭條、知乎搜索，并將結果像是一張張撲克牌一樣展現在你眼前。
右下角能快速打開閃念膠囊，功能類似堅果的實體按鍵，長按說話直接創建閃念膠囊。類似 “晚上十一點提醒我修圖” 這類帶時間和內容的語句，系統則會設置一個一次性的內容為 “修圖” 的鬧鐘。鬧鐘相比于日程穩定性大大增強，根本不擔心日程被殺掉后臺導致錯過事件。
點擊事件和電量模塊進入控制中心，上方為一些開關，下方則為通知。通知欄會顯示手機的電量，無法查看 TNT go 本身的剩余電量。可以選擇打開手機靜默模式，打開后所有通知都會通過 TNT go 通知而不點亮手機屏幕。
TNT 的桌面本質上是一個叫做「Desktop」的文件夾，可以把應用、文檔、圖片等扔到桌面便于打開。放了圖標的桌面再配上鍵盤，和 Surface 相比不能說毫不相關，只能說完全一致。
得益于安卓的開放性， TNT 有很成熟的文件管理系統，可以很輕松地在不同文件夾中移動、復制文件。
就憑能自由管理文件這一點簡直完爆封閉的 iPad OS 幾條街了。
判斷是否有生產力，并不是單單將屏幕做大就行得通的，而是要看系統如何利用大屏幕。
PC 和移動端最大的區別在哪，那當然是能同時處理多應用的便捷性，這就引出了窗口化的必要性。
便簽 + 酷安 + 網易云 + QQ＋相冊＋文件管理
TNT 的邏輯和 PC 一致，每一個應用都是一個獨立的，可自由拖動的，可任意調整大小的活動的窗口！這種重要的思維的轉變直接改變了使用邏輯。
雖然 iPad 能左右分屏，還能拖個懸浮小窗 ；華為平行世界能有效利用另一半屏幕查看子級頁面，但是它們和 TNT 相比還是遜色的不止一星半點。雖然可以通過底部左右滑動等手勢快速切換應用，但 TNT 的優勢在于自由、便捷、高效，同時打開多個軟件、查看多個頁面這些都是基操，更夸張的是幾乎不存在應用的適配問題。
打開未適配的應用默認是手機大小，對于軟件來說 dpi 之類的數值與手機無異，毋庸置疑是不存在問題的。對于窗口化的軟件，可以將其等比無損放大，對一些橫屏軟件還能將其 dpi 適配拉伸到全屏幕，不會出現畫質損失、比例失調等情況。
除了窗口的自由性之外，窗口之間的互聯做得也很優秀。Smartisan OS 里面的「一步」便是將這種應用間的文件交互給下放到了手機端。不同的窗口間可以直接拖拽圖片或文件進行保存、分享、發送。例如在瀏覽器看到一張喜歡的圖片想要分享，可以直接拖到 QQ 的會話界面窗口發送圖片。（* 注：可以通過此功能保存 QQ 閃照）
如之前所說，TNT go 沒有任何運算能力，只是一個顯示載體。所有應用的數據儲存在手機中，算力全部由手機提供。我認為這一點正是【 TNT 系統】優于【安卓平板】的緣由。
手機是安卓系統，TNT 也基于安卓，開放性和自由度都很高。很多應用例如 QQ 微信，都不支持兩臺安卓設備同時登陸（若是要拿土間埋了 114514 年的 QQ HD 來杠我也沒辦法）。用 TNT 的話就不會有這方面的顧慮，數據無縫同步，所有安裝在手機上的應用插上即用，無需經歷額外的下載、登陸、收驗證碼、擠號的過程。
安卓平板如果不能插卡的話，出門在外還得用手機開個熱點才能聯網。而 TNT 直接插上就有網絡用了，不僅省去了開熱點消耗的電量，還能反向為手機充電。
安卓平板終究還是大號的手機，沒有底層適配還是會導致應用拉伸，比例失調。反觀 TNT 這邊，不會出現適配問題，而且還會特意為一些應用適配 TNT 系統，例如飛書、百度網盤、Snapseed 等，大大優化了使用體驗。
適配了 Snapseed 等應用
TNT 內置瀏覽器基于 Chrome 內核，直接帶來了 PC 級的使用體驗。這個瀏覽器甚至能直接安裝 Chrome 的插件，帶來更舒心的瀏覽器體驗。
bili 助手很好用
就瀏覽器這方面而言，TNT 已與 PC 沒有了任何差距。
TNT 內的 b 站網頁
Windows 10 內的 b 站網頁
所以諸如嗶哩嗶哩、知乎、微博、P 站、油管此類網頁端用著更爽的應用我直接拖動到桌面了，有需要直接點開，免去了下載 APP 的煩惱。
TNT 系統內僅支持錘子輸入法，不能換皮膚我忍了，但是云聯想的候選詞放在第二個真的很搞心態。
每次打一些候選靠后一些的詞總會因為云聯想詞的加載問題選不上。其他家的云聯想都是作為單獨的詞在輸入法上方的，不會改變已經出現的詞的順序。
關于「返回」這一高頻操作，這里稍微缺德一下 iOS ，都 2021 年了還沒側邊返回。在 TNT 系統里，在屏幕左邊緣向內滑可以返回，鍵盤上的 ESC 可以返回，觸控板左邊緣向右滑也可以返回，怎么爽怎么來，根本不用憋屈地找界面的返回按鈕。
有 PC ，有外接顯示器，有配了 Apple Pencil 的 iPad ，有多個安卓手機的我為什么買 TNT ？其實我也不知道，估計只是上頭圖一樂罷了。于是我分享一下用到它的一些場景吧。
一、看文檔、視頻：
自從有了 iPad 之后我便開始了無紙化學習，Apple Pencil 目前還是處于無敵手的存在。預習嘛，看網課免不了要動手，于是 iPad 成為了類似電子紙一樣的存在，主要承擔涂涂畫畫的工作。這意味著我只能用小屏幕看網課、看答案、看文檔，這忍不住，于是就買了。
對了，安卓看 PDF 的話個人推薦使用「 Xodo 」，勾勾畫畫啥的體驗很棒。
iPad 打草稿我用「無限草稿」，無限大的紙怎么蹂躪都很爽。
二、輕量化文本編輯：
不知為啥咱總是喜歡時不時寫點東西（就比如這篇文章），所以買它的另一個理由就是有自帶的鍵盤！雖然之前用羅技 K380 配合 iPad 也能用，但是還是帶觸控板的原裝鍵盤用著比較舒心。裝上鍵盤，先不提別的，光是這個外觀就已經生產力爆棚了有木有！
iOS 端我喜歡用 「 Metion 」進行文字編輯，而安卓這邊目前還找不到喜歡的，現在用的「錘子寫作」。
搭配上深度適配的 Snapseed ，對圖片能進行簡單的處理，毋庸置疑這已經足以應付普通的圖文的創作了。
三、吃飯的時候看視頻：
不知道你們有沒有這種經歷，和男朋友出去吃飯，突然在 b 站刷到了挺想看的視頻，屏幕太小一起看會顯得有些寒酸。
兩只豬居然干完了這頓
接上 TNT ，收起鍵盤，在更大的屏幕上可以一起看視頻啥的，還是挺舒服的。如果桌子比較大放得比較遠不方便觸屏的話，還可以用堅果手機當虛擬觸控板來控制，美滋滋。
（以及打 maimai 排隊的時候看手元）
四、打游戲（？
這個不是主要需求，僅僅當做整活來玩。連接手機之后，你就擁有了一塊可以拿來打游戲的大屏幕。玩玩原神那種休閑游戲就算了，我甚至拿來打音游！要知道，音樂游戲對延遲要求非常高，一丁點屏幕采樣率、刷新率的波動都會對游玩體驗造成影響。于是我打開了能去 TapTap 下載的最新最熱的免費音游「Phigros」，直接挑戰魔王曲，一發入魂 Full Combo 。
結論就是連接安卓手機幾乎沒有延遲，不影響打音游。只不過屏幕的敲擊感和 iPad 有些區別， iPad 感覺屏幕有一點軟軟的，這個 TNT 的敲擊感和直接去敲玻璃差不多。
由于我的電腦 Type-C 接口不附帶視頻輸出，于是我到綠聯買了一條 HDMI 公 Type-C 母的轉接線，再用一條帶數據傳輸功能的 micro-USB 數據線連接電腦和轉接線，這樣就能使用完全形態的 TNT go 了。顯示、觸控、攝像頭、揚聲器等一切正常。
于是我打開了「 OSU 」，妄圖將電腦端音游轉換為我更擅長的移動端玩法。
結果是 Windows 10 把我識別為觸屏顯示器了，長按就等同于反鍵，而音游又有很多需要長按的配置，相當于帶 Hold 的都會 Miss 掉。再加上微軟的觸屏機制問題，快速的交互斷觸會很嚴重，最后我的心態被各種斷觸問題摧殘得放棄了用 TNT 在電腦上打音游的想法。
五、遠程控制 Windows 系統
作為苦逼的數統學子，我時不時有 Matlab 要跑，可是又不想帶著又厚又重的筆記本到處跑，那咋辦咧？我這里有兩種遠程控制的方法供大家參考：
懶得配圖了，大概這個意思
1. 使用微軟自家的遠程軟件 RD Client ，通過內網穿透實現遠控效果。具體的方法大家可以在酷安看其他酷友寫的教程：【讓距離不再是障礙——微軟遠程桌面連接 來自 不以數字開頭的名字 - 酷安】。
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這種方法的優點是屏幕 DPI 適配，能根據屏幕的分辨率鋪滿屏幕。
缺點是 2k 的分辨率有點難帶動，對網絡環境要求比較苛刻。若網絡波動較大，則存在斷連的風險。
2. 使用向日葵等遠控軟件。雖說畫質沒有 RD 這么高，沒有 dpi 適配，只是將電腦的屏幕直接投影過來，但是其勝在穩定。對于臨時要用 Windows 救急也夠了。
假裝更了 win 11
超前一步是先驅，超前兩步是烈士。我無意吹捧錘子科技多么多么強，多么多么可憐，我們都是消費者，沒有理由為廠商辯護，也沒有必要為了一些雞毛蒜皮吵個不停。
TNT 的一切，看起來似乎非常美好。我愛它的便攜，愛它的應用無縫使用，愛它的交互邏輯。搭配上堅果手機的 TNT 系統，它幾乎是最完美的安卓平板。當然，前提是搭配堅果手機，手機廠商沒有適配的話生產力就無從談起。
從三星的 DEX 模式，到鴻蒙的電腦模式，再到蘋果部署 M1 芯片，我們可以看到廠商開始逐漸在這方面發力，探索未來硬件的合理形態。
我相信，未來硬件的形態一定是由一個核心硬件帶動其他功能簡單硬件實現復雜化、專一化的事。期待幾年后再回來看這段話能有新的感觸。
感謝 TNT go ，讓我提前窺見了未來。
—————— 全文完。
特別鳴謝：@Lin_morzen
導體碳化硅(SiC)是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結構單元為 Si-C 四面體。而碳化硅(SiC)晶體，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。選擇碳原子（硅也可以）形成最緊密堆積層，叫做A層。這時候會有兩種位置放置下一層硅原子，上三角形的B位置或者下三角形的C位置。如果填在B位置上，就把下一層叫做B層；如果填在C位置上，就把下一層叫做C層。
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舉個例子，Si原子直徑大，相當于蘋果，C原子直徑小，相當于橘子，把數量相等的橘子和蘋果堆在一起就成了SiC晶體。
SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個間距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻機光刻精度3nm，就是30?的距離，光刻精度是原子距離的8倍。
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。
Si-C 鍵原子間距為 1.89 ?， 鍵能大小為 447 kJ/mol。
從鍵能上可以看出相較于傳統的硅基半導體材料，碳化硅基半導體材料化學性質更加穩定。
從圖中看出任意一個C原子都與最鄰近的四個Si原子相連，反之任意一個Si原子都與最鄰近的四個C原子相鍵連。
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SiC 晶體結構還可以采用層狀結構方法描述，如圖所示，晶體中的若干C原子均占據在同一平面上的六方格位點中，形成一個C原子密排層，而Si原子也占據在同一平面上的六方格位點中并形成一個Si原子密排層。
C原子密排層中的每一個C都與最鄰近的Si相連接，反之Si原子密排層也相同。每兩個相鄰的 C、Si原子密排層構成一個碳硅雙原子層。
SiC晶體的排列組合形式十分豐富，目前已發現的SiC晶型達 250 多種。
這個類似俄羅斯方塊，雖然最小單元方塊都一樣，但方塊組合在一起后，就拼成出了不同形態。
SiC的空間結構比俄羅斯方塊稍微復雜點，它的最小單元從小方格變成小四面體，由C原子和Si原子組成的四面體。
為了區分 SiC 的不同晶型，目前主要采用 Ramsdell 方法進行標記。該方法采用字母與數字相結合的方法來表示SiC 的不同晶型。
其中字母放在后面，用來表示晶體的晶胞類型。C 代表立方晶型(英文Cubic首字母)，H 代表六方晶型(英文Hexagonal首字母)，R 代表菱形晶型(英文Rhombus首字母)。數字放在前面，用來表示基本重復單元的Si-C雙原子層的層數。
除2H-SiC與3C-SiC外，其它晶型均可視為閃鋅礦與纖鋅礦結構的混合體，也就是密排六方結構。
這里提一句，什么是密排六方結構呢？生活中見到的密排方式是下圖這樣，半導體材料也一樣，原子與原子之間也是采用密排方式排列。
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我們都知道：任何物質都是由原子組成的，晶體的結構是有規律的原子排列，人們稱作為長程有序，像下面這樣。把最小的晶體單元稱為晶胞，如果晶胞是立方結構稱為密排立方，晶胞是六方結構，稱為密排六方。
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常見的 SiC 晶型有3C-SiC、 4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC 等，它們在 c 軸方向的堆垛順序如圖所示。
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其中4H-SiC的基本堆垛順序為ABCB…；6H-SiC 的基本堆垛順序為ABCACB…；15R-SiC 的基本堆垛順序為ABCACBCABACABCB…。
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這個可以看成建房子用的磚塊，有點房子磚塊有3種擺放方式，有的有4種擺放方式，有的有6種。
這些常見SiC晶型的基本晶胞參數如表所示：
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表中的a、b、c和角度是什么意思呢？描述的是SiC半導體中最小單元晶胞的結構，是下圖這樣：
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在晶胞相同的情況下，晶體結構也會存在差異，這就好比我們買彩票，中獎的號碼是1、2、3排列，你買了1、2、3三個號碼，但是如果號碼的排序不同，中獎的金額也不同，所以要數字和順序一樣的晶體，才能稱作是同種晶體。
下圖是典型的兩種堆積方式，只是上層原子堆積方式差異，晶體結構就存在差異。
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SiC具體形成的晶體結構與溫度具有強相關性。在1900~2000 ℃的高溫作用下，3C-SiC 因為本身結構的穩定性較差，會緩慢轉化為如6H-SiC 的六方SiC多形體。正是因為SiC多型體生成概率與溫度之間具有強相關性，和3C-SiC自身的不穩定性，所以 3C-SiC 的生長速率難以提高，制備難度大。而六方晶系的4H-SiC、6H-SiC 是最為常見的且較為容易制備，并且由于其本身的特性的目前被廣泛研究。
這里還要指出SiC晶體不同晶型雖然具有相同的化學配比和基本重復單元，但由于排列方式的的不同，其物理性質，如帶隙、載流子遷移速度、擊穿場等具有較大差異，如表下表所示，為多種半導體材料主要電學參數對比：
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SiC 晶體中 Si-C 鍵的鍵長只有 1.89?，但結合能高達4.53eV，因此，其成鍵態和反鍵態間能級差距很大，可以形成很寬的禁帶，是 Si 和 GaAs 的數倍，更高的禁帶寬度意味著高溫晶體結構穩定，因此，相關的功率電子器件可實現高溫工作穩定、簡化散熱結構的特點。
而 Si-C 鍵的緊密結合使得晶格有很高的振動頻率，即有高能量的聲子，這意味著 SiC 晶體擁有很高的飽和電子遷移率和熱導率，相關電力電子器件也就具有更高的開關速度和可靠性，這減小了器件過溫失效的風險。此外，SiC 更高的擊穿場強使其可以做到更高的摻雜濃度，并擁有更低的導通電阻。
SiC晶體發展歷史
1905 年，Henri Moissan 博士在隕石坑中發現了天然 SiC 晶體，他發現這種晶體酷似金剛石，并將其命名為莫桑鉆。
其實早在1885年Acheson就通過將焦炭與硅石混合后在電熔爐中加熱的方法獲得了SiC。當時人們誤認為這是一種鉆石的混合物，并稱之為金剛砂。
到了1892 年，Acheson改進了合成工藝，他將石英砂、焦炭、少量木屑和NaCl混合均勻后放在電弧爐中加熱到 2700℃， 并成功的獲得了鱗片狀的 SiC 晶體。這種合成SiC晶體的方法被稱為 Acheson法，至今依然是工業上生產 SiC 磨料的主流方法。Acheson 法由于合成原料純度低，合成過程粗糙，其生產的SiC雜質較多，結晶完整性差，晶體直徑小，難以滿足半導體行業對于大尺寸、高純度、高質量晶體的要求，不能用于制造電子器件。
飛利浦實驗室的 Lely 于 1955 年提出了一種新的生長 SiC 單晶的方法。該方法采用石墨坩堝作為生長容器，SiC 粉晶作為生長 SiC 晶體的原料，使用多孔石墨將生長原料中心隔離出一個空心區域。生長時在Ar 或 H2 的氣氛條件下將石墨坩堝加熱到2500℃，外圍的 SiC 粉料受熱升華分解為 Si、C 氣相物質， 并隨著氣體流動穿過多孔石墨被傳輸到空心區域內后，在中間的空心區域內進行SiC 晶體生長。
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SiC晶體生長技術
SiC 的本身特性決定了其單晶生長難度較大。這主要是由于在常壓下沒有化學計量比為 Si : C=1 : 1 的液相存在，并不能采用目前半導體工業主流所采用的 生長工藝較成熟的生長法——直拉法、降坩堝法等方法進行生長。經理論計算， 只有當壓強大于 10E5atm，溫度高于3200℃的情況下，才可以得到化學計量比為 Si : C=1 : 1 的溶液。為了克服這一難題，科學家們經過不懈努力提出了各種 方法以獲得高結晶質量、大尺寸、廉價的 SiC 晶體。目前比較主流的方法有 PVT 法、液相法以及高溫氣相化學沉積法等。
物理氣相傳輸法
物理氣相輸運（PVT）法起源于 1955 年由 Lely 發明的氣相升華技術，將SiC 粉料置于石墨管中加熱至高溫使得 SiC 粉料發生分解升華，再對石墨管進行降溫處理，SiC 粉料分解后的氣相組份在石墨管的四周沉積結晶為 SiC 晶體。盡管這一方法難以獲得較大尺寸的 SiC 單晶，并且石墨管內的沉積過程難以控制，卻給后續的研究者提供了思路。
俄羅斯的 Y.M.Tairov 等人在此基礎上開創性的引入了籽晶的概念，解決了 SiC 晶體晶型、形核位置不可控制的問題。后續的研究者們不斷改進并最終發展為今天工業化使用的物理氣相傳輸（PVT）法。
物理氣相傳輸法作為發展最早的 SiC 晶體生長方法，是目前生長 SiC 晶體最為主流的生長方法。該方法相較其它方法對生長設備要求低，生長過程簡單，可控性強，發展研究較為透徹，已經實現了產業化應用。目前主流的 PVT 法生長晶體的結構如圖所示。
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通過控制石墨坩堝外部保溫條件可以實現對軸向與徑向溫場的調控。將 SiC 粉料置于溫度較高的石墨坩堝底端，SiC 籽晶固定在溫度較低的石墨坩堝頂。一般控制粉料與籽晶之間的距離為數十毫米以避免生長的單晶晶體與粉料接觸。溫度梯度通常在15-35℃/cm區間范圍內。爐內會保留50-5000 Pa 壓強的惰性氣體以便增加對流。這樣在通過感應加熱的方法將SiC粉料加熱到 2000-2500℃后，SiC粉料會升華分解為Si、Si2C、SiC2 等氣相成分，隨著氣體對流被運輸到籽晶端，并在籽晶上結晶出SiC 晶體，實現單晶生長。其典型的生長速率為0.1-2mm/h。
PVT 法的工藝重點在于控制生長溫度、溫度梯度、生長面、料面間距和生長壓力，它的優勢在于其工藝相對成熟，原料容易制得，成本較低，但是PVT 法生長過程難以觀察，晶體生長速度為 0.2-0.4mm/h，難以生長厚度較大（>50mm）的晶體。經過數十年的不斷努力，目前 PVT 法生長 SiC 襯底晶片的市場已經十分巨大，每年 SiC 襯底晶片產量可達幾十萬片，其尺寸正逐步從 4 英寸換代到 6 英寸， 并已經開發出了 8 英寸 SiC 襯底晶片樣品。
高溫化學氣相沉積法
高溫化學氣相沉積法(High Temperature Chemical Vapor Deposition，HTCVD)是一種基于化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)的改進方案。該方法首先由瑞典 Link?ping 大學的 Kordina 等人于 1995 年提出。
其生長結構示意圖如圖所示：
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生長時通過感應線圈將生長室加熱到 1800℃-2300℃，通過向生長室內穩定地通入 SiH4+C3H8 或 SiH4+C2H4 氣體為晶體生長提供 Si 源與 C 源。這些氣相物質通常以 He 或 H2 作為載氣，發生化學反應后生成 SiC，并在籽晶處實現 SiC 晶體的生長。
HTCVD 法作為一種采用氣相源供料的生長方法可以很好地控制生長過程中的氣相成分，保證原料供應充足，同時相比于一般的CVD 法具有更高的生長速度，可達 0.3-0.6 mm/h，可以滿足塊體 SiC 晶體生長需要。
但是使用氣相原料大大提高了生長成本。相關研究的不充分也使得目前生長工藝尚不成熟，晶體缺陷較高。采用 HTCVD 法生長 SiC 晶體依然處于研發階段，在未來該方法有望成為一種大尺寸高質量SiC 晶體的生長方法。
液相法
液相法生長 SiC 晶體由于更接近熱力學平衡條件，有望生長出質量更好的SiC 晶體。近年來日美等高校與公司開展了大量 SiC 晶體液相法生長的研究，名古屋大學、東京大學和豐田、新日鐵住金、LG 等企業公司相繼投入了大量資金進行相關的技術產業研發，使得液相法生長SiC 晶體技術不斷推進，受到更多的關注。
目前液相法已經成功實現了 2 英寸 SiC 單晶的生長，其生長晶體質量與 PVT 法生長的晶體質量相當。
采用液相法 4 英寸 SiC 晶體的研究也在快速推 進中。液相生長中的一些關鍵問題，如助溶液包裹、生長面不穩定等問題也逐步的到了改善。下圖是日本豐田公司頂部籽晶液相法生長 SiC 晶體爐內結構示意圖。爐內的加熱方法采用感應加熱，生長溫度約為2000℃，生長壓力為 150 KPa。
采用 Si 與 Cr 按照摩爾比為 4 : 6 的混合溶液作為助溶液。其獲得的 4H-SiC 晶體直徑為 2 英寸，厚度可達 10 mm，如圖所示：
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液相法生長 SiC 晶體時，助溶液內部的溫度與對流分布如圖所示：
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可見助溶液內靠近坩堝壁處的溫度較高，而籽晶處的溫度較低。在生長過程中，石墨坩堝為晶體生長提供C源。由于坩堝壁處的溫度高，C的溶解度大，溶解速度快， 所以在坩堝壁處就會進行C的大量溶解，形成C的飽和溶液。這些溶解了大量C的溶液會隨著助溶液內的對流被傳輸到籽晶下方。由于籽晶端的溫度較低，對應C的溶解度相應降低，原本C飽和的溶液被傳輸到低溫端后在該條件下就形 成了C的過飽和溶液。溶液中過飽和的C結合助溶液中的Si就可以在籽晶上外延生長SiC晶體。當過飽和部分的C析出后，溶液隨著對流回到坩堝壁處的高溫端，并再次的溶解C，形成飽和溶液。
整個過程循環反復，進行著SiC晶體的生長。在液相法生長過程中，C 在溶液中的溶解與析出是生長進行中一個十分重要的指標。若想保證晶體生長可以穩定的進行，需要 C 在坩堝壁處的溶解與在籽晶端的析出保持平衡。若 C 溶解大于 C 析出，則晶體中 C 逐漸富集，就會產生 SiC 自發成核；若 C 溶解小于 C 析出，晶體生長就會由于溶質不足而難以進行。
同時，對流對于C的運輸同樣會影響生長過程中C的供應。若要生長出晶體質量足夠好且厚度足夠的 SiC 晶體就需要保證以上三項相互平衡，這也就極大地增加了 SiC 液相生長的難度。但隨著相關理論與技術的逐步完善與改進，液相法生長SiC晶體的優勢將逐步展現。
目前，日本已經可以實現2英寸SiC 晶體的液相生長，4英寸晶體的液相生長也正在研發中。國內相關研究目前尚未見較好成果，相關研究工作的跟進十分必要。
SiC 晶體的物理化學性質
SiC 晶體內部的原子均由共價鍵所連接，使得SiC具有高達1200K-1430 K的德拜溫度，這也就決定了SiC具有極高的穩定性，在力學、熱學、化學等方面具有優良的性質，具體表現如下：
(1) 力學性質：SiC晶體具有極高的硬度與良好的耐磨性質。其莫氏硬度在9.2-9.3 之間，克氏硬度在2900-3100Kg/mm2 之間，是目前已發現的材料中僅次于金剛石的晶體。由于SiC力學上的優秀性質，粉晶SiC常被用于切割或磨拋工業，年需求量高達上百萬噸。一些工件上的耐磨涂層也會采用SiC 涂層，例如山東艦甲板上的耐磨涂層就是由 SiC 構成的。
(2) 熱學性質：SiC 的導熱系數可達 3-5 W/cm·K，是傳統半導體 Si 的 3 倍，GaAs 的 8 倍。采用 SiC 制備的器件產熱可以快速被傳導出去，由此 SiC 器件對 散熱條件的要求相對較寬松，更適合制備大功率器件。SiC 具有穩定的熱力學性質。在常壓條件下，SiC會在較高溫度下直接分解為含Si與C 的蒸氣，而不會發生熔化。
(3) 化學性質：SiC具有穩定的化學性質，耐腐蝕性能良好，室溫條件下不與任何已知的酸發生反應。SiC長時間置于空氣中會緩慢的形成一層致密 SiO2 薄層，阻止進一步的氧化反應。當溫度升高到1700℃以上后，SiO2 薄層熔化并迅速發生氧化反應。SiC可以與熔融的氧化劑或者堿發生緩慢的氧化反應，通常將SiC晶片置于熔融的KOH與Na2O2 熔液中腐蝕，用于表征 SiC 晶體中的位錯 。
(4) 電學性質：SiC作為寬禁帶半導體的代表材料，6H-SiC 和 4H-SiC 的禁帶寬度分別為 3.0 eV 和 3.2 eV，是 Si 的 3 倍，GaAs 的 2 倍。采用 SiC 制備的半 導體器件具有較小的漏電電流，較大的擊穿電場，所以 SiC 被認為是大功率器件 的理想材料。SiC 的飽和電子遷移率也比 Si 要高 2 倍，在制備高頻器件上也具有明顯優勢。通過晶體中雜質原子的摻雜可以獲得 p 型 SiC 晶體或者 N 型 SiC 晶體。目前實現 p 型 SiC 晶體主要通過 Al、B、Be、O、Ga、Sc 等原子的摻雜，N 型主要通過 N 原子摻雜。摻雜濃度與類型的不同將對 SiC 的物理化學性能產生巨大影響。同時通過 V 等深能級摻雜還可以對自由載流子實現釘扎，提高電阻率，得到具有半絕緣性能的 SiC 晶體。
(5) 光學性質：由于具有較寬帶隙，無摻雜的 SiC 晶體呈無色透明。摻雜后的 SiC 晶體由于其性質的不同表現出不同顏色，例如：摻雜 N 后，6H-SiC呈現綠色；4H-SiC 呈現棕色；15R-SiC 呈現黃色。摻雜 Al 后，4H-SiC 呈現藍色。通過觀察顏色的不同來確定晶型，是一種較直觀的分辨 SiC 晶型的方法。隨著近二十多年來對 SiC 相關領域的不斷研究，相關技術取得了巨大的突破。
SiC發展現狀介紹
目前 SiC 產業已經日趨完善，從襯底晶片、外延片到器件制作、封裝，整條產業鏈已經成熟，可以向市場供應SiC 相關產品。
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目前，國外主要的 SiC 襯底晶片生長公司有美國 Cree 公司、美國Ⅱ-Ⅵ公司、德國 SiCrystal 公司、日本 Nippon steel 公司等。國內相關產業雖然起步較晚，但經過科研人員的不斷刻苦攻關，突破外國的技術封鎖，也涌現了一大批擁有自主知識產權、技術處于國際領先水平的公 司，主要有天科合達、山東天岳、世紀金光等公司，年產晶片規模可達上萬片。
Cree 公司作為 SiC 晶體生長行業的領導者，其 SiC 襯底晶片的尺寸與質量都處于領先地位。目前Cree公司的年產 SiC 襯底晶片數量達 30 萬片，占全球出貨量的80%以上。
2019 年 9 月，Cree 宣布將在美國紐約州增建新工廠，該工廠將采用最先進的技術用以生長直徑200 mm 的功率和射頻 SiC 襯底晶片，表明其 200 mm SiC 襯底晶片材料制備技術已日趨成熟。
目前市場上 SiC 襯底晶片的主流產品以 2-6 英寸的 4H-SiC 和 6H-SiC 導電型和半絕緣型為主。
2015 年 10 月，Cree 率先推出了 N 型和 LED 用的 200 mm SiC 襯底晶片，標志著 8 英寸 SiC 襯底晶片開始向市場化推進。
2016 年，羅姆公司開始贊助 Venturi 車隊，并在賽車中率先使用了 IGBT + SiC的 SBD 組合以取代傳統 200 kW 逆變器中的 IGBT + Si 的 FRD 方案。改進后，逆變器在保持功率不變的前提下，重量降低 2 kg，尺寸減小19%。
2017 年進一 步采用 SiC 的 MOS + SiC 的 SBD 后，不但重量降低了 6 kg，尺寸減小 43%，逆 變器功率也由此前的 200 kW 上升至 220 kW。
2018 年特斯拉(Tesla)公司在其 Model 3 產品的主驅逆變器中采用了 SiC 基器件之后，示范效應被迅速放大，使 xEV 汽車市場很快成為 SiC 市場興奮的源泉。隨著 SiC 的成功應用，其相關市場產值也快速崛起。
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結論：
隨著 SiC 相關產業技術的不斷完善，其成品率、可靠性將會進一步提高，SiC器件價格也將得到降低，SiC 的市場競爭力將得到更加明顯的體現。未來，SiC器件將更廣泛地被應用到汽車、通訊、電網、交通等各個領域，產品市場將更加寬廣，市場規模也會進一步擴大，成為國民經濟的重要支撐。