么是內存條頻率？內存條頻率，也叫做主頻，是指內存條每秒鐘可以進行的讀寫操作的次數，單位是兆赫茲（MHz）。
內存條頻率是內存條的物理屬性，一般在內存條上會有標注，比如常見的8G DDR4 3000MHz內存。
這個數字表示這根內存條最高可以穩定工作在3000MHz頻率下，但并不是說最高只支持到3000MHz頻率。
如果你的主板和CPU支持更高的頻率，你可以嘗試超頻到更高的頻率，比如3200MHz或者3600MHz，但這樣做可能會降低穩定性和壽命。
內存條頻率對電腦性能的影響
內存條頻率越高，電腦處理數據的能力就越強，運行速度也就越快。
但是，內存條頻率也不是越高越好，需要根據電腦的實際情況進行選擇。
如果內存條頻率過高，可能會導致電腦不穩定，出現藍屏、死機等問題；如果內存條頻率過低，則會影響電腦的處理速度和運行效率。
如何選擇適合的內存條頻率？
如果電腦主板支持更高的內存條頻率，那么可以選擇更高一些的內存條頻率。
如果電腦主板支持的內存條頻率較低，那么就需要選擇和電腦主板相匹配的內存條頻率。
如果需要處理大量數據，比如進行視頻編輯、3D建模等高性能計算，那么可以選擇更高一些的內存條頻率，以提高電腦的運行速度和效率。
如果只是進行一些日常辦公、網頁瀏覽等基本操作，那么可以選擇較低一些的內存條頻率，以節省成本。
在選擇內存條頻率時，還需要注意和電腦其他硬件的兼容性問題。
如果不兼容，可能會導致電腦無法正常運行。
在選擇內存條時，并不是只看頻率就可以了。還要綜合考慮其他硬件配置和使用需求，并且在性能和價格之間找到一個平衡點。希望這篇文章能夠幫助你更好地理解和選擇內存條頻率。
DR5內存的問世，讓更多人開始關注內存產品在頻率上的更新換代，動輒5000MHz起步的高頻設計，確實在數值上給人以震撼和驚艷，也似乎成為了很多用戶選購內存產品的不二標準。從而忽視了在內存產品中，一個極為重要的參數設計，即時序。
也就是各大內存產品上標注的“40-40-40-77”的一連串數值，有高有低。不同產品的數值，還會出現顯著的差異，幾乎一個產品一個數值；面對這一連串規律不定的數值，很少有人會關注它們的差異和探究它們到底是啥作用，今天咱們就來盤一盤內存時序。
01 時序到底是什么？
內存時序，一言以蔽之指的是內存在處理各種任務操作時遇到的固有延遲的一種數值描述，或者更本質更白話一點，時序指的是內存處理工作和操作時的具體延遲時間，從這個定義上而言，時序自然是越小越好；
同時，影響內存延遲，或者說描述延遲的時序種類有很多，我們常規產品上列出的4種，是對內存影響最大，最為顯著的部分。
內存時序
它們分別都有著特定的代號，按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，這四個代號全是縮寫，第一個CL，即CAS Latency，它描述的是內存列地址訪問的延遲時間，這也是時序中最重要的參數；第二個tRCD，即RAS to CAS Delay，是指內存行地址傳輸到列地址的延遲時間；第三個tRP，即RAS Precharge Time，表示內存行地址選通脈沖預充電時間；第四個tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的時間。
02 時序是如何影響工作
理解了主要的時序含義之后，我們還需要明白內存和CPU之間的聯結原理，才能真正明白主要時序對于內存性能的影響。
通常情況下，CPU的工作流程是下達一個尋址指令，內存會快速搜索和尋址存在緩存內的文件，我們將尋址的過程想象成在一個有列有行的圍棋格上。
當CPU下達搜索A文件時，內存需要要先確定數據具體在圍棋格子中的哪一行，那么時序的第二個參數tRCD就代表這個時間，簡單來說就是是內存收到行的指令后，需要等待多長時間才能訪問這一行。值得注意的是，由于每一行中數據量十分龐雜，在內存第一步工作中無法準確定位，只能是預估，因而還需要第二步才能完成指令。
當內存確定了A文件在哪一行之后，就需要確認數據在哪一列，只有當行和列全部都確定后，才能鎖定A文件的具體地址；而確定列的等待時間，便是時序中CL，換言之就是內存確定行數之后，還需要多久才能訪問具體的列。
至于第三個參數，指的是確認了第一行數值后，再確定另外一行所需要等待的時間（時間周期）。
第四個tRAS部分，則是指整個內存完成命令后的總和，它的數值約等于前三個數值的總和，當然時序越高的情況下，他們的差異越巨大。
03 D4和D5的時序對比
下面我們就通過DDR4和DDR5兩種不同內存的時序，探究D4和D5內存的差異。
“40-40-40-77”是某品牌5200MHz的D5產品時序設計，“16-16-16-36”則是該品牌4000MHz的D4產品時序設計。
從時序上來看，二者近乎存在2倍多的數值差異，雖然在絕對頻率上D5內存有著顯著提升，可在延遲上嚴重拉跨，無疑對于用戶的實際使用產生一定影響。
這也就是為什么眾多D5內存，暫時并沒有被大量玩家接受的原因。
頻率的增長并不能顯著提升用戶體驗，而過高的延遲卻如同定時炸彈，不經意間對用戶體驗產生影響，想要更高頻率，同時降低時序，可能是今后內存行業一直需要探索的重要課題。
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理器和顯卡是最影響筆記本性能的硬件。但是，想讓同款處理器和顯卡充分發揮實力，還需要更好的內存加以支持。那么，當前筆記本領域的內存又是如何劃分檔次的呢？
對筆記本內存而言，影響其性能的因素，從高到低依次為：版本、容量、頻率、時序、制程、電壓和封裝。
其中，版本即DDR3、DDR4、DDR5，后綴數字越大代表越先進，第11代酷睿和銳龍5000僅支持DDR4，而最新的第12代酷睿同時支持DDR4（最高3200MHz）和DDR5/LPDDR5（最高5200MHz），銳龍6000則僅支持最新的DDR5/LPDDR5（最高6400MHz），不同版本的內存條和插槽的金手指有別所以無法相互兼容。
內存容量沒啥可說的，自然是越大越好。但是，很多輕薄本（全能本）雖然內置標準的內存插槽，但對安裝其上的內存條的容量卻存在限制。
比如華碩無雙系列就僅支持單根8GB容量，而絕大多數游戲本則支持單根32GB，可以組成64GB的雙通道模式。
內存頻率是對性能影響最大的因素，DDR4時代最高僅到4267MHz，而DDR5時代則將頻率進一步提升至4800MHz、5200MHz和6400MHz這三個檔位，頻率越高帶寬越高，有利于提升整體性能，特別是處理器內集成顯卡的3D性能。
需要注意的是，筆記本內存包括標準的內存條以及板載內存顆粒兩種樣式，后者常見于輕薄本，有利于產品瘦身。LPDDR就是以板載內存的形式存在，但也有部分輕薄本會選擇將DDR4顆粒直接封裝在主板上，相對罕見。
此外，DDR4內存中還存在4Bank Group（4BG）和2Bank Group（2BG）兩種封裝形式，以8GB容量為例，4BG即雙面8顆粒，擁有比2BG更高的帶寬，有利于進一步拔高系統性能。只是，2BG封裝內存成本更低，已經逐漸成為市場主流，很多OEM廠商也搞不到更多的4BG貨源，只能采取2BG與4BG內存混合出貨，有時候能否買到標配4BG內存的游戲本全靠人品。
值得一提的是，第12代酷睿原本僅支持最高LPDDR5-5200，但OEM廠商只要肯花錢，還是有辦法用上更高頻內存的。比如聯想最新的YOGA Pro 14s，就是全球唯一用上LPDDR5-6000MHz頻率內存的筆記本，對整體性能有著更大的增益。