常見電腦內(nèi)存條顆粒知識科普
常見電腦內(nèi)存條顆粒知識科普
內(nèi)存顆粒是什么意思？
我們知道，內(nèi)存是CPU以及其他設(shè)備進(jìn)行溝通的橋梁，在電腦中所有的程序的運行均在內(nèi)存中進(jìn)行的，內(nèi)存的作用是用于暫時存放在CPU中的運算數(shù)據(jù)以及硬盤等設(shè)備交換，只要電腦在運行中，CPU就會將需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運算，等待運算完畢之后，CPU再將結(jié)果傳送出來。
內(nèi)存顆粒就是DRAM芯片，通俗一點說，內(nèi)存顆粒就是內(nèi)存用來存儲數(shù)據(jù)的中轉(zhuǎn)倉庫，不過它不像硬盤，它屬于易失性存儲（臨時存儲），只要斷電之后，存放在內(nèi)存中的所有的數(shù)據(jù)就會消失。
內(nèi)存條
目前市場上，主流內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商主要是三星、海力士、美光這三家，由于不同生產(chǎn)商的技術(shù)研發(fā)實力、制造工藝水平以及芯片設(shè)計不同，所以生產(chǎn)出來的芯片質(zhì)量肯定也是不同的。加上內(nèi)存顆粒生產(chǎn)時會有質(zhì)量參差不齊的情況，所以一些極品的顆粒會被特挑出來作為高端超頻內(nèi)存條，而對于普通合格的顆粒會做成普通的內(nèi)存。
內(nèi)存顆粒好壞有什么影響?
內(nèi)存顆粒好壞最主要是體現(xiàn)在于超頻體質(zhì)上，顆粒體質(zhì)越好，超頻能力越強。
針對消費市場上主流的三大顆粒生產(chǎn)商，我們來說說它們的顆粒，先來說說三星顆粒。
1、三星內(nèi)存顆粒
三星內(nèi)存顆粒的體質(zhì)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的，優(yōu)秀的超頻性能與出色的穩(wěn)定性備受廣大超頻玩家青睞，尤其是三星的B-die顆粒，眾多內(nèi)存超頻記錄都是它的杰作，無論是intel還是AMD平臺，都有著良好的兼容性，在intel平臺中超頻4000MHz以上的頻率只是基本，同時時序還很低，絕對是玩家心中的高端極品顆粒。
三星的特挑B-die顆粒（K4A8G085WB）
剛剛提到內(nèi)存顆粒生產(chǎn)時會有質(zhì)量參差不齊的問題，三星B-die顆粒也不例外，三星B-die顆粒可以細(xì)分三種類型，分別是特挑B-die、普通非特挑B-die、邊角料B-die。
其中特挑B-die無非就是廠商精選出來的最好體質(zhì)的顆粒，具備超強的超頻能力，特指內(nèi)存顆粒編號為K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后綴系列中的BCBP顆粒，當(dāng)然特挑B-die顆粒無疑是被內(nèi)存廠商作為旗艦產(chǎn)品的，不過價格自然比較昂貴。而剩下的普通B-die顆粒體質(zhì)也算不錯，邊角料B-die就是其中體質(zhì)最差的了。
不過根據(jù)三星最新公布的產(chǎn)品指導(dǎo)說明書，B-Die顆粒已經(jīng)陸續(xù)停產(chǎn)，接替它的將是新款A(yù)-Die、E-Die。全新的三星A-Die、E-Die在內(nèi)存顆粒密度提升了，單顆的容量更大，從而有效的降低成本，三星表示新款A(yù)-Die的超頻能力與B-die基本一致，甚至更好，并且容量更大，單條輕松32GB。此外，還有三星C-die和E-die體質(zhì)就相對一般了。
不過對于目前不少內(nèi)存廠商由于顆粒庫存，依然可以選購到特挑B-Die顆粒的旗艦級內(nèi)存，但價格偏貴。
2、海力士內(nèi)存顆粒
為了更好的改善與友商三星的差距，海力士終于推出了近幾年熱門的CJR顆粒（海力士C-die顆粒），是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒，CJR顆粒體質(zhì)比較好，尤其對AMD銳龍平臺兼容性支持的非常不錯，輕松上3600MHz頻率。
海力士內(nèi)存顆粒
此外，海力士還推出了更新一代的JJR顆粒（J-die），JJR顆粒的誕生就是為了取代之前的MFR顆粒與AFR顆粒，JJR顆粒超頻體質(zhì)上稍不如CJR顆粒。
3、鎂光內(nèi)存顆粒
鎂光內(nèi)存顆粒屬于一直穩(wěn)定耐用型的，在超頻性能是無法與三星攀比的。鎂光B-die是出貨量較大的顆粒，屬于穩(wěn)定耐用型，對于超頻體質(zhì)比較差，大家購買這顆粒默認(rèn)頻率使用就行了，不用考慮超頻內(nèi)存。
我們知道，鎂光公司旗下還有一家Spectek子公司，采用的都是鎂光的降級片，這些降級顆粒的內(nèi)存在顆粒上會有大S的標(biāo)志，所以稱之為“大S顆粒”。什么是降級片，所謂的降級片其實就是鎂光生產(chǎn)的高頻率的內(nèi)存顆粒，例如3000MHz，無法達(dá)到要求之后給子公司Spectek，降級為2400MHz或者2666MHz主流頻率進(jìn)行出售，或者有些大S顆粒就是低端內(nèi)存篩選標(biāo)準(zhǔn)篩選下來的，較低的良品率，這種就屬于垃圾顆粒，當(dāng)然大S不一定就是降級片，有好也有壞。大S顆粒基本都是一些山寨內(nèi)存廠商喜歡使用，通常不建議。
大S顆粒
不過鎂光也推出了超頻體質(zhì)不錯的顆粒，那就是近段時間比較熱門的鎂光E-die，有超頻玩家將鎂光E-die顆粒的內(nèi)存超頻至4000MHz頻率基本難度不大，不過需要加較高的電壓，時序難以收窄，不過價格相對實惠便宜，鎂光E-die顆粒基本采用在自家英睿達(dá)品牌的原廠內(nèi)存上，當(dāng)然同樣是鎂光E-die顆粒也有體質(zhì)上的區(qū)別，體質(zhì)最好的是C9BJZ，其次就是D9VPP，目前E-die其它型號與普通的B-die差距不大。
內(nèi)存顆粒排名
內(nèi)存顆粒廠商排名，其實每家都有好的顆粒，也有較差的顆粒，所以看顆粒就行了，至于目前的內(nèi)存顆粒的好壞排名，我們借用網(wǎng)上的一張內(nèi)存顆粒綜合性能天梯圖來分享給大家看看，顆粒越好，顆粒在天梯圖位置越高。
內(nèi)存顆粒排名
注：當(dāng)然這只是目前的內(nèi)存顆粒排名，隨著時間的推移和生產(chǎn)商技術(shù)的創(chuàng)新，后期會不斷的帶來表現(xiàn)更好的顆粒，所以會更新?lián)Q代的。
內(nèi)存顆粒怎么看？
內(nèi)存顆粒查詢軟件我們可以采用Thaiphoon Burner（臺風(fēng)）軟件進(jìn)行檢測，可以檢測到內(nèi)存各個信息，最好更新到最高版本，軟件檢測不一定百分百準(zhǔn)確哦。打開Thaiphoon Burner（臺風(fēng)）這款軟件之后，我們點擊“Read”讀取內(nèi)存查看PART MUMBER（顆粒編號），從顆粒信息中可以看出這根內(nèi)存是CJR顆粒的。
Thaiphoon Burner（臺風(fēng)）檢測
如果不是馬甲條內(nèi)存，裸條我們也可以直接從內(nèi)存顆粒上來看，能夠到看到如下圖的內(nèi)存就是CJR顆粒的。
CJR顆粒內(nèi)存
以上就是裝機之家分享的常見電腦內(nèi)存條顆粒知識科普，內(nèi)存顆粒對于普通消費者來說，基本在使用上沒有任何的影響，所以沒有必要太糾結(jié)內(nèi)存顆粒，老老實實看容量就行了，而對于極致超頻玩家來說，想要超頻很高的頻率，那么內(nèi)存顆粒就顯得十分重要了。
內(nèi)容來源于@什么值得買APP，觀點僅代表作者本人 ｜作者：電腦叫獸
很多電腦小白在看到內(nèi)存名字的時候都一臉懵逼，一長串的名字只能看懂品牌名。后面的“DDR4、3200”等參數(shù)，根本看不懂。
我們以芝奇皇家戟這根內(nèi)存為例，其名為“芝奇皇家戟DDR4 3600 32GB”。
“芝奇”相信大家都知道，是這根內(nèi)存條的名字。
“皇家戟”則是芝奇品牌下的一個系列，除了“皇家戟”之外，還有“幻光戟”、“焰光戟”等。不一樣的系列命名，不同的系列名稱也代表著不同的市場定位。
“DDR4”的意思是第四代DDR內(nèi)存，選購內(nèi)存時要選擇跟主板內(nèi)存接口類型相同的內(nèi)存，DDR3內(nèi)存與DDR4內(nèi)存的接口是不一樣的。
像“2666”、“3000”、“3200”等數(shù)字，代表著內(nèi)存頻率，單位為MHz。數(shù)字越大，代表著內(nèi)存速度越快，性能也就越高。
最后的“xx GB”，代表內(nèi)存的容量。
上面我們了解完內(nèi)存了，可能還會有很多人有疑問。為什么一塊500GB的固態(tài)硬盤賣五六百，而一根16GB的內(nèi)存條也能賣五六百？
內(nèi)存，即內(nèi)部存儲器。內(nèi)存是計算機系統(tǒng)中硬盤數(shù)據(jù)和CPU數(shù)據(jù)交換的中轉(zhuǎn)站，屬于臨時存儲器。內(nèi)存上的電容是會緩慢放電的，放電到一定程度就會導(dǎo)致數(shù)據(jù)發(fā)生變化，這也是關(guān)機斷電后會導(dǎo)致內(nèi)存中數(shù)據(jù)丟失的原因。
而硬盤，屬于外出存儲器，它可以長期的存儲數(shù)據(jù)，不受斷電的影響，存儲容量大。
在功能上，我們可以把內(nèi)存條看成一個連接CPU與硬盤的“中介”。
比如我們打開Photoshop這款軟件，首先是內(nèi)存從硬盤中讀取Photoshop這款軟件的文件，寫入到硬盤當(dāng)中。因為內(nèi)存的讀寫速度要比硬盤快的多，所以CPU會跟內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換，而不是跟硬盤進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。
下圖是同一臺電腦硬盤跟內(nèi)存的讀寫速度跑分圖，圖上可以看到內(nèi)存的讀寫性能是硬盤的二三十倍。
（作圖為硬盤跑分，右圖為內(nèi)存跑分）
內(nèi)存中最重要的元件就是顆粒，就是下圖中黑色的小方塊。
部分內(nèi)存還搭載著散熱片，以提高內(nèi)存的散熱能力，部分內(nèi)存還有RGB燈效當(dāng)。當(dāng)然，搭載散熱片和RGB燈效的內(nèi)存價格肯定會比普條高一些。
目前全球能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠家有三星、海力士、鎂光。市面上90%以上的內(nèi)存，使用的顆粒都來自上面這三家。近幾年，國內(nèi)顆粒技術(shù)發(fā)展迅速，自己也可以生產(chǎn)顆粒了，比如合肥長鑫顆粒。目前國內(nèi)很多內(nèi)存品牌搭載的內(nèi)存顆粒都來自國產(chǎn)長鑫顆粒，比如光威、金百達(dá)等。
我們主要看三星、海力士、鎂光這三家，這三家顆粒制造商所生產(chǎn)的顆粒，整體質(zhì)量上三星＞海力士＞鎂光。當(dāng)然，這指的是整體性能，如果你拿海力士的高端跟三星的低端比，那肯定是海力士的高端好。
如果你內(nèi)存的容量不夠，在玩游戲的時候，游戲有6GB數(shù)據(jù)，而你的內(nèi)存只有4GB的剩余空間。這種情況下，CPU就不能流暢的跟內(nèi)存條進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，這就會影響游戲的流暢。
所以說內(nèi)存的容量還是很重要的，比如我們在電腦上同時運行多個軟件或多個網(wǎng)頁，就會出現(xiàn)卡頓的情況。當(dāng)你打開任務(wù)管理器查看時，會發(fā)現(xiàn)CPU的使用率并不是很高，說明CPU的性能并沒有稱為瓶頸。反而內(nèi)存的占用率達(dá)到了100%，這就說明內(nèi)存的容量不夠用，拖慢了整個系統(tǒng)運行的流暢性。
內(nèi)存的顆粒分為原片、白片、黑片三種，內(nèi)存在生產(chǎn)的過程中會進(jìn)行兩次不同的檢測。第一次檢測是顆粒廠商行業(yè)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)檢測，第二次檢測是顆粒廠商自己定制的檢測規(guī)格，顆粒廠商制定的檢測規(guī)則要比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)檢測規(guī)則嚴(yán)格的多。當(dāng)顆粒生產(chǎn)出來時，首先要進(jìn)行的是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)檢測，檢測合格會進(jìn)行下一項檢測，下一項檢測也合格，就會打上顆粒型號跟制造商logo進(jìn)行售賣，這就是大家常說的原片。白片是第一項檢測合格，第二項檢測不合格，也會打上顆粒型號，但并不會打上顆粒制造商logo。如果遇到顆粒上的logo并不是三星、鎂光、海力士的logo，那么這個顆粒就可能是白片。黑片，則是第一次檢測就不合格，本應(yīng)該報廢處理，但總會被資本家通過各種方式和渠道流入市場。
顆粒作為內(nèi)存上最重要的元件，選內(nèi)存完全可以看成是選顆粒。同一家顆粒廠商生產(chǎn)的內(nèi)存也有區(qū)別，不同的內(nèi)存顆粒定位不同的消費市場。這些顆粒制造商通常喜歡用ABCDE-Die來區(qū)分體質(zhì)，具體可以參照下圖。
內(nèi)存廠商在生產(chǎn)內(nèi)存時更換不同的顆粒還是很頻繁的，同一系列產(chǎn)品上可能會使用好幾種顆粒，所以大多數(shù)內(nèi)存詳情頁都不會標(biāo)注這款內(nèi)存使用的什么顆粒。買到內(nèi)存后我們可以通過查看顆粒上的標(biāo)識或使用Thaiphoon這款軟件去檢測內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)廠商和顆粒類型。
實際上，內(nèi)存條是沒有頻率的。我們以AMD 3990X為例，在AMD官網(wǎng)3990X規(guī)格一欄里，明確說明了3990X這顆處理器最大支持的內(nèi)存頻率。我們所說的內(nèi)存頻率其實是CPU對內(nèi)存條訪問的頻率，CPU每訪問一次，都會向內(nèi)存條帶來或帶走一些數(shù)據(jù)。
CPU每秒訪問內(nèi)存的次數(shù)越多，單位時間內(nèi)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量也就越多，也可以理解為是內(nèi)存條的讀寫速度快，但內(nèi)存顆粒每秒能承受的訪問次數(shù)是有上限的。頻率超過顆粒的承受上限，就會出現(xiàn)開不了機的情況。顆粒的承受上限是由內(nèi)存條顆粒的體質(zhì)決定的，體質(zhì)好壞是天生的。
內(nèi)存廠商會把體質(zhì)好的顆粒做成高頻內(nèi)存，比如3000MHz、3200MHZ的內(nèi)存；體質(zhì)相對比較差的就做成低頻內(nèi)存，比如2400MHz、2666MHz等。
內(nèi)存條上標(biāo)注的頻率并不是這根內(nèi)存工作的頻率，而是這根內(nèi)存工作時能穩(wěn)定承受的頻率。主板廠商并不能自動識別你這條內(nèi)存體質(zhì)的好壞，所以主板廠商為了能夠保證內(nèi)存條能穩(wěn)定工作，都會把內(nèi)存的頻率默認(rèn)設(shè)置為2400MHz。買了高頻內(nèi)存的朋友，需要在主板BIOS中重新設(shè)置內(nèi)存頻率才能達(dá)到內(nèi)存宣稱的頻率的。
內(nèi)存的單通道跟雙通道，可以理解成單車道和雙車道。雙通道就是使用雙車道來傳輸數(shù)據(jù)，同一款內(nèi)存下，雙通道內(nèi)存的速度是單通道內(nèi)存速度的一倍左右。
如果你正在裝機，預(yù)算并不是特別充足。千萬不要把錢砸在高頻單通道內(nèi)存上，買兩個普通內(nèi)存條組雙通道才是真理。
如果你是土豪，主板上的內(nèi)存插槽必須全部插滿，必須全部都是高頻內(nèi)存。那么還需要注意你的主板支不支持高頻內(nèi)存條，以英特爾平臺主板為例。只有Z系列和X系列主板支持3600MHz及以上頻率的內(nèi)存，而B系列和H系列最高僅支持到2666MHz。
我們在買內(nèi)存的時候經(jīng)常會看到有網(wǎng)游提問“這款內(nèi)存時序怎么樣？”，也經(jīng)常會在商品詳情頁看到關(guān)于內(nèi)存時序的介紹。那么內(nèi)存的時序到底是什么呢？
內(nèi)存的時序其實就是內(nèi)存的反應(yīng)時間，當(dāng)內(nèi)存收到CPU發(fā)來的指令后，多長時間做出反應(yīng)，這就是內(nèi)存的時序。要想反應(yīng)的越快，時序就要越短。
我們以“CL16-18-18-38”這個時序為例，時序中的四個數(shù)字分別對應(yīng)著“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數(shù)
tRCD（RAS to CAS Delay）：內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間
tRP（RAS Precharge Time）：內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間
越低的時序代表顆粒體質(zhì)越好，超頻的潛力也就越大。內(nèi)存的時序會隨著頻率的增加而增加，內(nèi)存的延遲可以用這個公式來計算：內(nèi)存延時=時序（CL x 2000 ）/內(nèi)存頻率。
DDR：（CL3*2000）/400MHz=15ns
DDR2：（CL5*2000）/800MHz=12.5s
DDR3：（CL9*2000）/1600MHz=11.5ns
DDR4：（CL15*2000）/2133=14ns
即使內(nèi)存的時序會隨著頻率的增加而增加，但最后內(nèi)存的延時并沒有太大的變化。頻率相同時，時序越低，延遲也就越小。同樣，時序相同時，頻率越高，延遲也就越小。
很多人想知道內(nèi)存到底多少合適，以我個人的使用體驗來說16GB比較合適，辦公的話最低最低8GB。16GB內(nèi)存建議8+8組建雙通道，兩根內(nèi)存最好買套條（捆綁在一起銷售的內(nèi)存條）。
基本是海力士CJR顆粒，電壓1.35V，時序CL15。
部分三星B-Die顆粒，部分海力士CJR（C-Die）顆粒，電壓1.35V，時序CL16。
這是三星自己銷售的唯一一根內(nèi)存條，使用的三星C-DIe顆粒，電壓1.2V，時序CL19。
三星B-Die顆粒，電壓1.35V，時序CL16-18-18-36。
三星B-Die顆粒，電壓1.35V，時序CL16-16-16-36。
部分三星C-Die顆粒，部分海力士CJR，部分海力士AFR，電壓1.35V，時序CL16-18-18-38。
部分三星C-Die，部分海力士CJR，電壓1.35V，時序CL16-18-18-38。
光威、阿斯加特、酷獸內(nèi)存其實都屬于同一家公司——嘉合勁威，這里只以光威舉例，預(yù)算不充足的情況下選國產(chǎn)內(nèi)存也是沒啥問題的。
合肥長鑫顆粒（純國產(chǎn)），電壓1.2V，時序CL19-19-19-43 。
個人認(rèn)為，推薦內(nèi)存條并不能單純的去推薦一個品牌，而是應(yīng)該具體到這個品牌的某款產(chǎn)品。事實也是這樣，很多大品牌內(nèi)存條雖然賣的好，但實際性能說不定并沒有相同價格其他品牌產(chǎn)品好。大家在購買內(nèi)存時，可能只會去注重品牌，有了品牌效應(yīng)，一款并不是很好地內(nèi)存也敢要高價。雖然有些品牌的內(nèi)存條附加了部分品牌溢價，但是內(nèi)存條的購買還是遵循一分錢一分貨的原則。就比如威剛龍耀D60G內(nèi)存，部分是三星B-Die顆粒，部分是海力士C-Die顆粒。同款內(nèi)存降價的時候，售賣的可能就是使用海力士C-Die顆粒的內(nèi)存條。（這款內(nèi)存的確有兩種顆粒，但降價售賣的是否為海力士C-Die顆粒的內(nèi)存僅為個人猜測）
如果你不去玩超頻的話，那么只要認(rèn)準(zhǔn)大品牌，內(nèi)存條基本可以閉著眼買。
起內(nèi)存，對于普通人來說可能并沒有什么好談的，它雖然是電腦中不可或缺的硬件，但只要容量夠大，對游戲和日常使用體驗的影響感知不強。
但對于DIY玩家來說，刷新內(nèi)存頻率的新高同時收窄時序是他們一直追求的事情。
雖然3600MHz可能就比2400MHz的內(nèi)存玩游戲高那么幾幀，但是這數(shù)字看著就很舒服。
決定內(nèi)存超頻主要的因素有三個，其一搭配CPU的IMC（內(nèi)存控制器），這個主要跟IMC設(shè)計有關(guān)，而且它也和CPU體質(zhì)一樣，同型號每一顆處理器的IMC都會有體質(zhì)上的差異；其次就是主板和主板BIOS，這就看主板廠商的調(diào)教了；最后就是取決于內(nèi)存的顆粒，今天曉邊就來帶大家認(rèn)識一下主流的內(nèi)存顆粒，也方便大家買到便宜好用還能超頻的內(nèi)存。
內(nèi)存顆粒之間有何區(qū)別？
為什么內(nèi)存顆粒之間會有體質(zhì)區(qū)別？首先生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商就有很多家，這個應(yīng)該很多DIY玩家都知道了。
這里簡單羅列一下，目前消費市場90%的內(nèi)存顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來自美韓的巨頭生產(chǎn)。
除此以外還有南亞、華邦和力晶等臺灣廠商也會生產(chǎn)，不過后面這幾家廠商現(xiàn)在主要生產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存的顆粒，消費市場就相對少一點。
內(nèi)存顆粒就是DRAM芯片，每家廠商技術(shù)研發(fā)實力不同，芯片設(shè)計不同，采用的制造工藝也不同，生產(chǎn)出來的芯片質(zhì)量自然也會有差別。
即使是同一家廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，也是會迭代發(fā)展的，比如海力士第一代DDR4內(nèi)存顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結(jié)尾的顆粒，民間稱之為MFR顆粒。
這些顆粒能穩(wěn)定運行在2666MHz或者2400MHz的頻率下，但是超頻潛力幾乎沒有，狂加電壓也無法成功。
隨后海力士就推出了以AFR結(jié)尾的顆粒，這代顆粒明顯改善了超頻性能，加壓即可超頻，頻率顯著提升，現(xiàn)在又迭代發(fā)展到第三代的CJR顆粒。
目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些？
那么目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些呢？我們就分廠商來說吧。
海力士
舉例時用了海力士，我們就先談海力士的顆粒。
剛剛也說了海力士第一代主推的DDR4內(nèi)存顆粒為MFR顆粒(也稱海力士 M-die），25nm制程，MFR顆粒穩(wěn)定耐用，但是超頻能力幾乎沒有，現(xiàn)在還多見于低頻的DDR4內(nèi)存中。
但是對比友商三星在顆粒上極好的超頻體質(zhì)，海力士處于了下風(fēng)。
為了改善這一情況，2015年年末開始，海力士就推出了H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）三種顆粒，宣告了AFR顆粒（也稱為海力士A-die）的到來。
通常使用21nm制程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力，只要加電壓頻率上3200MHz并不難，但是體質(zhì)并不算好，高頻下時序也很一般。
海力士CJR顆粒
是SK海力士Hynix C-die顆粒，是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒。
采用1X nm（通常為18nm)制程，由于型號“H5AN8G4NCJR”等后綴為CJR的顆粒，所以也稱CJR顆粒。
CJR顆粒體質(zhì)好，更重要的是對近年來大火的銳龍平臺兼容性非常好，上3600MHz輕輕松松，因此成了DIY玩家，特別是AMD平臺玩家的寵兒。
除此以外海力士還推出了更新一代的JJR（J-die）顆粒，但這個顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒，超頻體質(zhì)稍微不如CJR顆粒。
簡單總結(jié)一下，目前市場主流的海力士顆粒中，以體質(zhì)排序CJR>JJR>AFR>MFR,當(dāng)然不排除有個別體質(zhì)好的特例能以下犯上。
三星
三星內(nèi)存顆粒早在DDR3時代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4時代亦是如此，這里就不得不提到三星B-die這個顆粒了。
三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇，大部分為20nm制程，無數(shù)內(nèi)存超頻記錄都是由他完成，是DIY玩家心中的極品顆粒。
三星B-die對AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平臺達(dá)到4000MHz以上頻率更是基本操作，時序還很低，深受玩家喜愛。
不過我們常說的B-die顆粒，其實是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后綴系列中的BCBP顆粒。
這些顆粒是被特挑出來專門做旗艦內(nèi)存的，所以更準(zhǔn)確地說體質(zhì)好的應(yīng)該叫特挑B-die。
剩下的普通B-die 體質(zhì)雖然也很不錯，但是不具備有挑戰(zhàn)超頻記錄的實力，還有一種邊角料的B-die ，這些就是體質(zhì)最差的B-die了。
不過遺憾的是三星上年宣布停產(chǎn)B-die顆粒，一代傳奇就此落幕。
現(xiàn)在市面上已經(jīng)越來越難買到三星B-die顆粒的內(nèi)存了，有也是之前內(nèi)存廠商屯起來用于制造旗艦產(chǎn)品，價格昂貴。
接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die，新的顆粒提升了密度，單顆容量更大，讓成本降低，方便制造單條32GB或更大的內(nèi)存。
而根據(jù)三星所說A-die超能能力與B-die一致甚至更好，容量更大，M-die則次一點。
但是這么好的顆粒三星主要用于專業(yè)市場和服務(wù)器市場，消費市場還沒排到，可能等產(chǎn)能上去了我們普通消費者才能接觸到了。
除此以外目前市場上的三星顆粒還有C-die和E-die，這些體質(zhì)就相對一般了。
總結(jié)來說，就討論目前大家能買到的三星內(nèi)存顆粒體質(zhì)，特挑B-die>普通B-die>邊角料B-die>C-die≈E-die，而A-die和M-die因為市面沒買到也沒實測，就不說了。
鎂光
此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的，一般穩(wěn)定耐用，但是超頻性能沒有三星那么奪目。
鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒，也是鎂光出貨量很大的顆粒，這類顆粒穩(wěn)定耐用，但是別想著能怎么超頻了，買到了默認(rèn)用就好。
除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測中不合格的降級顆粒，這些降級內(nèi)存顆粒會打上Spectek的大S標(biāo)志，被稱為大S顆粒。
大S顆粒都是鎂光的降級片，但也有好有壞。
舉個例子，鎂光生產(chǎn)3200MHz頻率的內(nèi)存顆粒，把達(dá)不到要求的給Spectek降級成2400MHz標(biāo)準(zhǔn)處理售賣，那你不能說這些顆粒達(dá)不到3200MHz要求就是垃圾顆粒；
但也有些大S顆粒是低端內(nèi)存篩選標(biāo)準(zhǔn)篩選下來的，良率特低，這些就是垃圾顆粒了。
因此大S顆粒魚龍混雜，也是很多山寨內(nèi)存條喜歡用的內(nèi)存顆粒，不是專業(yè)能熟讀顆粒型號的DIY玩家還是避開比較好。
當(dāng)然，隨著時間推移，鎂光也和海力士一樣奮發(fā)圖強，推出了一批容易上高頻關(guān)鍵價格還不貴的顆粒，它就是最近大火，以5726MHz的成績打破DDR4內(nèi)存超頻記錄的鎂光E-die。
鎂光E-die是鎂光17年末生產(chǎn)的顆粒，只是在三星B-die停產(chǎn)之前沒什么人玩，直到19年才被神通廣大的DIY玩家發(fā)掘出來。
在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大，但電壓要加得比較高，而且時序比較難收窄。
雖然有一些瑕疵，但鎂光E-die最近還是被熱捧，因為目前鎂光E-die主要用于英睿達(dá)的原廠內(nèi)存上，價格最低的只要200多一條，非常實惠，堪稱平民法拉利。
鎂光E-die的顆粒不同型號也會有體質(zhì)上的差異，目前民間實踐過最好的是C9BJZ，其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒有明顯差距。
如果給鎂光的顆粒體質(zhì)排一個順序，大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。
看完各家小結(jié)，大家應(yīng)該都能看懂哪些顆粒比較好了，但是要是三家匯總起來應(yīng)該怎么排序呢？
不慌，這里曉邊就簡單總結(jié)了一個簡易的內(nèi)存顆粒天梯表給大家參考，有需要的小伙伴也可以保存下來。
那么內(nèi)存顆粒怎么看呢？
一般情況下內(nèi)存顆粒表面就有它的編號了，但是現(xiàn)在的內(nèi)存基本都有馬甲，對于一般消費者來說拆開馬甲看顆粒并不現(xiàn)實。
此時一個比較方便的方法就通過軟件Thaiphoon Burner，這個軟件能讀取內(nèi)存的各種信息，下面教一下大家如何使用。
百度下載該軟件后，直接打開，點擊紅框框的Read就能進(jìn)入信息頁面。
我這條就是十銓生產(chǎn)的內(nèi)存，使用的是Hynix海力士的顆粒，顆粒編號以CJR結(jié)尾，型號也寫明了是C-die，很明顯我這條內(nèi)存使用的就是海力士的CJR顆粒了。
以此類推，這條內(nèi)存就是鎂光的D9VPP E-die。
這條內(nèi)存就是三星特挑BCPB的B-die。
不過臺風(fēng)也不完全準(zhǔn)，是基于它的大數(shù)據(jù)估測的，但也八九不離十，大家想看的話記得更新軟件到最新的版本會更為靠譜一些。
總結(jié)
其實除了少部分發(fā)燒級DIY玩家以外，內(nèi)存顆粒的體質(zhì)對大部分人還是沒什么影響的，一般人買了內(nèi)存回去，開了XMP默認(rèn)用也能很舒服，本篇文章也是面向極小眾的DIY發(fā)燒級玩家。
而對于這部分發(fā)燒友，曉邊最后還給一個選購的建議。
三星的B-die已經(jīng)停產(chǎn)，現(xiàn)在基本只存在與高價的旗艦內(nèi)存中，不必過分強求，鎂光的C9BJZ是一個很好的替代品。
目前C9BJZ多用于鎂光自家的英睿達(dá)內(nèi)存中，某東平臺上自營的英睿達(dá)鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒。
目前這款內(nèi)存也是賣到漲價斷貨了，喜歡折騰的玩家可以關(guān)注。
責(zé)編：陶宗瑤