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融界5月29日消息，有投資者在互動(dòng)平臺(tái)向英力股份提問(wèn)：董秘您好，隨著人工智能興起，有機(jī)構(gòu)指出，AIPC的發(fā)展將拉動(dòng)PC從軟硬件進(jìn)行全面的升級(jí)和迭代，呈現(xiàn)出先硬件后軟件的變革態(tài)勢(shì)，請(qǐng)問(wèn)貴司產(chǎn)品涉及AIPC哪些產(chǎn)品的供應(yīng)，是否與人工智能強(qiáng)相關(guān)？AIPC相關(guān)產(chǎn)品的供應(yīng)，給公司帶來(lái)了哪些方面新的需求，目前公司的AIPC產(chǎn)品訂單如何，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收多少？

公司回答表示：我司主要產(chǎn)品為筆記本電腦結(jié)構(gòu)件模組及相關(guān)精密模具。從目前來(lái)看，普通筆記本電腦和AIPC結(jié)構(gòu)件從工藝上并無(wú)太大區(qū)別，所以公司的結(jié)構(gòu)件產(chǎn)品可以用于AIPC。公司供應(yīng)的結(jié)構(gòu)件產(chǎn)品，并不和人工智能強(qiáng)相關(guān)。隨著AI功能的優(yōu)勢(shì)日益明顯，商業(yè)應(yīng)用將快速增長(zhǎng)，端側(cè)部署AI大模型的AIPC將會(huì)帶來(lái)新的換機(jī)需求，對(duì)結(jié)構(gòu)件廠商也將帶動(dòng)結(jié)構(gòu)件需求上升。但截至目前公司的AIPC結(jié)構(gòu)件產(chǎn)品訂單總體占比仍較小，提醒廣大股民朋友注意投資風(fēng)險(xiǎn)。

本文源自金融界AI電報(bào)

記本電腦的拆解步驟如下：

·1、擰下硬盤蓋板上的3個(gè)帶卡墊的螺絲，旁邊有卡扣。

·2、擰下硬盤上的4個(gè)螺絲，拉動(dòng)黑色塑料帶，取下硬盤。

·3、拆下底蓋上的螺絲，底面4個(gè)，電池盒內(nèi)4個(gè)，光驅(qū)下面2個(gè)，內(nèi)存下面1個(gè)。注意：底部4個(gè)大膠墊下面沒(méi)有螺絲。

·4、翻轉(zhuǎn)電腦，拆下鍵盤，鍵盤上方有4個(gè)鎖扣，輕輕撬開(kāi)，不要猛拉鍵盤，將鍵盤連接主板的排線拆下。向上板起插口上的黑色壓板，即可拆下排線，然后拿開(kāi)鍵盤。

·5、拆下鍵盤下面的3個(gè)排線，2個(gè)藍(lán)色、一個(gè)紫色，均是向上板起接口上的白色壓板，拉動(dòng)藍(lán)色或紫色的塑料拉帶，不要猛拉C蓋，將左下角C蓋連接主板的紫色排線拆下。向上板起插口上的白色壓板，即可拆下排線，然后拿開(kāi)C蓋。

·6、拔開(kāi)主板上的屏幕排線，揭開(kāi)固定膠紙，將兩邊的小白塊輕輕向后拉，即可拆下。

·7、拆下主板上的喇叭、接線、風(fēng)扇接線和藍(lán)色排線。

·8、拔下主板上的電源接口。

·9、拆下主板上的螺絲。

以上步驟僅供參考，不同型號(hào)的筆記本電腦的拆解方式可能有所不同，在拆解筆記本電腦時(shí)，請(qǐng)務(wù)必小心謹(jǐn)慎操作，以防損壞電腦的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并影響其正常運(yùn)行。如果您不確定如何正確拆解筆記本電腦，建議您參考生產(chǎn)廠家提供的維修手冊(cè)或?qū)で髮I(yè)維修人員的幫助。

夏日生活打卡季##長(zhǎng)文創(chuàng)作激勵(lì)計(jì)劃#

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我們知道，電腦主機(jī)的構(gòu)成部分是：CPU，主板，顯卡，內(nèi)存，硬盤，電源等硬件。

下面我們來(lái)聊聊

內(nèi)存

內(nèi)存在電腦主機(jī)中的作用：它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。

內(nèi)存（Memory）也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。

內(nèi)存就是存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們?cè)谑褂糜?jì)算機(jī)處理文稿（TXT/DOC……）時(shí)，當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時(shí)，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬（磁）盤。

內(nèi)存的參數(shù)怎么看？

關(guān)于內(nèi)存我們主要關(guān)注以下幾個(gè)參數(shù)：

內(nèi)存類型：

DDR2與DDR的區(qū)別
與DDR相比，DDR2最主要的改進(jìn)是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過(guò)在每個(gè)設(shè)備上高效率使用兩個(gè)DRAM核心來(lái)實(shí)現(xiàn)的。作為對(duì)比，在每個(gè)設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個(gè)DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個(gè)DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個(gè)數(shù)據(jù)而不是兩個(gè)數(shù)據(jù)。

DDR2與DDR的區(qū)別示意圖
與雙倍速運(yùn)行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)時(shí)鐘周期處理多達(dá)4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個(gè)改進(jìn)之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。

然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存，因?yàn)镈DR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。

DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過(guò)DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過(guò)常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來(lái)越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。

DDR2與DDR的區(qū)別：
在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)。
1、延遲問(wèn)題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說(shuō)，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說(shuō)，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。

這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問(wèn)題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō)，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說(shuō)DDR2-400的延遲要高于DDR400。

2、封裝和發(fā)熱量：
DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。
DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過(guò)長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。

DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。
DDR2采用的新技術(shù)：
除了以上所說(shuō)的區(qū)別外，DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整，DDR II通過(guò)OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過(guò)調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過(guò)減少DQ-DQS的傾斜來(lái)提高信號(hào)的完整性；通過(guò)控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。

ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自已的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。

Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號(hào)（讀寫(xiě)/命令）能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來(lái)的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期，因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。
總的來(lái)說(shuō)，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢等諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問(wèn)題終將得到解決。

目前市面上的內(nèi)存類型已經(jīng)更新到DDR5，具體內(nèi)存條，分為DDR1、DDR2、DDR3、DDR4是有區(qū)別的，他們的頻率也不一樣。

DDR3代的內(nèi)存條頻率一般為：1333MHz 和 1666MHz。DDR4代的內(nèi)存條頻率一般為：2133MHz 和 2400MHz。具體選擇什么樣的頻率需要看你的主板是否支持。這個(gè)可以在主板上找到（或者可以用魯大師檢測(cè)一下）。

內(nèi)存頻率：內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率是333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。

　　大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來(lái)，這一震動(dòng)可以通過(guò)晶片的形變和大小記錄下來(lái)。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來(lái)，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。

DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。

內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。

其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。

再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過(guò)才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見(jiàn)，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)如果在同代內(nèi)存，相同容量條件下，內(nèi)存頻率越高，性能就越好，頻率越高，速度就越快，內(nèi)存條頻率決定讀取速度快慢，決定內(nèi)存性能的核心因素有內(nèi)存容量、帶寬和頻率，并且由于工藝提升，電壓更低，功耗還更低，但在選擇內(nèi)存時(shí)還要綜合主板、處理器等方面考慮。

內(nèi)存品牌：市面上主流的內(nèi)存品牌有：海盜船、金士頓、芝奇、威剛、英睿達(dá)、光威、阿斯加特、金百達(dá)等。

簡(jiǎn)單說(shuō)幾個(gè)比較常見(jiàn)的吧~

芝奇：提到高性能超頻內(nèi)存，芝奇的產(chǎn)品一定不會(huì)缺席。根據(jù)專業(yè)超頻排名網(wǎng)站HWBOT統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，芝奇是全球?qū)I(yè)超頻玩家最常使用的內(nèi)存品牌。很多內(nèi)存超頻記錄都由芝奇內(nèi)存所創(chuàng)造，因此芝奇被DIY圈內(nèi)認(rèn)作是內(nèi)存超頻必選的品牌之一。

威剛：威剛科技在存儲(chǔ)行業(yè)有一定的知名度，初期以內(nèi)存模塊為主，其內(nèi)存、固態(tài)硬盤、U盤、存儲(chǔ)卡都有不錯(cuò)的口碑，其內(nèi)存模組2021年重新躍居第二，僅次于金士頓，內(nèi)存產(chǎn)品線分為發(fā)燒級(jí)XPG系列與大眾級(jí)的萬(wàn)紫千紅系列，不管是哪個(gè)級(jí)別，價(jià)位相比其它一線品牌同級(jí)別內(nèi)存都略低一些，是幾個(gè)一線品牌中性價(jià)比較明顯的品牌。

阿斯加特：阿斯加特是嘉合勁威旗下的子品牌，不過(guò)是由嘉合勁威和瑞典Asgard Labs于2013年聯(lián)合成立的品牌，早年被視作光威的高端產(chǎn)品線，品牌獨(dú)立后定位發(fā)生了變化，現(xiàn)在更偏性價(jià)比定位，憑借低價(jià)位在市場(chǎng)上博得了一席之地。

另外，最值得關(guān)注的就是內(nèi)存的顆粒，那內(nèi)存顆粒是什么意思呢？

內(nèi)存顆粒：是基于晶圓生產(chǎn)出來(lái)的，晶圓一般有6英寸、8英寸及12英寸規(guī)格不等。晶圓上一個(gè)小塊，一個(gè)小塊，就是晶片晶圓體，也名Die，經(jīng)過(guò)封裝之后就成為一個(gè)閃存顆粒。

在一整個(gè)晶圓進(jìn)行切割封裝之前，要先進(jìn)行基本的電性測(cè)試，看看晶圓的質(zhì)量是否較差，或者晶圓的某些區(qū)域有潛在缺陷。

那些較差的晶圓，或者晶圓上較差的區(qū)域，在切割封裝后就會(huì)成為白片顆粒。而其中最好的部分一般內(nèi)存顆粒廠商自己也不會(huì)用，會(huì)發(fā)給其他廠商制做昂貴的超高頻率內(nèi)存，剩余原廠顆粒會(huì)用于常規(guī)內(nèi)存產(chǎn)品。

目前內(nèi)存的

第一梯隊(duì)：

三星Bdie特挑>三星Bdie滿血>鎂光C9≈海力士DJR>海力士CJR

第二梯隊(duì)：

三星Bdie殘血≈三星Cdie≈海力士MJR、JJR、MFR≈長(zhǎng)鑫

沒(méi)提到的大多數(shù)是顆粒比第二梯隊(duì)還差的（少數(shù)可能遺漏了），只是超頻能力還差一點(diǎn)，但不影響正常使用。

大家可以根據(jù)自己的預(yù)算和適配性去選擇合適的內(nèi)存，組成多通道。

那單通道多通道啥意思呢？

內(nèi)存雙通道是指計(jì)算機(jī)內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸方式。在雙通道內(nèi)存架構(gòu)中，計(jì)算機(jī)的內(nèi)存控制器可以同時(shí)訪問(wèn)兩個(gè)內(nèi)存模塊，從而提高數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。

內(nèi)存雙通道可以同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，相比于單通道內(nèi)存，它可以在同樣的頻率下傳輸兩倍的數(shù)據(jù)量。這樣可以提高計(jì)算機(jī)的內(nèi)存帶寬，加快數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度，提升系統(tǒng)的整體性能。內(nèi)存雙通道技術(shù)在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中被廣泛應(yīng)用。

它不僅可以提高計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度，還可以更好地支持多任務(wù)處理和大型應(yīng)用程序的運(yùn)行。在選擇計(jì)算機(jī)時(shí)，如果需要更高的性能和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，可以考慮選擇支持內(nèi)存雙通道的配置。在計(jì)算機(jī)中使用兩條相同頻率、容量和類型的內(nèi)存條，同時(shí)插入到主板上的兩個(gè)內(nèi)存插槽中，以提高內(nèi)存訪問(wèn)速度。

雙通道內(nèi)存可以同時(shí)讀取和寫(xiě)入兩條內(nèi)存，從而提高內(nèi)存帶寬，加快數(shù)據(jù)傳輸速度，提高系統(tǒng)性能。通常，雙通道內(nèi)存可以提高15%至25%的內(nèi)存性能。在選擇雙通道內(nèi)存時(shí)，需要注意主板的支持情況，以免出現(xiàn)兼容性問(wèn)題。

硬盤

硬盤是電腦主要的存儲(chǔ)媒介之一，由一個(gè)或者多個(gè)鋁制或者玻璃制的碟片組成。碟片外覆蓋有鐵磁性材料。

硬盤有固態(tài)硬盤(SSD 盤，新式硬盤)、機(jī)械硬盤(HDD 傳統(tǒng)硬盤)、混合硬盤(HHD 一塊基于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤誕生出來(lái)的新硬盤)。SSD采用閃存顆粒來(lái)存儲(chǔ)，HDD采用磁性碟片來(lái)存儲(chǔ)，混合硬盤(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盤和閃存集成到一起的一種硬盤。絕大多數(shù)硬盤都是固定硬盤，被永久性地密封固定在硬盤驅(qū)動(dòng)器中。

磁頭復(fù)位節(jié)能技術(shù):通過(guò)在線時(shí)對(duì)磁頭的復(fù)位來(lái)節(jié)能。

多磁頭技術(shù):通過(guò)在同一碟片上增加多個(gè)磁頭同時(shí)的讀或?qū)憗?lái)為硬盤提速，或同時(shí)在多碟片同時(shí)利用磁頭來(lái)讀或?qū)憗?lái)為磁盤提速，多用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)庫(kù)中心。

固態(tài)硬盤（SSD）

固態(tài)硬盤(Solid State Drives)，簡(jiǎn)稱固盤，固態(tài)硬盤(Solid State Drive)用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲(chǔ)單元(FLASH芯片、DRAM芯片)組成。固態(tài)硬盤在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與傳統(tǒng)硬盤的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也完全與傳統(tǒng)硬盤一致，但I(xiàn)/O性能相對(duì)于傳統(tǒng)硬盤大大提升。被廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域。

其芯片的工作溫度范圍很寬，商規(guī)產(chǎn)品(0~70℃)工規(guī)產(chǎn)品(-40~85℃)。雖然成本較高，但也正在逐漸普及到DIY市場(chǎng)。由于固態(tài)硬盤技術(shù)與傳統(tǒng)硬盤技術(shù)不同，所以產(chǎn)生了不少新興的存儲(chǔ)器廠商。廠商只需購(gòu)買NAND存儲(chǔ)器，再配合適當(dāng)?shù)目刂菩酒涂梢灾圃旃虘B(tài)硬盤了。新一代的固態(tài)硬盤普遍采用SATA-3接口、M.2接口、MSATA接口、PCI-E接口、SAS接口、CFast接口和SFF-8639接口。

但是當(dāng)固態(tài)硬盤長(zhǎng)時(shí)間斷電并在高溫環(huán)境下放置將會(huì)面臨數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。因此使用固態(tài)硬盤來(lái)備份數(shù)據(jù)并不是一個(gè)很好的選擇。

隨著互聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展，人們對(duì)數(shù)據(jù)信息的存儲(chǔ)需求也在不斷提升，現(xiàn)在多家存儲(chǔ)廠商推出了自己的便攜式固態(tài)硬盤，更有支持Type-C接口的移動(dòng)固態(tài)硬盤和支持指紋識(shí)別的固態(tài)硬盤推出。

機(jī)械硬盤（HDD）

機(jī)械硬盤[1]的原理是利用磁盤高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流來(lái)帶動(dòng)讀寫(xiě)頭進(jìn)行讀寫(xiě)操作。當(dāng)需要讀取數(shù)據(jù)時(shí)，控制電路會(huì)控制磁頭定位到需要讀取的磁道，然后通過(guò)磁頭的感應(yīng)將數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，則是將數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)控制電路寫(xiě)入到磁道中，然后利用磁頭的磁性變化將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到磁盤中。

機(jī)械硬盤的讀寫(xiě)速度受到轉(zhuǎn)速和磁道密度等因素的影響，轉(zhuǎn)速越快，磁道密度越高，則讀寫(xiě)速度越快。但是，機(jī)械硬盤的讀寫(xiě)速度仍然比不上固態(tài)硬盤，而且機(jī)械硬盤的噪音和震動(dòng)也比固態(tài)硬盤更明顯。此外，由于機(jī)械硬盤的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，其故障率和維修成本也相對(duì)較高。

混合硬盤

混合硬盤是一塊基于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤誕生出來(lái)的新硬盤，除了機(jī)械硬盤必備的碟片、馬達(dá)、磁頭等等，還內(nèi)置了NAND閃存顆粒，這顆顆粒將用戶經(jīng)常訪問(wèn)的數(shù)據(jù)進(jìn)行儲(chǔ)存，可以達(dá)到如SSD(就是固態(tài)硬盤)效果的讀取性能 。

固態(tài)混合硬盤(SSHD: Solid State Hybrid Drive)是把磁性硬盤和閃存集成到一起的一種硬盤。原理和微軟Windows 7和Windows 8操作系統(tǒng)上的"Ready Boost"功能相似，兩者都是通過(guò)增加高速閃存來(lái)進(jìn)行資料預(yù)讀取(Prefetch)，以減少?gòu)挠脖P讀取資料的次數(shù)，從而提高性能。不同的是;混合硬盤將閃存模塊直接整合到硬盤上，對(duì)比一下，就會(huì)發(fā)現(xiàn)新一代的混合硬盤不僅能提供更佳的性能，還可減少硬盤的讀寫(xiě)次數(shù)，從而使硬盤耗電量降低，特別是使筆記本電腦的電池續(xù)航能力提高; 由于一般混合硬盤僅內(nèi)置8GB的MLC閃存，因此成本不會(huì)大幅提高。同時(shí)混合硬盤亦采用傳統(tǒng)磁性硬盤的設(shè)計(jì);因此沒(méi)有固態(tài)硬盤容量小的不足。通常使用的閃存是NAND閃存。混合硬盤是處于磁性硬盤和固態(tài)硬盤(SSD: Solid State Disk)中間的一種解決方案。

購(gòu)買硬盤時(shí)硬盤參數(shù)怎么看呢？

硬盤容量

　硬盤的容量是以MB（兆）和GB（千兆）為單位的，早期的硬盤容量低下，大多以MB（兆）為單位，1956年9月IBM公司制造的世界上第一臺(tái)磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)只有區(qū)區(qū)的5MB，而現(xiàn)今硬盤技術(shù)飛速的發(fā)展數(shù)百GB容量的硬盤也以進(jìn)入到家庭用戶的手中。硬盤的容量有40GB、60GB、80GB、100GB、120GB、160GB、200GB，硬盤技術(shù)還在繼續(xù)向前發(fā)展，更大容量的硬盤還將不斷推出。

　　在購(gòu)買硬盤之后，細(xì)心的人會(huì)發(fā)現(xiàn)，在操作系統(tǒng)當(dāng)中硬盤的容量與官方標(biāo)稱的容量不符，都要少于標(biāo)稱容量，容量越大則這個(gè)差異越大。標(biāo)稱40GB的硬盤，在操作系統(tǒng)中顯示只有38GB；80GB的硬盤只有75GB；而120GB的硬盤則只有114GB。這并不是廠商或經(jīng)銷商以次充好欺騙消費(fèi)者，而是硬盤廠商對(duì)容量的計(jì)算方法和操作系統(tǒng)的計(jì)算方法有不同而造成的，不同的單位轉(zhuǎn)換關(guān)系造成的。

　　眾所周知，在計(jì)算機(jī)中是采用二進(jìn)制，這樣造成在操作系統(tǒng)中對(duì)容量的計(jì)算是以每1024為一進(jìn)制的，每1024字節(jié)為1KB，每1024KB為1MB，每1024MB為1GB；而硬盤廠商在計(jì)算容量方面是以每1000為一進(jìn)制的，每1000字節(jié)為1KB，每1000KB為1MB，每1000MB為1GB，這二者進(jìn)制上的差異造成了硬盤容量“縮水”。以120GB的硬盤為例：
廠商容量計(jì)算方法：120GB＝120,000MB＝120，000，000KB＝120，000，000，000字節(jié)
換算成操作系統(tǒng)計(jì)算方法：120，000，000，000字節(jié)/1024＝117,187,500KB/1024＝114，440.91796875MB＝114GB

　　同時(shí)在操作系統(tǒng)中，硬盤還必須分區(qū)和格式化，這樣系統(tǒng)還會(huì)在硬盤上占用一些空間，提供給系統(tǒng)文件使用，所以在操作系統(tǒng)中顯示的硬盤容量和標(biāo)稱容量會(huì)存在差異。

盤片數(shù)

　盤片是硬盤中承載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的介質(zhì)，硬盤是由多個(gè)盤片疊加在一起，互相之間由墊圈隔開(kāi)。硬盤盤片是以堅(jiān)固耐用的材料為盤基，其上在附著磁性物質(zhì)，表面被加工的相當(dāng)平滑。因?yàn)楸P片在硬盤內(nèi)部高速旋轉(zhuǎn)（有5400轉(zhuǎn)、7200轉(zhuǎn)、10000轉(zhuǎn)，甚至15000轉(zhuǎn)），因此制作盤片的材料硬度和耐磨性要求很高，所以一般采用合金材料，多數(shù)為鋁合金。

　　硬盤盤片是隨著硬盤的發(fā)展而不斷進(jìn)步的，早期的硬盤盤片都是使用塑料材料作為盤基，然后再在塑料盤基上涂上磁性材料就構(gòu)成了硬盤的盤片。后來(lái)隨著硬盤轉(zhuǎn)速和容量的提高又出現(xiàn)的金屬盤基的盤片，金屬材料的盤基具有更高的記錄密度、更強(qiáng)的硬度，在安全性上也要強(qiáng)于塑料盤基。目前市場(chǎng)中主流的硬盤都是采用鋁材料的金屬盤基。

　　而IBM等廠商還推出過(guò)以石英玻璃為盤基的“玻璃盤片”，但初期的玻璃盤片在發(fā)熱等技術(shù)方面處理的并不得當(dāng)，導(dǎo)致部分產(chǎn)品使用中極易出現(xiàn)故障。但玻璃盤片是一種比鋁更為堅(jiān)固耐用的盤片材質(zhì)，盤片高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性都有所提高，而且玻璃盤片表面更為平滑，技術(shù)上還是領(lǐng)先于金屬盤片的。

　　由于盤片上的記錄密度巨大，而且盤片工作時(shí)的高速旋轉(zhuǎn)，為保證其工作的穩(wěn)定，數(shù)據(jù)保存的長(zhǎng)久，硬片都是密封在硬盤內(nèi)部。萬(wàn)萬(wàn)不可自行拆卸硬盤，在普通環(huán)境下空氣中的灰塵，都會(huì)對(duì)硬盤造成永久傷害，更不能用器械或手指碰觸盤片。

單碟容量

單碟容量（storage per disk），是硬盤相當(dāng)重要的參數(shù)之一，一定程度上決定著硬盤的檔次高低。硬盤是由多個(gè)存儲(chǔ)碟片組合而成的，而單碟容量就是一個(gè)存儲(chǔ)碟所能存儲(chǔ)的最大數(shù)據(jù)量。硬盤廠商在增加硬盤容量時(shí)，可以通過(guò)兩種手段：一個(gè)是增加存儲(chǔ)碟片的數(shù)量，但受到硬盤整體體積和生產(chǎn)成本的限制，碟片數(shù)量都受到限制，一般都在5片以內(nèi)；而另一個(gè)辦法就是增加單碟容量。

　　舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，單碟容量為60GB的希捷酷魚(yú)五系列和單碟容量為80GB的希捷7200.7系列，如果都用2個(gè)盤片那么總?cè)萘繉⒂?0GB的差異，可見(jiàn)單碟容量對(duì)硬盤容量的影響。

　　同時(shí)，硬盤單碟容量的增加不僅僅可以帶來(lái)硬盤總?cè)萘康奶嵘乙灿欣谏a(chǎn)成本的控制，提高硬盤工作的穩(wěn)定性。單碟容量的增加意味著廠商要在同樣大小的盤片上建立更多的磁道數(shù)（數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在盤片的磁道中），雖然這在技術(shù)難度上對(duì)廠商要求很高，但盤片磁道密度（單位面積上的磁道數(shù)）提高，代表著數(shù)據(jù)密度的提高，這樣在硬盤工作時(shí)盤片每轉(zhuǎn)動(dòng)一周，磁頭所能讀出的數(shù)據(jù)就越多，所以在相同轉(zhuǎn)速的情況下，硬盤單碟容量越大其內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率就越快。另外單碟容量的提高使單位面積上的磁道條數(shù)也有所提高，這樣硬盤尋道時(shí)間也會(huì)有所下降。

　　另外單碟容量的增加也能在一定程度上節(jié)省產(chǎn)品成本，舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，同樣的120GB的硬盤，如果采用單碟容量40GB的盤片，那么將要有三張盤片和六個(gè)磁頭；而采用單碟容量80GB的盤片，那么只需要兩張盤片和三個(gè)磁頭（盤片正反兩面都可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，一面需要一個(gè)磁頭），這樣就能在盡可能節(jié)省更多的成本的條件下提高硬盤的總?cè)萘俊蔚萘康脑黾右矊?duì)磁頭提出了更高的要求

　　單碟容量的提升是隨著硬盤技術(shù)的逐漸提高的，在2000年時(shí)出現(xiàn)了單碟容量40GB的硬盤產(chǎn)品，但直到2001中旬才全面在市場(chǎng)中普及。到了2002年IBM、西部數(shù)據(jù)、希捷、三星都相繼推出了單碟容量60GB的硬盤產(chǎn)品，最早單碟60GB容量的硬盤是三星于2002年5月推出的SpinPoint V60系列硬盤，其后的一個(gè)月內(nèi)西部數(shù)據(jù)、希捷就發(fā)布了酷魚(yú)V和魚(yú)子醬系列7200rpm硬盤。

　　最早的單碟容量80GB的硬盤產(chǎn)品是Maxtor于2002年10月發(fā)布的DiamondMax Plus 9，希捷也緊隨其后推出了酷魚(yú)7200.7系列與5400.1系列單碟80GB的硬盤。

　　希捷在2003年的9月發(fā)布了單碟容量達(dá)100GB酷魚(yú)7200.7 PLus 200GB硬盤，使得硬盤單碟容量又達(dá)到了一個(gè)新的高度。但人們對(duì)于硬盤存儲(chǔ)空間的需求是不滿足的，單碟容量的發(fā)展是不會(huì)就此止步的，更高容量的硬盤產(chǎn)品將不久之后出現(xiàn)在我們的視野中。

2005年9月，希捷(Seagate)發(fā)布了酷魚(yú)7200.9(Barracuda 7200.9)系列硬盤，單碟容量提高到160GB，這幾乎已經(jīng)是傳統(tǒng)的水平記錄技術(shù)的技術(shù)極限，不對(duì)硬盤磁記錄技術(shù)作出革新，單碟容量基本上已經(jīng)無(wú)法提升。垂直記錄技術(shù)適時(shí)出現(xiàn)，將硬盤的數(shù)據(jù)密度、容量和可靠性推進(jìn)到一個(gè)全新的水平。

傳統(tǒng)的水平記錄技術(shù)讓數(shù)據(jù)位平鋪在磁介質(zhì)上，而垂直記錄技術(shù)卻讓數(shù)據(jù)位豎立在磁介質(zhì)上，極大的提高了磁記錄密度，當(dāng)然也就提高了單碟容量。另外垂直記錄技術(shù)還允許磁頭在相同時(shí)間內(nèi)掃描更多數(shù)據(jù)位，故能在不提高轉(zhuǎn)速的情況下，提高硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率。2006年4月，希捷(Seagate)率先將垂直記錄技術(shù)運(yùn)用于桌面硬盤，發(fā)布了采用垂直記錄技術(shù)的酷魚(yú)7200.10(Barracuda 7200.10)系列硬盤，最大單碟容量提高到188GB，這是目前所有硬盤產(chǎn)品中最高的單碟容量。隨著垂直記錄技術(shù)的繼續(xù)發(fā)展和磁記錄密度的提高，硬盤的單碟容量還會(huì)繼續(xù)提升。

緩存

緩存（Cache memory）是硬盤控制器上的一塊內(nèi)存芯片，具有極快的存取速度，它是硬盤內(nèi)部存儲(chǔ)和外界接口之間的緩沖器。由于硬盤的內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速度和外界介面?zhèn)鬏斔俣炔煌彺嬖谄渲衅鸬揭粋€(gè)緩沖的作用。緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素，能夠大幅度地提高硬盤整體性能。當(dāng)硬盤存取零碎數(shù)據(jù)時(shí)需要不斷地在硬盤與內(nèi)存之間交換數(shù)據(jù)，如果有大緩存，則可以將那些零碎數(shù)據(jù)暫存在緩存中，減小外系統(tǒng)的負(fù)荷，也提高了數(shù)據(jù)的傳輸速度。

　　硬盤的緩存主要起三種作用：一是預(yù)讀取。當(dāng)硬盤受到CPU指令控制開(kāi)始讀取數(shù)據(jù)時(shí)，硬盤上的控制芯片會(huì)控制磁頭把正在讀取的簇的下一個(gè)或者幾個(gè)簇中的數(shù)據(jù)讀到緩存中（由于硬盤上數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)是比較連續(xù)的，所以讀取命中率較高），當(dāng)需要讀取下一個(gè)或者幾個(gè)簇中的數(shù)據(jù)的時(shí)候，硬盤則不需要再次讀取數(shù)據(jù)，直接把緩存中的數(shù)據(jù)傳輸?shù)絻?nèi)存中就可以了，由于緩存的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于磁頭讀寫(xiě)的速度，所以能夠達(dá)到明顯改善性能的目的；二是對(duì)寫(xiě)入動(dòng)作進(jìn)行緩存。

當(dāng)硬盤接到寫(xiě)入數(shù)據(jù)的指令之后，并不會(huì)馬上將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到盤片上，而是先暫時(shí)存儲(chǔ)在緩存里，然后發(fā)送一個(gè)“數(shù)據(jù)已寫(xiě)入”的信號(hào)給系統(tǒng)，這時(shí)系統(tǒng)就會(huì)認(rèn)為數(shù)據(jù)已經(jīng)寫(xiě)入，并繼續(xù)執(zhí)行下面的工作，而硬盤則在空閑（不進(jìn)行讀取或?qū)懭氲臅r(shí)候）時(shí)再將緩存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到盤片上。雖然對(duì)于寫(xiě)入數(shù)據(jù)的性能有一定提升，但也不可避免地帶來(lái)了安全隱患——如果數(shù)據(jù)還在緩存里的時(shí)候突然掉電，那么這些數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，硬盤廠商們自然也有解決辦法：掉電時(shí)，磁頭會(huì)借助慣性將緩存中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入零磁道以外的暫存區(qū)域，等到下次啟動(dòng)時(shí)再將這些數(shù)據(jù)寫(xiě)入目的地；第三個(gè)作用就是臨時(shí)存儲(chǔ)最近訪問(wèn)過(guò)的數(shù)據(jù)。有時(shí)候，某些數(shù)據(jù)是會(huì)經(jīng)常需要訪問(wèn)的，硬盤內(nèi)部的緩存會(huì)將讀取比較頻繁的一些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩存中，再次讀取時(shí)就可以直接從緩存中直接傳輸。

　　緩存容量的大小不同品牌、不同型號(hào)的產(chǎn)品各不相同，早期的硬盤緩存基本都很小，只有幾百KB，已無(wú)法滿足用戶的需求。2MB和8MB緩存是現(xiàn)今主流硬盤所采用，而在服務(wù)器或特殊應(yīng)用領(lǐng)域中還有緩存容量更大的產(chǎn)品，甚至達(dá)到了16MB、64MB等。

　　大容量的緩存雖然可以在硬盤進(jìn)行讀寫(xiě)工作狀態(tài)下，讓更多的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩存中，以提高硬盤的訪問(wèn)速度，但并不意味著緩存越大就越出眾。緩存的應(yīng)用存在一個(gè)算法的問(wèn)題，即便緩存容量很大，而沒(méi)有一個(gè)高效率的算法，那將導(dǎo)致應(yīng)用中緩存數(shù)據(jù)的命中率偏低，無(wú)法有效發(fā)揮出大容量緩存的優(yōu)勢(shì)。算法是和緩存容量相輔相成，大容量的緩存需要更為有效率的算法，否則性能會(huì)大打折扣，從技術(shù)角度上說(shuō)，高容量緩存的算法是直接影響到硬盤性能發(fā)揮的重要因素。更大容量緩存是未來(lái)硬盤發(fā)展的必然趨勢(shì)。

轉(zhuǎn)速

轉(zhuǎn)速(Rotationl Speed)，是硬盤內(nèi)電機(jī)主軸的旋轉(zhuǎn)速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內(nèi)所能完成的最大轉(zhuǎn)數(shù)。轉(zhuǎn)速的快慢是標(biāo)示硬盤檔次的重要參數(shù)之一，它是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，在很大程度上直接影響到硬盤的速度。硬盤的轉(zhuǎn)速越快，硬盤尋找文件的速度也就越快，相對(duì)的硬盤的傳輸速度也就得到了提高。硬盤轉(zhuǎn)速以每分鐘多少轉(zhuǎn)來(lái)表示，單位表示為RPM，RPM是Revolutions Perminute的縮寫(xiě)，是轉(zhuǎn)/每分鐘。RPM值越大，內(nèi)部傳輸率就越快，訪問(wèn)時(shí)間就越短，硬盤的整體性能也就越好。

　　硬盤的主軸馬達(dá)帶動(dòng)盤片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉(zhuǎn)速越快，則等待時(shí)間也就越短。因此轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤的速度。

　　家用的普通硬盤的轉(zhuǎn)速一般有5400rpm、7200rpm幾種，高轉(zhuǎn)速硬盤也是現(xiàn)在臺(tái)式機(jī)用戶的首選；而對(duì)于筆記本用戶則是4200rpm、5400rpm為主，雖然已經(jīng)有公司發(fā)布了7200rpm的筆記本硬盤，但在市場(chǎng)中還較為少見(jiàn)；服務(wù)器用戶對(duì)硬盤性能要求最高，服務(wù)器中使用的SCSI硬盤轉(zhuǎn)速基本都采用10000rpm，甚至還有15000rpm的，性能要超出家用產(chǎn)品很多。

較高的轉(zhuǎn)速可縮短硬盤的平均尋道時(shí)間和實(shí)際讀寫(xiě)時(shí)間，但隨著硬盤轉(zhuǎn)速的不斷提高也帶來(lái)了溫度升高、電機(jī)主軸磨損加大、工作噪音增大等負(fù)面影響。筆記本硬盤轉(zhuǎn)速低于臺(tái)式機(jī)硬盤，一定程度上是受到這個(gè)因素的影響。筆記本內(nèi)部空間狹小，筆記本硬盤的尺寸（2.5寸）也被設(shè)計(jì)的比臺(tái)式機(jī)硬盤（3.5寸）小，轉(zhuǎn)速提高造成的溫度上升，對(duì)筆記本本身的散熱性能提出了更高的要求；噪音變大，又必須采取必要的降噪措施，這些都對(duì)筆記本硬盤制造技術(shù)提出了更多的要求。同時(shí)轉(zhuǎn)速的提高，而其它的維持不變，則意味著電機(jī)的功耗將增大，單位時(shí)間內(nèi)消耗的電就越多，電池的工作時(shí)間縮短，這樣筆記本的便攜性就收到影響。所以筆記本硬盤一般都采用相對(duì)較低轉(zhuǎn)速的4200rpm硬盤。

　　轉(zhuǎn)速是隨著硬盤電機(jī)的提高而改變的，現(xiàn)在液態(tài)軸承馬達(dá)（Fluid dynamic bearing motors）已全面代替了傳統(tǒng)的滾珠軸承馬達(dá)。液態(tài)軸承馬達(dá)通常是應(yīng)用于精密機(jī)械工業(yè)上，它使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠。這樣可以避免金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時(shí)油膜可有效吸收震動(dòng)，使抗震能力得到提高；更可減少磨損，提高壽命。

接口類型

硬盤接口是硬盤與主機(jī)系統(tǒng)間的連接部件，作用是在硬盤緩存和主機(jī)內(nèi)存之間傳輸數(shù)據(jù)。不同的硬盤接口決定著硬盤與計(jì)算機(jī)之間的連接速度，在整個(gè)系統(tǒng)中，硬盤接口的優(yōu)劣直接影響著程序運(yùn)行快慢和系統(tǒng)性能好壞。從整體的角度上，硬盤接口分為IDE、SATA、SCSI和光纖通道四種，IDE接口硬盤多用于家用產(chǎn)品中，也部分應(yīng)用于服務(wù)器，SCSI接口的硬盤則主要應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)，而光纖通道只在高端服務(wù)器上，價(jià)格昂貴。SATA是種新生的硬盤接口類型，還正處于市場(chǎng)普及階段，在家用市場(chǎng)中有著廣泛的前景。在IDE和SCSI的大類別下，又可以分出多種具體的接口類型，又各自擁有不同的技術(shù)規(guī)范，具備不同的傳輸速度，比如ATA100和SATA；Ultra160 SCSI和Ultra320 SCSI都代表著一種具體的硬盤接口，各自的速度差異也較大。

IDE
　　IDE的英文全稱為“Integrated Drive Electronics”，即“電子集成驅(qū)動(dòng)器”，它的本意是指把“硬盤控制器”與“盤體”集成在一起的硬盤驅(qū)動(dòng)器。把盤體與控制器集成在一起的做法減少了硬盤接口的電纜數(shù)目與長(zhǎng)度，數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃缘玫搅嗽鰪?qiáng)，硬盤制造起來(lái)變得更容易，因?yàn)橛脖P生產(chǎn)廠商不需要再擔(dān)心自己的硬盤是否與其它廠商生產(chǎn)的控制器兼容。對(duì)用戶而言，硬盤安裝起來(lái)也更為方便。IDE這一接口技術(shù)從誕生至今就一直在不斷發(fā)展，性能也不斷的提高，其擁有的價(jià)格低廉、兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)，為其造就了其它類型硬盤無(wú)法替代的地位。

IDE代表著硬盤的一種類型，但在實(shí)際的應(yīng)用中，人們也習(xí)慣用IDE來(lái)稱呼最早出現(xiàn)IDE類型硬盤ATA-1，這種類型的接口隨著接口技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)被淘汰了，而其后發(fā)展分支出更多類型的硬盤接口，比如ATA、Ultra ATA、DMA、Ultra DMA等接口都屬于IDE硬盤。

SCSI
SCSI的英文全稱為“Small Computer System Interface”（小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口），是同IDE（ATA）完全不同的接口，IDE接口是普通PC的標(biāo)準(zhǔn)接口，而SCSI并不是專門為硬盤設(shè)計(jì)的接口，是一種廣泛應(yīng)用于小型機(jī)上的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。SCSI接口具有應(yīng)用范圍廣、多任務(wù)、帶寬大、CPU占用率低，以及熱插拔等優(yōu)點(diǎn)，但較高的價(jià)格使得它很難如IDE硬盤般普及，因此SCSI硬盤主要應(yīng)用于中、高端服務(wù)器和高檔工作站中。

光纖通道
光纖通道的英文拼寫(xiě)是Fibre Channel，和SCIS接口一樣光纖通道最初也不是為硬盤設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的接口技術(shù)，是專門為網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的，但隨著存儲(chǔ)系統(tǒng)對(duì)速度的需求，才逐漸應(yīng)用到硬盤系統(tǒng)中。光纖通道硬盤是為提高多硬盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度和靈活性才開(kāi)發(fā)的，它的出現(xiàn)大大提高了多硬盤系統(tǒng)的通信速度。光纖通道的主要特性有：熱插拔性、高速帶寬、遠(yuǎn)程連接、連接設(shè)備數(shù)量大等。

光纖通道是為在像服務(wù)器這樣的多硬盤系統(tǒng)環(huán)境而設(shè)計(jì)，能滿足高端工作站、服務(wù)器、海量存儲(chǔ)子網(wǎng)絡(luò)、外設(shè)間通過(guò)集線器、交換機(jī)和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接進(jìn)行雙向、串行數(shù)據(jù)通訊等系統(tǒng)對(duì)高數(shù)據(jù)傳輸率的要求。

SATA
使用SATA（Serial ATA）口的硬盤又叫串口硬盤，是未來(lái)PC機(jī)硬盤的趨勢(shì)。2001年，由Intel、APT、Dell、IBM、希捷、邁拓這幾大廠商組成的Serial ATA委員會(huì)正式確立了Serial ATA 1.0規(guī)范，2002年，雖然串行ATA的相關(guān)設(shè)備還未正式上市，但Serial ATA委員會(huì)已搶先確立了Serial ATA 2.0規(guī)范。Serial ATA采用串行連接方式，串行ATA總線使用嵌入式時(shí)鐘信號(hào)，具備了更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力，與以往相比其最大的區(qū)別在于能對(duì)傳輸指令（不僅僅是數(shù)據(jù)）進(jìn)行檢查，如果發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤會(huì)自動(dòng)矯正，這在很大程度上提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴４薪涌谶€具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、支持熱插拔的優(yōu)點(diǎn)。

串口硬盤

串口硬盤是一種完全不同于并行ATA的新型硬盤接口類型，由于采用串行方式傳輸數(shù)據(jù)而知名。相對(duì)于并行ATA來(lái)說(shuō)，就具有非常多的優(yōu)勢(shì)。首先，Serial ATA以連續(xù)串行的方式傳送數(shù)據(jù)，一次只會(huì)傳送1位數(shù)據(jù)。這樣能減少SATA接口的針腳數(shù)目，使連接電纜數(shù)目變少，效率也會(huì)更高。實(shí)際上，Serial ATA 僅用四支針腳就能完成所有的工作，分別用于連接電纜、連接地線、發(fā)送數(shù)據(jù)和接收數(shù)據(jù)，同時(shí)這樣的架構(gòu)還能降低系統(tǒng)能耗和減小系統(tǒng)復(fù)雜性。其次，Serial ATA的起點(diǎn)更高、發(fā)展?jié)摿Ω螅琒erial ATA 1.0定義的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)150MB/s，這比目前最新的并行ATA（即ATA/133）所能達(dá)到133MB/s的最高數(shù)據(jù)傳輸率還高，而在Serial ATA 2.0的數(shù)據(jù)傳輸率將達(dá)到300MB/s，最終SATA將實(shí)現(xiàn)600MB/s的最高數(shù)據(jù)傳輸率。

M.2 PCIe接口

M.2 PCIe接口是一種用于超極本的固態(tài)硬盤接口標(biāo)準(zhǔn)，它支持PCI-E通道，能夠提供更高的傳輸性能。

M.2 PCIe接口的固態(tài)硬盤可以達(dá)到非常高的讀寫(xiě)速度，遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)的SATA接口固態(tài)硬盤。它的設(shè)計(jì)目的是為了取代mSATA接口，并且在尺寸和性能上都有所提升。M.2接口可以通過(guò)設(shè)置其接口上的KEY槽來(lái)支持不同的協(xié)議，包括PCI-E、SATA等。此外，M.2接口的固態(tài)硬盤有多種尺寸規(guī)范，如2240、2260、2280等，其中22代表寬度22mm，后面的數(shù)字表示長(zhǎng)度(mm)。

簡(jiǎn)單總結(jié)一下：

固態(tài)組成：主控、閃存顆粒、緩存芯片。

優(yōu)點(diǎn)：讀寫(xiě)速度快，體積小，外觀多樣，低耗電，耐震，耐低溫，啟動(dòng)快。

缺點(diǎn)：價(jià)格貴，壽命相對(duì)短，不穩(wěn)定，容量小。

用途：當(dāng)系統(tǒng)盤，內(nèi)容存儲(chǔ)，移動(dòng)存儲(chǔ)

機(jī)械硬盤組成：盤片，磁頭，盤片，轉(zhuǎn)軸及控制電機(jī)，磁頭控制器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，緩存。

優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格便宜，容量大，數(shù)據(jù)穩(wěn)定。

缺點(diǎn)：讀寫(xiě)速度慢，噪聲大，發(fā)熱，不耐摔，體積大。

用途：數(shù)據(jù)備份，需大容量存儲(chǔ)，外接硬盤。

這里建議自己組裝電腦的時(shí)候用固態(tài)硬盤當(dāng)系統(tǒng)盤，這樣開(kāi)機(jī)更迅速，而用機(jī)械硬盤作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的硬盤，達(dá)到性價(jià)比最大化。

固態(tài)硬盤品牌推薦：

一線：三星，西數(shù)（有獨(dú)立生產(chǎn)顆粒的能力，自控自研）

準(zhǔn)一線：海力士，鎧俠，致態(tài)（有獨(dú)立生產(chǎn)顆粒的能力，自控自研）

二線：宏碁，威剛，金士頓

三線：金百達(dá)，雷克沙，七彩虹，影馳，技嘉

固態(tài)硬盤的主要核心部件是主控芯片和閃存顆粒，是否是原廠原片則是判斷一款固態(tài)級(jí)別的一個(gè)重要指標(biāo)。

獨(dú)立緩存只有旗艦盤會(huì)有，帶獨(dú)立緩存的固態(tài)一般更適用于有渲染需求等生產(chǎn)力用戶或者有錄制需求的游戲玩家。但帶獨(dú)立緩存的固態(tài)往往會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱過(guò)高，且對(duì)游戲玩家沒(méi)有任何加成效果，因此一般游戲玩家無(wú)需購(gòu)買帶獨(dú)立緩存的固態(tài)硬盤。

固態(tài)硬盤按顆粒可以分為四種，SLC顆粒，MLC顆粒，TLC顆粒以及QLC顆粒；SLC顆粒和MLC顆粒一般用于軍工級(jí)和企業(yè)用戶，性能強(qiáng)悍且價(jià)格昂貴，目前主流市場(chǎng)都是TLC得顆粒的固態(tài)硬盤，價(jià)格適中且壽命也不錯(cuò)，但是目前市場(chǎng)上依舊有少量QLC顆粒的固態(tài)往往壽命偏短，所以是不推薦的。

以上就是電腦主機(jī)全部硬件的具體內(nèi)容，相信看完這篇和之前三篇，你應(yīng)該能夠大致了解如何選擇DIY的電腦硬件。后續(xù)我還將會(huì)給大家更新如何選擇顯示器、鍵盤、鼠標(biāo)、音響的文章，歡迎大家點(diǎn)贊，關(guān)注。