三篇了，這次講講內(nèi)存條，老規(guī)矩，先說(shuō)說(shuō)什么是內(nèi)存條。
內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道，起到緩沖和數(shù)據(jù)交換的作用。 當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤(pán)這個(gè)“倉(cāng)庫(kù)”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的生產(chǎn)效率大打折扣！為了解決這個(gè)問(wèn)題，便在CPU與外部存儲(chǔ)器之間，建了一個(gè)“小倉(cāng)庫(kù)”—內(nèi)存。
如何挑選內(nèi)存條呢？了解了內(nèi)存條的作用，那我們?cè)趺慈ミx內(nèi)存條呢？一般來(lái)說(shuō)，內(nèi)存條除了品牌不同外，主要還有容量，類型，頻率和時(shí)序，通道等方面的差別。下面我們就一一列舉。
品牌。目前主流的內(nèi)存品牌有金士頓、芝奇、威剛、美商海盜船、英睿達(dá)(鎂光)、宇瞻等，各個(gè)主流品牌之間內(nèi)存條價(jià)格差距不大。
容量。我們購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存條最關(guān)心的一個(gè)指標(biāo)就是內(nèi)存條的容量了，目前主流的內(nèi)存有8G、16G、32G單條。內(nèi)存條的容量不同，那么內(nèi)存是越大越好嗎？事實(shí)確實(shí)是內(nèi)存越大越好，但是需要根據(jù)CPU支持最大內(nèi)存決定。
類型。內(nèi)存條類型有DDR4、DDR3、DDR2、DDR，但目前主流是DDR3和DDR4的類型，不過(guò)DDR3現(xiàn)在也已經(jīng)慢慢被用戶和商家淘汰了，不同的內(nèi)存條類型頻率不同，電壓不同，接口位置也不同。所以在選購(gòu)內(nèi)存條的時(shí)候需要確認(rèn)自己電腦主板上面的是支持DDR哪一代，因?yàn)樗鼈兊慕涌谕耆灰粯印＿€要注意內(nèi)存條品牌盡量一樣，不同品牌有可能會(huì)不兼容！頻率最好也要一樣，否則會(huì)不穩(wěn)定。
頻率和時(shí)序。內(nèi)存條的頻率可以理解為運(yùn)輸貨車(chē)的載重量，頻率越大，運(yùn)輸貨車(chē)一次運(yùn)載的數(shù)據(jù)量也就越多。而時(shí)序就是我們這個(gè)倉(cāng)庫(kù)的物流人員裝貨耗費(fèi)的時(shí)間，在相同頻率下，裝車(chē)速度越快、時(shí)序越小，那么效率就越高。
通道。內(nèi)存條有單通道和雙通道之分，雙通道是指在北橋芯片機(jī)里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器，這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作，每個(gè)控制器控制一個(gè)內(nèi)存通道，從而增加了內(nèi)存的帶寬，提高了內(nèi)存反饋信息給CPU的速度。
說(shuō)完內(nèi)存條就得再說(shuō)一說(shuō)金手指，內(nèi)存條金手指是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件,由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成的部分,所有的信號(hào)都是通過(guò)他進(jìn)行傳送的。哪天你發(fā)現(xiàn)自己的電腦不亮了，就可以嘗試拆開(kāi)機(jī)箱，擦拭一下金手指，這里注意了，因?yàn)殡娔X長(zhǎng)時(shí)間使用，內(nèi)部有時(shí)候會(huì)沾上灰塵或者配件氧化，在擦金手指的時(shí)候盡量用橡皮擦和鉛筆比較穩(wěn)妥。
嗯， 大概就這么多吧，希望能幫到對(duì)電腦有需求但又不太懂的新人，歡迎補(bǔ)充和糾正內(nèi)容，文化不高，打字不易，承讓承讓[機(jī)智]
去年下半年開(kāi)始內(nèi)存價(jià)格不斷下探，到現(xiàn)在16GB DDR4 3200Hz內(nèi)存已跌至150元左右，那么內(nèi)存該怎么選呢？?jī)?nèi)存是電腦暫時(shí)存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，所有的程序運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。內(nèi)存分為不同的世代，包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4等，不同世代的內(nèi)存具有不同的頻率和帶寬。內(nèi)存容量越大，計(jì)算機(jī)運(yùn)行越流暢。不同品牌的內(nèi)存質(zhì)量也有所不同，主流品牌有金士頓、海盜船、芝奇、美商海盜船等。選擇內(nèi)存時(shí)需要考慮自己的需求，如內(nèi)存世代、容量、顆粒、頻率和品牌等因素。
內(nèi)存世代
DDR4是目前電腦內(nèi)存的主流，相比DDR3和DDR2，技術(shù)更加先進(jìn)，接口不同世代互不兼容。目前DDR5已經(jīng)上市，頻率更高，未來(lái)會(huì)逐漸成為主流。筆記本內(nèi)存形態(tài)較短，以適應(yīng)小型化的空間要求。現(xiàn)在組裝臺(tái)式機(jī)一般選擇DDR4或DDR5內(nèi)存。
內(nèi)存容量
內(nèi)存條容量是內(nèi)存能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)量，打開(kāi)一個(gè)程序時(shí)，它的數(shù)據(jù)會(huì)被暫存在內(nèi)存中，如果內(nèi)存容量不高且同時(shí)打開(kāi)多個(gè)程序，內(nèi)存就會(huì)被塞滿，導(dǎo)致電腦卡頓。現(xiàn)在主流內(nèi)存容量有8G、16G、32G和64G，消費(fèi)級(jí)主板只支持到128G內(nèi)存，線程撕裂者可以達(dá)到256G內(nèi)存。選擇內(nèi)存容量應(yīng)該根據(jù)自己的需求，夠用即可，多余的內(nèi)存容量基本上都是浪費(fèi)。實(shí)際測(cè)試表明，8G提升到16G有明顯的游戲性能提升，但16G再次提升到32G對(duì)游戲幀數(shù)等已經(jīng)沒(méi)有明顯影響。目前16G內(nèi)存幾乎可以滿足所有游戲要求，性價(jià)比較高，組裝新電腦一般建議選擇16G內(nèi)存。
內(nèi)存品牌
常見(jiàn)的內(nèi)存品牌有金士頓、威剛、三星、芝奇、海盜船、十銓、鎂光、科賦、阿斯加特、光威、影馳等。這些品牌都比較靠譜，而且提供多種規(guī)格和容量的內(nèi)存產(chǎn)品供選擇。
內(nèi)存顆粒
生產(chǎn)內(nèi)存DRAM顆粒的公司主要有三星、鎂光、海力士等幾家企業(yè)。不過(guò)，近年來(lái)我國(guó)合肥長(zhǎng)鑫實(shí)現(xiàn)了自主研發(fā)內(nèi)存顆粒，并全面上市。這標(biāo)志著中國(guó)在高品質(zhì)內(nèi)存領(lǐng)域已經(jīng)邁出了堅(jiān)實(shí)的步伐，有望在未來(lái)更多地參與到內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)中。
內(nèi)存頻率
內(nèi)存的頻率是3200、3600等，一般來(lái)說(shuō)頻率越高，速度越快，但具體也要看CPU和主板是否支持。目前主流的內(nèi)存頻率是3200，而中高端則可以上3600頻率的。最新一代硬件也開(kāi)始支持DDR5內(nèi)存，用戶也可以考慮升級(jí)。
總體來(lái)說(shuō)，如果你正在組裝電腦，建議選擇DDR4內(nèi)存，不要選擇老一代DDR3等產(chǎn)品。對(duì)于新旗艦配置，可以考慮DDR5內(nèi)存。選擇銷(xiāo)量好的主流品牌，因?yàn)樗鼈兲峁┙K身質(zhì)保，更可靠且兼容性更佳。一般用戶只需關(guān)注品牌、世代、容量、頻率即可，而超頻玩家可深入研究?jī)?nèi)存顆粒和時(shí)序等。如果你組裝了游戲電腦，選購(gòu)雙8G套條，共16G內(nèi)存，這樣可以組內(nèi)存雙通道，提升內(nèi)存帶寬。同品牌同批次內(nèi)存組雙通道兼容性更好，更穩(wěn)妥。如果想要選擇比較冷門(mén)的內(nèi)存條，先到所購(gòu)主板的官網(wǎng)查看主板支持的內(nèi)存列表，避免主板和內(nèi)存出現(xiàn)不兼容的問(wèn)題。
(8156219)
腦常用的內(nèi)存條有:金士頓，芝奇，美商海盜船，英睿達(dá)，威剛，光威，科賦，影馳，十銓，宇膽
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的內(nèi)存
1.DDR1：頻率由200-400 多見(jiàn)266 333 400 工作電壓2.5V 184針（金手指）
內(nèi)存?zhèn)鬏攷?PC 1600就是DDR 200，PC 2700就是DDR 333，PC 3200就是DDR 400 芯片封裝難看，內(nèi)存芯片露腳（長(zhǎng)方形，很清晰）
2.DDR2：頻率由400-800 多見(jiàn)533 667 800 工作電壓1.8V 240針 （內(nèi)存芯片正方形，芯腳不外露）
ddr2內(nèi)存?zhèn)鬏攷挘?.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec;PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400
3.DDR3：頻率由800-1666 多見(jiàn)1066 1333 1600 工作電壓1.5V 240針
第一，二，三代DDR（Double Data Rate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號(hào)，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
4.DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。DDR4內(nèi)存的PMIC電源管理芯片是集成在主板上的。DDR4剛上市時(shí)，主流內(nèi)存頻率一般只有2133和2400MHz，后期才進(jìn)一步將內(nèi)存頻率提升到2666Mhz或以上，目前旗艦級(jí)DDR4內(nèi)存頻率可以做到4266MHz或更高民··2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit)，同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。
5.DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。DDR5還將PMIC電源管理芯片從主板集成到內(nèi)存PCB板上面，它是智能電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的大腦，在監(jiān)控電流的同時(shí)促進(jìn)電壓斜坡和電平的可配置性，減輕主板電源管理的負(fù)擔(dān)。。DDR5內(nèi)存上市初期發(fā)布的起步頻率就是4800MHz，基本到達(dá)DDR4內(nèi)存極限了，DDR5內(nèi)存除了4800MHz頻率，同時(shí)發(fā)布的還有更高的5200MHz和6400MHz頻率，后續(xù)可能還會(huì)更高。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。DDR5相比DDR4擁有更高的能耗比！DDR4的工作電壓為1.2V，而DDR5的工作電壓下降至1.1V，功耗降低8%，意味著更加省電節(jié)能。，同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒(méi)有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒(méi)有明確過(guò)DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。
DDR2：一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V。
DDR3：一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V。其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時(shí)，功耗也在逐漸變小。
DDR3：內(nèi)存采用1.5V標(biāo)準(zhǔn)電壓，DDR3內(nèi)存金手指觸點(diǎn)是240個(gè)
DDR4：內(nèi)存則降低為1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4內(nèi)存金手指觸點(diǎn)達(dá)到了284個(gè)，而且每一個(gè)觸點(diǎn)間距只有0.85mm，因?yàn)檫@一改變，DDR4的內(nèi)存金手指部分也設(shè)計(jì)成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)用平滑曲線過(guò)渡。
因?yàn)榧嫒葜靼宀煌珼DR4和DDR3內(nèi)存無(wú)法通用，更不用說(shuō)DDR3+DDR4組建雙通道了。
DDR5相比DDR4頻率實(shí)現(xiàn)翻倍！DDR4剛上市時(shí)，主流內(nèi)存頻率一般只有2133和2400MHz，后期才進(jìn)一步將內(nèi)存頻率提升到2666Mhz或以上，目前旗艦級(jí)DDR4內(nèi)存頻率可以做到4266MHz或更高。而DDR5內(nèi)存上市初期發(fā)布的起步頻率就是4800MHz，基本到達(dá)DDR4內(nèi)存極限了，DDR5內(nèi)存除了4800MHz頻率，同時(shí)發(fā)布的還有更高的5200MHz和6400MHz頻率，后續(xù)可能還會(huì)更高。
兩根DDR4內(nèi)存才可以組建雙通道，不過(guò)DDR5內(nèi)存單根內(nèi)存就可以實(shí)現(xiàn)雙通道，通過(guò)CPU-Z檢測(cè)，如果插入一條DDR5內(nèi)存，通道數(shù)就可以識(shí)別為雙通道，但是并非是完全意義的雙通道，可以理解為偽雙通道。我們可以理解為原本DDR4內(nèi)存只有一條64Bit通道傳輸數(shù)據(jù)，雙通道為2x 64bits，而DDR5內(nèi)存是通過(guò)拆分為2條32Bits，從而達(dá)到了1根內(nèi)存雙通道的效果，當(dāng)然想要達(dá)到真正的雙通道理想值，還需要使用2根內(nèi)存組件。
DDR4和DDR5在防呆口位置有略微的變動(dòng)，意味著兩者不能相互兼容，想要支持DDR5內(nèi)存，那么主板必須要配備DDR5插槽才可以兼容DDR5內(nèi)存，無(wú)法使用在DDR4插槽中。DDR5相比DDR4擁有更高的能耗比！
DDR4的工作電壓為1.2V，而DDR5的工作電壓下降至1.1V，功耗降低8%，意味著更加省電節(jié)能。