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因受液晶面板供貨緊缺，近期液晶面板持續(xù)上漲，面板廠針對40吋、43吋等級面板喊出調(diào)漲5美元的聲音，預(yù)期43吋面板本月可望重回百美元大關(guān)。WitsView指出，面板報價可望一路漲到9月，整個第3季40吋、43吋面板有機會大漲10%-15%，面板廠營運將可望重返獲利軌道。據(jù)WitsView分析，7月、8月逐漸進入傳統(tǒng)旺季，另一方面受到日韓面板廠生產(chǎn)線調(diào)整影響，在預(yù)期心理之下，7月份面板拉貨力道增強，特別是中尺寸電視面板。第3季面板需求有撐，預(yù)期這一波面板價格調(diào)漲的走勢至少可以延續(xù)到9月。

4K超高清電視報價

今日降價機型→長虹55G6

長虹55G6是一款55英寸4K超高清電視，這款電視不僅搭載了4K超高清分辨率，還具有流行的曲面屏設(shè)計，適合比較喜歡觀看電影大片的用戶。電視內(nèi)置了64位高性能A53處理器，配以安卓5.1智能系統(tǒng)，帶有騰訊影視平臺，視頻資源豐富。目前在京東商城中，特價預(yù)約促銷，從4599元降至3999元，降幅達到了600元之多，值得入手。

這款長虹曲面屏電視有著4000R黃金曲率設(shè)計，符合人體工程學(xué)設(shè)計，讓觀眾體驗到身臨其境的現(xiàn)場感。自動景深優(yōu)化功能，可以針對屏幕的不同區(qū)域進行不同的對比度增強，可以讓圖像的層次感更加豐富。HDR技術(shù)的加入，可以讓畫面明處和暗處的細節(jié)表現(xiàn)更好。

長虹55G6內(nèi)置了騰訊視頻點播平臺，用戶可以隨時觀看到正版視頻節(jié)目資源。內(nèi)容方面包括綜藝娛樂、影視劇、電影大片等等，更為人性化的是還提供了4K專區(qū)內(nèi)容。另外，通過內(nèi)置的騰訊游戲功能，各種游戲都可以隨時暢玩。更多4K超高清電視報價請看下表：

當(dāng)前的市場環(huán)境下，臺式機由于太笨重，逐漸不太受學(xué)生群體歡迎，除了一些特殊場合外，絕大部分學(xué)生用戶都考慮使用更加輕薄便攜的設(shè)備。再加上平板產(chǎn)品開始高速發(fā)展，因此，一些學(xué)生朋友也將目光轉(zhuǎn)向了市場上熱銷的部分Windows平板。不過問題來了，究竟應(yīng)該怎樣選擇Windows平板，才更符合自己的需求呢？

Windows平板分類談

一般來說，在購買一款產(chǎn)品之前，一定要先明確自己的需求。究竟學(xué)生使用Windows平板做什么呢？需求是什么呢？

應(yīng)用多面手，選高性能平板

對一些學(xué)生用戶來說，他們需要一臺性能不但可以滿足學(xué)習(xí)軟件，也可以運行一些游戲娛樂的平板。比如平常可以用來看課件，或者需要使用一些設(shè)計類軟件，這就需要平板具有一定的圖形性能，能流暢運行PhotoShop、AutoCAD等應(yīng)用。對這些用戶而言，核心問題就是性能，因此選擇一臺性能比較好、整體配置比較高的Windows平板比較合適，比如采用了目前最新的英特爾Core M處理器、超低電壓版英特爾Core i5、Core i7等處理器的平板，性能屬于平板中的頂尖水平，能夠流暢完成學(xué)生所需的絕大部分應(yīng)用。根據(jù)測試來看，這類平板的集成顯卡性能也很不錯，甚至可以流暢運行《英雄聯(lián)盟》等網(wǎng)絡(luò)游戲，也能給學(xué)生們枯燥的學(xué)習(xí)生活帶來一些樂趣。

注重娛樂，找準(zhǔn)自身需求

還有一類學(xué)生用戶，雖然對性能要求不高，但是對平板的娛樂性能有一定需求。大部分這類用戶在使用方面只需要滿足網(wǎng)頁瀏覽、音樂欣賞、視頻觀看等即可，在產(chǎn)品選擇方面根據(jù)不同的需求，有些更為重視輕薄便攜，有些更為重視屏幕質(zhì)量，有些則更看重平板的網(wǎng)絡(luò)配置。

總的來說，這類產(chǎn)品的選擇面非常廣，用戶可以自己的價格和需求來選擇。比如輕薄型用戶，在購買時一方面要考慮重量和尺寸，但是也不能忽視續(xù)航時間。另外，輕薄型產(chǎn)品的握持感受也需要注意，一些平板雖然尺寸較小，但屏幕邊框很寬，使得用戶難以單手握持。此外，如果用戶經(jīng)常外出的話，那么平板是否支持3G或者4G網(wǎng)絡(luò)規(guī)格也就非常重要了。如果用戶喜歡看電影、瀏覽照片或者將平板用作展示使用，那么屏幕的素質(zhì)也必須考慮。

注重辦公性能，配件要齊全

還有一些平板用戶，他們時常需要在平板上輸入各種文字，并且更為注重辦公性能。對這類用戶而言，平板的配件就顯得很重要了。是否標(biāo)配有合適的鍵盤，輸入手感如何，是否便于攜帶，是否有手寫筆存在，功能體驗好不好，都非常影響平板在辦公領(lǐng)域的使用。

因此，在選購這一類產(chǎn)品時，除了平板本身的素質(zhì)以外，一定要注意與之搭配的外設(shè)是否足夠好用。下面就一起來看看我們根據(jù)這三個分類精心挑選的幾款Windows平板吧。

高性能平板推薦

微軟Surface Pro 3

微軟Surface Pro 3毫無疑問是一款最頂級的Windows平板。我們推薦的這款產(chǎn)品售價高達九千多，不過考慮其強悍的性能、精湛的做工和強大的功能，完全物有所值。

它配備Core i7超低電壓版處理器、8GB內(nèi)存和256GB的存儲空間—都屬于目前平板中數(shù)一數(shù)二的配置，另外還有高分辨率并且色彩極為準(zhǔn)確的屏幕、使用非常方便的Surface Pen。

最令人驚訝的是它的重量僅有800余克，續(xù)航時間卻最長可達9小時。這款平板非常適合對性能、工藝、色彩和續(xù)航時間有要求的學(xué)生，它完全可以當(dāng)作一臺高性能的主力筆記本電腦使用。

華碩Transformer Book T3 Chi Pro

華碩 Transformer Book T3Chi Pro實際上是介于筆記本電腦和平板之間的一款二合一產(chǎn)品。它的鍵盤和屏幕可以完全拆分開來，瞬間化身為一款平板，當(dāng)然需要鍵盤的時候也可以插上去當(dāng)作筆記本電腦使用。

T3 Chi Pro的處理器采用了英特爾Core M-5Y71，頻率和性能在Core M家族中都屬于佼佼者。8GB內(nèi)存，128GB SSD，支持USB 3.0、MicroHDMI等接口，整體配置比較出色。

價格方面，6999元也不算便宜，但考慮其不錯的性能、做工和設(shè)計，依舊值得推薦。

酷比魔方 i7

酷比魔方 i7的名字起得比較有迷惑性，猛一看讓人誤以為是采用了英特爾Core i7。實際上這款電腦采用的是Core M-5Y10處理器，最高主頻可達2.0GHz。由于處理器單核心性能非常出色，因此在很多注重單核應(yīng)用的場合，比以往平板上使用的英特爾Atom處理器有著更為出色的性能表現(xiàn)。

存儲方面，這款平板配備了4GB內(nèi)存和128GB存儲，能滿足用戶的基本需求。最值得稱道的是價格僅3599元，適合既要高性能，又追求性價比的學(xué)生用戶選購。

多功能娛樂平板推薦

昂達V919 3G Core M

昂達V919 3G Core M是一款非常全能的平板。這款產(chǎn)品采用了英特爾Core M-5Y10C處理器，搭配4GB內(nèi)存和64GB SSD，整體性能表現(xiàn)相當(dāng)不錯。

屏幕方面，使用了OGS全貼合IPS屏幕，分辨率也達到了視網(wǎng)膜水準(zhǔn)，再搭配9.7英寸的屏幕，用來看視頻和電影是再好不過了。不過這個版本的內(nèi)置存儲容量只有64GB，安裝完系統(tǒng)后大概只有30GB給用戶使用，好在它支持TF卡擴展。

值得一提的是，它還擁有3G上網(wǎng)功能，并且支持雙系統(tǒng)，下載相關(guān)固件后，即可在Windows 8.1和Android 5.0兩大平板系統(tǒng)中來回切換使用。

藍魔i100pro

藍魔i100Pro整體外觀設(shè)計非常出色，白色的機身搭配金屬后蓋讓人眼前一亮。這款平板采用了英特爾Atom Z3735F處理器，最高頻率1.83GHz，基本可以滿足用戶日常使用需求了。

屏幕配置上，搭配了三星的IPS屏幕，分辨率為1080p全高清，整體視覺體驗相當(dāng)不錯。續(xù)航能力方面，官方宣傳最高可以提供11小時的使用時間。此外，藍魔i100Pro也支持Windows和Android雙系統(tǒng)。

七彩虹i898W

售價不到700元的七彩虹i898W采用了英特爾Atom Z3735F處理器，主頻最高可達1.83GHz，存儲系統(tǒng)方面2GB內(nèi)存搭配32GB存儲空間，剛剛夠用，不過用戶可以使用TF卡擴充容量。

外觀材質(zhì)方面，i898W采用了鋁合金設(shè)計，整體手感相當(dāng)不錯。作為一款8.9英寸的平板電腦、其重量只有830克，非常方便攜帶。對平板功能要求不高且追求性價比的用戶可以考慮選購這款產(chǎn)品。

辦公平板推薦

聯(lián)想ThinkPad 10

作為主打商業(yè)用戶的品牌，這款ThinkPad 10平板的特點在于同時標(biāo)配了手寫筆和鍵盤，既能讓用戶方便的指點屏幕，處理辦公事務(wù)，也可以通過實體鍵盤快速輔助輸入，比在屏幕上敲擊虛擬鍵盤手感更好、更出色。

配置方面，英特爾Atom Z3795基準(zhǔn)頻率1.6GHz，最大頻率則達到了2.4GHz，可以滿足用戶絕大部分使用需求。此外，這款平板還能夠通過鍵盤、擴展塢等變身筆記本電腦或桌面電腦，為用戶提供更多方便，值得推薦。

戴爾V10 Pro 5055

戴爾V10 Pro 5055也是一款主打商務(wù)功能的平板。它的處理器采用了英特爾Atom Z3735F，配備2GB內(nèi)存和64GB存儲空間，支持用戶選配獨立的鍵盤和手寫筆，能夠大幅度提升商務(wù)辦公的實際體驗。

此外，V10 Pro 5055的鍵盤還可以和機身翻轉(zhuǎn)搭配，變成展覽模式，方便用戶向第三方展示設(shè)計和創(chuàng)意等內(nèi)容。總的來說，整體做工和設(shè)計都很不錯，支持存儲卡擴展，并且設(shè)計了好用的鍵盤和手寫筆，也是一款值得選擇的高性價比商務(wù)平板。

微軟Surface 3

相比Surface Pro 3，Surface 3作出了一定精簡，不過核心設(shè)計依舊保留了下來，包括精湛的做工、可調(diào)節(jié)的支撐架、輕薄的機身和高清晰屏幕。

在硬件方面，Atom X7-Z8700是目前英特爾Atom家族最強悍的處理器，微軟宣稱其在某些測試下可以達到英特爾Core i3 80%的性能，完全可以滿足用戶日常辦公需求。Surface 3在商務(wù)辦公上的最大優(yōu)勢是可以搭配鍵盤蓋和觸控筆使用，還免費贈送Office 365個人版一整年的訂閱服務(wù)。

總的來看，對于學(xué)業(yè)繁重的學(xué)生用戶來說，如果預(yù)算緊張，無法承受Surface Pro 3的話，不妨考慮Surface 3，它也能帶給你不錯的使用體驗。

019年，消費類電源市場迎來了氮化鎵快充充電器；在2020年中，氮化鎵更是在快充領(lǐng)域的應(yīng)用進入快車道，市場規(guī)模增長極為迅速。市售熱門氮化鎵充電器數(shù)量已經(jīng)多達數(shù)百款，十余家知名手機品牌以及上百家數(shù)碼配件品牌相繼入局。氮化鎵快充也成為眾多快充電源廠商重點布局的產(chǎn)品線。

氮化鎵快充技術(shù)普及，不僅僅只是成品數(shù)量的增加；在芯片層面，氮化鎵功率器件供應(yīng)商從原來的幾家增至十余家，產(chǎn)品類型各式各樣，主控芯片品牌也多達十余款，為后續(xù)氮化鎵快充市場多樣化的發(fā)展打通了最為關(guān)鍵的一個環(huán)節(jié)。

今天這篇文章就跟大家聊一聊實現(xiàn)氮化鎵快充必備的主控芯片。

一、氮化鎵快充市場規(guī)模

氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。

也正是得益于這些性能優(yōu)勢，氮化鎵在消費類快充電源市場中有著廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，目前已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達數(shù)百款。華為、小米、OPPO、魅族、三星、中興、努比亞、魅族、realme、戴爾、聯(lián)想等多家知名手機/筆電品牌先后入局，蘋果也將在2021年推出氮化鎵快充。

另有數(shù)據(jù)顯示，在以電商客戶為主的充電器市場，2019年氮化鎵功率器件出貨量約為300萬-400萬顆，隨著手機以及筆記本電腦滲透率進一步提升，2020年將實現(xiàn)5-6倍增長，總體出貨1500-2000萬顆，2021年GaN器件的出貨量有望達到5000萬顆。預(yù)計2025年全球GaN快充市場規(guī)模將達到600多億元，市場前景異常可觀。

二、氮化鎵控制器分類

充電頭網(wǎng)通過調(diào)研了解到，目前市場上的氮化鎵控制器按照不同的分類規(guī)則，可以劃分為不同的類型。比如按照芯片集成度來劃分，可以分為分立式氮化鎵控制器以及合封氮化鎵控制器兩種；按照拓撲架構(gòu)來分，則可以分為LLC、ACF、QR三種主流的類型。

分立式氮化鎵控制器：這種控制器在市面上應(yīng)用較為廣泛，最為經(jīng)典的代表是安森美NCP1342。同時，隨著半導(dǎo)體國產(chǎn)化的趨勢，很多本土電源芯片企業(yè)也開發(fā)了氮化鎵控制器，并且相比NCP1342而言，還再用了內(nèi)置驅(qū)動的設(shè)計，可以直驅(qū)氮化鎵功率器件，實際應(yīng)用中可做到更加精簡的外圍設(shè)計。

合封氮化鎵控制器：以老牌電源芯片品牌PI為代表，其基于InSOP-24D封裝，推出了十余款合封主控、氮化鎵功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化鎵的 PowiGaN芯片，獲眾多品牌青睞，成為了合封氮化鎵快充芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。

此外在本土供應(yīng)商中，東科半導(dǎo)體率先推出兩款合封氮化鎵功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q，這兩款芯片在節(jié)約系統(tǒng)成本，加速產(chǎn)品上市方面均有著巨大的優(yōu)勢，并有望在2021年量產(chǎn)。

LLC架構(gòu)：LLC架構(gòu)屬于雙管半橋諧振，采用諧振電感、勵磁電感和諧振電容串聯(lián)，故名LLC。采用零電壓開關(guān)（ZVS）軟開關(guān)技術(shù)，具有工作頻率高、損耗小、效率高、體積小的優(yōu)點，可提高充電器功率密度。

LLC架構(gòu)諧振操作可實現(xiàn)全負載范圍的軟開關(guān)，減小開關(guān)損耗，從而成為高頻和高功率密度設(shè)計的理想選擇，適合固定電壓輸出，EMI特性更好。尤其是應(yīng)用在多口輸出的大功率快充電源產(chǎn)品中，LLC架構(gòu)輸出固定電壓+二次降壓實現(xiàn)多口PD快充的方式，具有效率高、功率大的特點。

值得一提的是，LLC架構(gòu)配合GaN開關(guān)元件，還能夠有效降低驅(qū)動開銷，降低導(dǎo)通損耗與關(guān)斷損耗，提升效率與工作頻率，進一步提升充電器功率密度。

充電頭網(wǎng)通過往期的近百款氮化鎵快充案例的拆解發(fā)現(xiàn)，在百瓦大功率快充產(chǎn)品中，目前已有安森美、NXP、MPS等品牌LLC控制器得到廣泛應(yīng)用；此外，英飛凌、矽力杰、TI等業(yè)界一流芯片廠商均已推出了適用于大功率快充的LLC控制器。

ACF架構(gòu)：全稱Active Clamp Flyback，也稱有源鉗位反激，ACF架構(gòu)是能夠?qū)崿F(xiàn)軟開關(guān)的拓撲電路，由于軟開關(guān)可以實現(xiàn)零電壓開通（Zero Voltage Switching，ZVS）或零電流關(guān)斷（ZeroCurrent Switching，ZCS），所以實現(xiàn)軟開關(guān)能夠減小ACF電路中開關(guān)管的開關(guān)損耗。

ACF架構(gòu)在實際工作時，電路中開關(guān)管的運行狀態(tài)可能處于過軟開關(guān)狀態(tài)、硬開關(guān)狀態(tài)或者軟開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)開關(guān)管為軟開關(guān)狀態(tài)時，整個電路的開關(guān)損耗最低，效率最高。

目前市面上基于ACF架構(gòu)開發(fā)的氮化鎵充電器有小米65W氮化鎵充電器、OPPO 50Ｗ餅干氮化鎵快充、華為65W雙口氮化鎵充電器以及RAVPOWER 45W氮化鎵充電器等，這些產(chǎn)品采用的ACF控制器均來自TI。

QR反激架構(gòu)：又稱準(zhǔn)諧振電源，反激式開關(guān)電源因電路簡潔、設(shè)計難度相對較低、性價比高、容易實現(xiàn)多路輸出而在氮化鎵快充中得到廣泛應(yīng)用。目前市面上量產(chǎn)的氮化鎵快充充電器中，80%以上均基于QR反激架構(gòu)開發(fā)。

適用于QR反激架構(gòu)的氮化鎵控制器，典型代表為安森美NCP1342。自2020年以來，諸多本土電源芯片廠商陸續(xù)布局氮化鎵控制器產(chǎn)品線，紛紛推出了內(nèi)置驅(qū)動的QR反激控制器。其中南芯QR控制芯片率先量產(chǎn)，從而標(biāo)志著氮化鎵快充三大核心芯片全面實現(xiàn)自主可控。

三、氮化鎵控制器盤點

充電頭網(wǎng)通過調(diào)研了解到，目前市面上已有13家品牌推出了30款氮化鎵控制器，可滿足USB PD標(biāo)準(zhǔn)下全功率范圍的產(chǎn)品設(shè)計需求。詳細信息如下表：

通過表格可以看到，除了常見的進口芯片品牌之外，國內(nèi)已有南芯半導(dǎo)、美思迪賽、亞成微、杰華特、必易微、矽力杰等多家電源芯片原廠布局了氮化鎵控制器產(chǎn)品線，并且同時覆蓋了QR、ACF、LLC三種架構(gòu)類型。

據(jù)悉，目前已有多款基于國產(chǎn)控制器開發(fā)的氮化鎵快充方案幾近量產(chǎn)，極大豐富了快充電源廠商的選型需求。下面充電頭網(wǎng)為大家一一介紹各品牌的氮化鎵控制器，看看他們分別有哪些特色。

DK東科

1、東科DKG045Q

東科DKG045Q內(nèi)部集成了650V/200mΩ導(dǎo)阻的GaN HEMT、邏輯控制器、GaN驅(qū)動器和高壓啟動管，采用反激方式，DFN5x6mm封裝，輸出功率45W，最高工作頻率150KHz。

相比傳統(tǒng)控制器+驅(qū)動器+GaN的電路，采用東科DKG045Q只需要一顆芯片即可完成原有三顆芯片才能完成的功能，電源系統(tǒng)設(shè)計更加簡潔化。同時東科DKG045Q還具有多種操作模式，可以降低待機功耗，提高輕載效率，并且芯片還內(nèi)置完善的保護功能，增加系統(tǒng)可靠性。

2、東科DKG065Q

東科DKG065Q采用QFN8*8封裝，內(nèi)部集成來自英諾賽科的650V/130mΩ導(dǎo)阻的GaN HEMT、邏輯控制器、GaN驅(qū)動器和高壓啟動管，采用反激方式，支持最大65W的輸出功率，最高工作頻率140KHz。

infineon英飛凌

1、英飛凌IDP2308

英飛凌近期推出一款多模式PFC和LLC控制器IDP2308，芯片集成了浮動高側(cè)驅(qū)動器和啟動單元。數(shù)字引擎為多模式操作提供高級算法，以支持整個負載范圍內(nèi)的最高效率，實現(xiàn)了全面且可配置的保護功能。采用DSO-14封裝，僅需要最少的外部組件。

芯片集成的高壓啟動單元和先進的突發(fā)模式可實現(xiàn)低待機功率；此外還集成了一個一次編程 （OTP） 單元，以提供一組廣泛的可配置參數(shù)，有助于簡化相位設(shè)計。

英飛凌IDP2308支持同步PFC和LLC突發(fā)模式控制，PFC驅(qū)動器可配置并支持多模式，優(yōu)化效率。可配置非線性LLC VCO曲線，軟啟動可配置，支持交流電壓感應(yīng)和X電容放電，最高支持300kHz工作頻率。可以充分利用GaN器件的高頻優(yōu)勢，低Qg、低Coss和低導(dǎo)通阻抗，實現(xiàn)效率和功率密度的提高，性能明顯優(yōu)于LLC+傳統(tǒng)MOS的搭配。IDP2308支持可配置的保護功能，外圍元件極簡。

JOULWATT杰華特

1、杰華特JW1550

杰華特JW1550是一款有源鉗位反激控制器，可以實現(xiàn)ZVS開通，提高效率，滿足高頻應(yīng)用的需求；同時回收漏感能量，進一步提高效率；芯片加入抖頻功能，改善系統(tǒng)的EMI性能；同時支持X-cap放電；供電內(nèi)置Boost電路，適合寬范圍輸出應(yīng)用，并且節(jié)省供電損耗；外圍電路簡單，方便應(yīng)用。

為了展示JW1550芯片的性能，杰華特目前已經(jīng)基于該芯片開發(fā)出了一套65W氮化鎵快充參考設(shè)計，該方案搭配軟線變壓器，具有外圍芯片簡潔、高頻、高效等特點。

2、杰華特JW1515H

杰華特JW1515H高性價比的高頻QR反激控制器，具備高耐壓供電pin，最高供電電壓高達90V，可由輔助繞組直供，無需采用LDO、Boost、雙繞組供電等方式即可輕松適配寬輸出電壓范圍；高可靠的GaN直驅(qū)，6V驅(qū)動電壓可直接驅(qū)動GaN器件。

杰華特JW1515H電流檢測采用負電壓采樣技術(shù)，最大限度減小驅(qū)動回路滿足高頻應(yīng)用；可選且可調(diào)的OCP與OPP功能，針對不同PD輸出規(guī)格，可以選擇最合適的保護功能，無需增加外圍器件即可滿足LPS要求；同時具備高壓啟動、X-cap放電、獨立外部OTP功能，輕松應(yīng)對多重需求。

KIWI必易

1、必易KP2202

必易KP2202是一款高性能氮化鎵快充控制器，其內(nèi)置高壓啟動功能，并集成了AC輸入掉電檢測與X電容放電功能；芯片擁有±1%恒壓精度；超低啟動/工作電流，待機功耗小于30mW；支持低谷鎖定模式，最高工作頻率分500kHz、300kHz、140kHz三檔可調(diào)；通過峰值電流抖動實現(xiàn)抖頻功能；VDD供電范圍8-100V。

目前必易微電子已經(jīng)根據(jù)KP2202開發(fā)出了一套65W氮化鎵快充參考設(shè)計，得益于芯片內(nèi)置驅(qū)動，外圍電路精簡，可搭配市面上主流的GaN功率器件開發(fā)高頻、高效、高功率密度的氮化鎵快充方案。

MIX-DESIGN美思迪賽

1、美思迪賽MX6535

美思迪賽MX6535是國內(nèi)首顆具備量產(chǎn)條件的氮化鎵快充主控制芯片，打破了國內(nèi)沒有氮化鎵控制IC和驅(qū)動IC的局面。其可以實現(xiàn)精準(zhǔn)的多級恒壓和多級恒流調(diào)節(jié)，而無需傳統(tǒng)的二次電流反饋電路；采用美思迪賽第二代Smart-Feedback技術(shù)，它不僅消除了傳統(tǒng)電源的電壓電流反饋電路補償網(wǎng)絡(luò)的需要，并能在所有操作條件下寬范圍輸出時（3.3V~20V）保持系統(tǒng)穩(wěn)定性。

同時，具備全面的保護功能和故障解除系統(tǒng)自動恢復(fù)功能，包括逐周期電流限制、不同輸出電壓自適應(yīng)的過電壓保護、反饋回路開路保護、芯片內(nèi)外部OTP功能等。

MX6535與同樣出自美思迪賽半導(dǎo)體集成同步整流的二次側(cè)快充協(xié)議SOC控制器搭配設(shè)計，能非常方便的實現(xiàn)18W~100W的USB PD或者QC小體積的快充電源設(shè)計，內(nèi)部先進的數(shù)字控制系統(tǒng)可根據(jù)手機的輸出能力請求實現(xiàn)快速平穩(wěn)的電壓和功率轉(zhuǎn)換。此外MX6535還可以根據(jù)用戶需求實現(xiàn)兼容聯(lián)發(fā)科（MTK）PE2.0 plus充電器協(xié)議。

美思迪賽MX6535搭配自家的次級芯片可以實現(xiàn)超精簡超高集成度的設(shè)計，在開發(fā)65W氮化鎵快充產(chǎn)品時，只需一塊PCB就能完成緊湊的結(jié)構(gòu)設(shè)計，且整塊PCB板尺寸僅兩枚硬幣大小。這一方面得益于MX6535內(nèi)置了氮化鎵驅(qū)動，并消除了傳統(tǒng)的二次反饋電路；另一方面也得益于次級芯片內(nèi)置同步整流控制器和協(xié)議識別，并通過數(shù)字算法把傳統(tǒng)初次級電壓及電流RC環(huán)路補償網(wǎng)絡(luò)直接省去。

MPS

1、MPS HR1211

MPS HR1211將PFC控制器和LLC控制器整合到一個封裝里面，其數(shù)字內(nèi)核并可根據(jù)負載情況進行聯(lián)動控制，獲得更高的輕載效率。

重負載下，CCM模式可降低MOS管的峰值電流；輕負載下，DCM模式可降低開關(guān)頻率從而提高效率。數(shù)字編程的Burst模式，可提升輕載效率和降低音頻可聞噪聲。HR1211采用電流模式控制的LLC級，可實現(xiàn)高穩(wěn)定性和快速響應(yīng)。根據(jù)不同的負載條件，芯片在連續(xù)，跳周期和Burst模式運行。可在不同的負載條件下獨立優(yōu)化效率。

HR1211采用數(shù)字控制內(nèi)核，芯片內(nèi)置多個獨立的ADC用于檢測輸入電壓，PFC輸出電壓，LLC反饋電壓和PFC峰值開關(guān)電流。檢測數(shù)值送到HR1211內(nèi)置的數(shù)字控制內(nèi)核進行比較，配合芯片內(nèi)專有的數(shù)字算法，進行實時反饋控制。HR1211支持多種完善的保護措施，如熱關(guān)斷、PFC開環(huán)保護、過壓保護、過流限制和過流保護、超功率保護等多重保護。值得一提的是，HR1211空載待機功耗＜100mW。

同時HR1211支持高壓啟動，智能X電容放電。PFC級工作頻率最高250kHz，支持可編程的抖頻，可編程的軟啟動和Burst，可編程的AC欠壓保護，逐周期電流限制和其他保護功能。

電流模式的LLC控制器具有600V半橋驅(qū)動器，內(nèi)部集成自舉二極管，高達500kHz工作頻率，自適應(yīng)死區(qū)時間調(diào)整，具有可編程的跳周期和Burst頻率，軟啟動可編程，可編程的直流輸入欠壓保護，容性保護，保護鎖定或自恢復(fù)。

NXP恩智浦

1、NXP TEA2016AAT

NXP TEA2016AAT芯片內(nèi)部集成高壓啟動，內(nèi)部集成LLC和PFC控制器以及對應(yīng)的驅(qū)動器。TEA2016AAT集成X電容放電，正常輸出信號指示。芯片采用谷底/零電壓開關(guān)以減小開關(guān)損耗，全負載范圍內(nèi)都保持高轉(zhuǎn)換效率，并且符合最新的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)，空載輸入功率＜75mW。同時TEA2016AAT還具有完整全面的保護功能，包括電源欠壓保護，過功率保護，內(nèi)部和外部過熱保護，精確的過壓保護，過流保護和浪涌保護等保護功能。

TEA2016AAT 是一款面向高效諧振電源的數(shù)字可配置LLC和PFC組合控制器。同時集成了 LLC 控制器功能以及 DCM 和 QR 模式下工作的PFC控制器。借助TEA2016AAT可以構(gòu)建出完整的諧振電源，不僅設(shè)計簡單，所需組件數(shù)也很少。TEA2016AAT采用薄型窄體 SO16 封裝。

TEA2016AAT采用數(shù)字架構(gòu)，基于高速數(shù)字內(nèi)核控制器，在開發(fā)過程中可調(diào)節(jié)LLC和PFC控制器的工作和保護設(shè)置，并根據(jù)設(shè)置值運行，為獲得高度可靠的實時性能提供了保障。

TEA2016AAT/TEA1995T的組合讓我們能夠輕松地設(shè)計高效可靠的電源，這些電源提供90W至500W的功率，而且外部元器件數(shù)非常少。該系統(tǒng)提供非常低的空載輸入功率（< 75 mW ；整個系統(tǒng)包括 TEA2016AAT/TEA1995T 組合），在最低到最高的負載下均保持高效率。該電源符合能源之星、美國能源部、歐盟生態(tài)設(shè)計指令、歐盟行為準(zhǔn)則的能效法規(guī)，且滿足其他一些準(zhǔn)則。因此，可以省略任何輔助低功率電源。

ON安森美

1、安森美NCP1342

安森美NCP1342是一顆高頻初級PWM控制器，內(nèi)置主動X2電容放電和多重完善的保護功能。

安森美NCP1342規(guī)格資料。

2、安森美NCP13992

安森美NCP13992采用SO-16無鉛封裝，是一款用于半橋諧振轉(zhuǎn)換器的高性能電流模式控制器。此控制器內(nèi)置600V門極驅(qū)動器，簡化布局，減少了外部部件數(shù)量。在需要PFC前級的應(yīng)用中，NCP13992可輸出驅(qū)動信號控制PFC控制器,此功能結(jié)合專門的無噪聲跳過模式技術(shù)進一步提高了整個應(yīng)用的輕負載能效。

安森美NCP13992提供了一套保護功能，可實現(xiàn)在任何應(yīng)用中的安全運行。其中包括：過載保護、防止硬開關(guān)周期的過電流保護、欠電壓檢測、開路光耦合器檢測、自動停滯時間調(diào)節(jié)、過電壓 (OVP) 和高溫 (OTP) 保護。可用于筆記本適配器、液晶電視、大功率適配器、電腦電源、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用和照明應(yīng)用。

PI

1、PI SC1933C

PI SC1933C內(nèi)置GaN功率器件，屬于PI的PowiGaN系列，也是PI推出的首款GaN電源產(chǎn)品，支持寬輸入范圍下65W輸出。得益于氮化鎵功率器件高頻率低損耗的優(yōu)勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

PI SC1933C無需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與外接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作，因此適用于高效率反激式設(shè)計，內(nèi)置同步整流控制器和反饋，更加節(jié)省外部元件。

2、PI SC1936C

SC1936C芯片是PI最新發(fā)布的內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN主控芯片，寬電壓范圍下，適配器殼體中最大75W連續(xù)功率。

3、PI INN3279C

PI INN3279C內(nèi)置750V PowiGaN技術(shù)，適配器密閉環(huán)境中寬電壓輸入可輸出65W，這里降額使用是為了降低發(fā)熱。PI全集成IC內(nèi)部集成準(zhǔn)諧振反激控制器和集成的主開關(guān)管，同步整流控制器和內(nèi)置反饋，以及恒功率輸出。

4、PI INN3370C

PI INN3370C集成了高壓開關(guān)、同步整流和FluxLink反饋功能的數(shù)控恒壓/恒流離線反激式準(zhǔn)諧振開關(guān)IC，并使用PowiGaN技術(shù)，內(nèi)置750V耐壓GaN開關(guān)管，最大支持100W輸出，在i2c數(shù)傳動態(tài)高精度控制的同時，INN3370C還內(nèi)置一路3.6V輸出為外置協(xié)議IC供電。

5、PI INN3379C

PI INN3379C采用PowiGaN技術(shù)，內(nèi)置PWM控制器、高壓MOS、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用數(shù)字總線控制調(diào)壓。寬電壓范圍條件下，密閉外殼內(nèi)可以輸出65W功率。

Reactor-Micro亞成微

1、亞成微RM6601SN

亞成微 RM6601SN是一款高性能高可靠性電流控制PWM控制器，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)，并且支持CCM/QR混合模式。

亞成微RM6601SN集成多種工作模式，在重載情況下，系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻 130KHz 的 PWM 模式下，在低壓輸入時會進入 CCM 模式；在重載情況下，系統(tǒng)工作在 QR 模式，以降低開關(guān)損耗，同時結(jié)合 PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6601SN 采用專有驅(qū)動技術(shù)，直驅(qū)E-MODE GaN功率器件，提高產(chǎn)品效率及功率密度，簡化EMI濾波電路設(shè)計，降低EMI器件成本，完美應(yīng)用于大功率快速充電器。

在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在 Burst Mode 模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6601SN 本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善 EMI。

RM6601SN 同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCC過壓保護，內(nèi)置過熱保護，外置過壓保護，欠壓鎖定，逐周期過流保護，過載保護，短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償功能。

2、亞成微RM6801SN

亞成微RM6801SN是一款E-Mode GaN FET直驅(qū)控制ZVS反激芯片，這也是國內(nèi)首個直驅(qū)氮化鎵功率器件ZVS反激控制器，填補了國內(nèi)空白。

亞成微RM6801SN是一款高性能高可靠性電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，內(nèi)置700V高壓啟動、X-cap放電、可調(diào)交流輸入Brown in/out等功能，工作頻率高達130KHz，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)；并且支持CCM/QR混合模式以及擁有完備的各種保護功能，專有ZVS技術(shù)降低GaNFET開關(guān)損耗，改善EMI特性。

亞成微RM6801SN采用專有驅(qū)動技術(shù)，直驅(qū)E-MODE GaN功率器件，提高產(chǎn)品效率及功率密度，簡化EMI濾波電路設(shè)計，降低EMI器件成本，可以應(yīng)用于大功率快速充電器。

SOUTHCHIP南芯半導(dǎo)體

1、南芯SC3021A

南芯SC3021A最高支持170KHz工作頻率，適用于繞線式變壓器，可搭配RM8（LM8）繞線式變壓器。南芯SC3021A滿足各類高頻QR快充需求，采用專有的GaN直驅(qū)設(shè)計，省去外置驅(qū)動器或者分立驅(qū)動器件；集成分段式供電模式，單繞組供電，無需復(fù)雜的供電電路；內(nèi)置高壓啟動及交流輸入Brown In/Out功能，集成了X-cap放電功能。

基于南芯SC3021A+SC3503+SC2151A方案開發(fā)的65W單口繞線變壓器氮化鎵快充方案，PCB板尺寸可做到54*30*23mm，功率密度達1.7W/cm3，具有BOM極簡、高性價比、高功率密度等特點。并且支持PD、PPS、AFC、FCP、SCP、VOOC等快充協(xié)議，具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A和3A PPS電壓檔位。

2、南芯SC3021B

南芯SC3021B支持最高260KHz工作頻率，專為平面變壓器設(shè)計，也是首批國產(chǎn)GaN直驅(qū)控制器，集成分段式供電。南芯SC3021B滿足各類高頻QR快充需求，采用專有的GaN直驅(qū)設(shè)計，省去外置驅(qū)動器或者分立驅(qū)動器件；集成分段式供電模式，單繞組供電，無需復(fù)雜的供電電路；內(nèi)置高壓啟動及交流輸入Brown In/Out功能，集成了X-cap放電功能。

基于南芯SC3021B+SC3503+SC2151A的芯片組合開發(fā)的65W單口平面變壓器氮化鎵快充方案，搭配英諾賽科INN650D02氮化鎵功率器件。

可以看到，為了實現(xiàn)更高的功率密度，該方案采用更加緊湊的設(shè)計。輸入端采用兩塊小板，讓整個PCB模塊體積進一步壓縮，尺寸可做到50*27*25mm，功率密度達1.9W/cm3，具有BOM極簡，高功率密度特點。

3、南芯SC3021D

南芯SC3021D支持170KHz GaN直驅(qū)，專為30W氮化鎵充電器進行設(shè)計，并在該方案下可采用ATQ17/15繞線式變壓器，極具性價比。南芯SC3021D采用專有的GaN直驅(qū)設(shè)計，省去外置驅(qū)動器或者分立驅(qū)動器件；集成分段式供電模式，單繞組供電，無需復(fù)雜的供電電路；內(nèi)置高壓啟動及交流輸入Brown In/Out功能，集成了X-cap放電功能。

基于SC3021D、SC3503、SC2151A三顆芯片開發(fā)的30W氮化鎵單口快充方案。兼容協(xié)議多，電壓檔位齊全，性能強悍。該方案下PCB板尺寸僅為36*32*20mm，功率密度為1.3W/cm3，高功率密度是其另一大特點。

在SC2151A協(xié)議芯片加持下，USB-C口支持PD、PPS、AFC、FCP、SCP、VOOC等快充協(xié)議，具備5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A和3A/2A PPS電壓檔位。

Silergy矽力杰

1、矽力杰SY5055

矽力杰SY5055是一顆高度集成的PFC和LLC二合一控制器，將PFC和LLC獨立功能的器件合二為一，同時輸出PFC和LLC級控制信號，一顆芯片完成兩顆芯片的功能，減少芯片外圍元件數(shù)量，簡化設(shè)計。

矽力杰SY5055支持高壓啟動，集成谷底檢測，PFC級支持欠壓，過壓，過載保護。片內(nèi)集成LLC級半橋驅(qū)動器，集成電流模式控制，具有快速的動態(tài)響應(yīng)。支持X電容放電，采用緊湊的SOP16封裝，輸出支持過壓保護，欠壓保護，過載保護和過流保護。

Texas Instruments德州儀器

1、TI UCC28780

TI德州儀器UCC28780是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實現(xiàn)符合嚴格全球效率標(biāo)準(zhǔn)（如美國能源部6級和歐盟CoC V5 Tier-2能效標(biāo)準(zhǔn)）的高密度交流/直流電源。

UCC28780具有用戶可編程高級控制律特性，可以針對硅和氮化鎵功率器件進行性能優(yōu)化。由于具有邏輯電平柵極信號和使能輸出，因此使用組合了驅(qū)動器和GaN FET的開關(guān)器件進行直接運行的能力得到進一步增強。

憑借先進的自動調(diào)諧技術(shù)、自適應(yīng)死區(qū)時間優(yōu)化和可變開關(guān)頻率控制律，UCC28780可在寬廣的工作范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS）。使用可根據(jù)輸入和輸出條件改變運行方式的自適應(yīng)多模式控制，可在提高效率的同時減輕可聞噪聲。憑借高達1MHz的可變開關(guān)頻率和精確的可編程過功率保護功能（該功能可在寬廣的線路范圍內(nèi)為散熱設(shè)計提供始終如一的功率），無源組件的尺寸可進一步縮小，并實現(xiàn)高功率密度。

2、TI UCC28782

TI UCC28782高密度ACF控制器，支持頻率抖動以降低EMI電磁干擾，內(nèi)置X電容放電和偏置電源管理。

TI UCC28782A 詳細資料。

3、TI UCC256301

UCC256301是一款具有集成高電壓柵極驅(qū)動器的全功能LLC控制器。此產(chǎn)品的設(shè)計目標(biāo)是與PFC級配對使用，以憑借最少的外部組件提供完整的電源系統(tǒng)。根據(jù)設(shè)計，所產(chǎn)生的電源系統(tǒng)無需單獨的待機功率轉(zhuǎn)換器即可滿足最嚴格的待機功率要求，能使PFC級始終運行。

UCC256301有一系列特性旨在使LLC轉(zhuǎn)換器的運行得到良好控制并提高其可靠性。此器件的目標(biāo)是減輕LLC設(shè)計人員的負擔(dān)，并使目前的主流應(yīng)用受益于LLC拓撲的效率優(yōu)勢。

UCC256301使用混合遲滯控制來提供同類產(chǎn)品中最佳的輸入電壓和負載瞬態(tài)響應(yīng)。在一個周期內(nèi)，所需的控 制力度大致與平均輸入電流成正比。該控制使開環(huán)傳遞函數(shù)成為一階系統(tǒng)，因此很容易進行補償。系統(tǒng)始終保持穩(wěn)定，具有適當(dāng)?shù)念l率補償。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮化鎵快充是消費類電源市場發(fā)展的未來趨勢，并且目前已經(jīng)步入了商用快車道，在USB PD快充電源領(lǐng)域大放異彩，市場規(guī)模迅速擴大。這一方面表現(xiàn)在入局氮化鎵快充的終端品牌數(shù)量以及氮化鎵快充成品數(shù)量的持續(xù)增加；另一方面也表現(xiàn)在入局氮化鎵功率器件廠商以及氮化鎵控制器廠商越來越多。

作為氮化鎵快充的核心元器件，GaN控制器已然成為各家電源芯片廠商的重中之重。通過充電頭網(wǎng)本次系統(tǒng)化的匯總也可以看到，除了眾多國際一線品牌之外，本土電源芯片廠商也開始在氮化鎵快充領(lǐng)域發(fā)力，推出了極具性價比的產(chǎn)品，為市場的多樣化發(fā)展提供了豐富的解決方案。

隨著眾多氮化鎵控制芯片廠商的入局，氮化鎵快充各種類型的控制器類型將進一步完善，有利于避免產(chǎn)品同質(zhì)化，促進市場良性發(fā)展。